Der Artikel ist ja jetzt schon zwei Jahre alt und dort stand drin, das man schon in einem Jahr Resultate erzielen könnte, handelt es sich doch letzten Endes nur um die klassische Halbleiterfertigung: http://www.heise.de/tr/artikel/Die-digitale-Quantenbatterie-891200.html Wieso dauert das dann eigentlich so lange? Gibt's keine FAB die sich dem Problem mal annimmt und mal ein paar Quantenbatteriechips in Kleinserie fertigt?
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Verschoben durch Moderator
Hast Du den Originalbeitrag wirklich gelesen? Die angegebenen 10 Nanometer sind außerhalb der Reichweite moderner Produktionsprozesse - derzeit bei 28/32 nm. Kondensatoren auf Si Wafern sind auch nichts wirklich Neues, jede DRAM Zelle besteht aus einem Transistor und einem Kondensator.
Jim Meba schrieb: > Die angegebenen 10 > Nanometer sind außerhalb der Reichweite moderner Produktionsprozesse - > derzeit bei 28/32 nm. Und schon das ist eine Herausforderung und vor allem schlicht und ergreifend teuer. Ich kann nur jedem empfehlen sich mal in die Materie einzulesen und sich anzuschauen was für ein Aufwand für 22nm (momentaner Technologiestandart) nötig ist. 10nm sagt Intel für 2016 vorraus. Vor allem der englischsprachige Wikipediaartikel vermittelt einen kleinen Eindruck des Aufwandes http://en.wikipedia.org/wiki/Semiconductor_device_fabrication Jim Meba schrieb: > Kondensatoren auf Si Wafern sind auch nichts wirklich Neues, jede DRAM > Zelle besteht aus einem Transistor und einem Kondensator. Naja diese Techologie die hier angesprochen wird (Quantenbatterie) wäre ja zumindest auf dem Blatt ein Geniestreich. 10fache Leistungsdichte wäre abartig. Ein iPhone das plötzlich 10 statt einem Tag hält. Selbst eine Verdoppelung der Leistungsdichte, vorrausgesetzt das ganze verhält sich linear wäre eine Revolution. Jim Meba schrieb: > Kondensatoren auf Si Wafern ... sind immer teuer. Kondensatoren brauchen viel Platz auf dem Wafer, der Die wird groß, darum werden sie meist extern ausgeführt (z.B. MAX232). Bei DRAM sind es ja nur einige pF, wenn überhaupt. Das ist Informationsspeicherung aber keine Leistungsspeicherung. Bei DRAM müssen ja z.B. auch die Leiterbahnen zum Kondensator hin vorgeladen werden vor dem Auslesen, um überhaupts arbeiten zu können ("Precharge")
Ist vielleicht bisschen OT -> vielleicht können's die Admins verschieben.
2000mF schrieb: > Wieso dauert das dann eigentlich so lange? Wenn es danach geht, wären die Erdölreserven der Erde inzwischen aufgebraucht, sämtliche Energieprobleme der Menschheit durch Fusionsreaktoren gelöst und statt zur ISS, regelmäßig Raumschiffverkehr zur festen Siedlung auf dem Mars bestehen.
2000mF schrieb: > Der Artikel ist ja jetzt schon zwei Jahre alt und dort stand drin, das > man schon in einem Jahr Resultate erzielen könnte, handelt es sich doch > letzten Endes nur um die klassische Halbleiterfertigung: Vor 30 Jahren gabs in einem Magazin einen Artikel, daß es heute allen so gut gehen würde, und daß reichlich genug Kapital da wäre, damit die Arbeitskraft nur noch eine 20-Stunden-Woche hat. Das wäre interessanter, als etwas elektrische Ladung. Na ja, auch nicht wirklich eingetreten.
Wilhelm Ferkes schrieb: > Das wäre interessanter, > als etwas elektrische Ladung. Na ja, auch nicht wirklich eingetreten. Wäre machbar aber daran haben nur die interesse welche kein interesse am Zwist haben, denn wenn alle gut leben können, dann kann man aufniemandes Kosten reich werden, und keine Macht über andere erlangen. Auf die Frage des TO (Wünstlers?): Gedacht ist noch lang nicht getan. Kunst kommt von können, sonnst ist's "Wunst". Namaste
Jim Meba schrieb: > Hast Du den Originalbeitrag wirklich gelesen? Die angegebenen 10 > Nanometer sind außerhalb der Reichweite moderner Produktionsprozesse - > derzeit bei 28/32 nm. Ja, das hängt damit zusammen, das die normale optische Darstellung von Strukturen nicht mehr möglich ist. Man braucht völlig neue Maschinen, die auf anderen physikalischen Prinzipien beruhen. Grundsätzlich ist es schon seit Jahren möglich, Strukturen im nm-Massstab zu erzeugen, das sind dann aber Einzelstücke. BTDT. Gruss Harald
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