Hallo zusammen, ich habe vor einiger Zeit bereits einmal hier um Hilfe gesucht, als ich versucht habe ein P-Spice Modell in LT-Spice einzubinden. Habe diese Hilfe hier auch super bekommen. Leider wurde ich bei meiner Arbeit mit etwas anderem unterbrochen weshalb ich erst jetzt weitermachen kann. Ich habe nun eine B6 Brücke mit dem Modell des MOSFETs IPB036N12N3 erstellt. Leider arbeitet die Simulatio ewig und kommt aber zu keinem Ergebnis. Damals wurde bereits gesagt, dass die Modelle von infineon teilweise sehr schlecht konvergieren. Ich nehme an, das es wohl daran liegt. Kann mir jemand helfen, wie ich die Simulation zum laufen, bzw. konvergieren bringe??
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1. Braucht die Spannungsquelle einen Wert. 2. Solltest du die Gates der "high side" Mosfets richtig ansteuern. 3. Diese Pseudo-SPICE Modelle mit den tausend Formeln kannst du getrost vergessen. Hau weg! 4. Entweder du machst dir ein VDMOS-Modell für LTspice oder du nimmst eines der bereits vorhandenen VDMOS Modelle. Da du sehr große Mosfets hast, kannst du mit dem Multiplizerungsfaktor z. B. m=2 ein Modell doppelt so "stark" machen. 5. Was machst du mit Spulen die 10H haben bei 20kHz.
Hi, Helmut S. schrieb: > 1. Braucht die Spannungsquelle einen Wert. > > 2. Solltest du die Gates der "high side" Mosfets richtig ansteuern. > > 3. Diese Pseudo-SPICE Modelle mit den tausend Formeln kannst du getrost > vergessen. Hau weg! > > 4. Entweder du machst dir ein VDMOS-Modell für LTspice oder du nimmst > eines der bereits vorhandenen VDMOS Modelle. Da du sehr große Mosfets > hast, kannst du mit dem Multiplizerungsfaktor z. B. m=2 ein Modell > doppelt so "stark" machen. > > 5. Was machst du mit Spulen die 10H haben bei 20kHz. 6. V3 hat 52/21 Sek. Trice/Tfall 7. Wenn du die Infineon Modelle verwendest, müssen die Tcase-Pins mit einer Spannungsquelle für die Temperatur verbunden werden. Grüße Krangel
> 6. V3 hat 52/21 Sek. Trice/Tfall > > 7. Wenn du die Infineon Modelle verwendest, müssen die Tcase-Pins mit > einer Spannungsquelle für die Temperatur verbunden werden. > > Grüße Krangel Hallo Krangel, Danke für den Hinweis auf das fehlende "n" für nano in V3. Die korrigierte Version ist im Anhang. Der Tipp mit dem Tcase-Pin macht die Simulation der Originalschaltung nicht besser. Ich hatte das bereits getestet.
Infineon hat meistens mehrere Modelle in der/den lib - siehe Beipacktext. IPB036N12N3_L0 -> Level 1 T=konst IPB036N12N3_L1 -> Level 2 T bestimmt durch Eigenerwärmung IPB036N12N3 -> Level 3 T=externe Vorgabe Mit Level 1 ist die Geschwindigkeit akzeptabel, läuft aber bei deiner bzw. Helmuts Schaltung nach ca. 800 µs in einen "Time step too small" error. Das muß aber nicht unbedingt am Modell liegen =:)
Sorry - ist genau anders herum.
IPB036N12N3_L0 -> Level 1 T=konst
IPB036N12N3_L1 -> Level 2 T=externe Vorgabe
Pin Tj fehlt - Parameter TEMP wird ausgewertet
IPB036N12N3 -> Level 3 T durch Eigenerwärmung (Pin Tj, Tcase)
ps: Mit Rser=500m bei V1 läuft die Simulation, schwingt aber wie...
Ich denke, das Infineon Modell ist zu empfindlich um mit idealen
Komponenten zu harmonieren.
Zu 1.:sorry, ich habe bei der Hochgeladenen Datei vergessen noch den wert 50.4V anzugeben. zu 2. Warum muss man die negative Seite der Spannungsquelle, welche das Gate des MOSFET ansteuert mit der Source des MOSFET verbinden? zu 4. Was ist ein VDMOS und was bedeutet die "stärke" eines MOSFET bei Spice? zu 5. Die Simualtion soll für verschiedene Induktivitäts- und Wiederstandswerte laufen. Die 10H waren einfach irgend ein anfänglicher, von mir eingegebener Wert. Können die mit Einfluss darauf haben, dass die Simualtion nicht läuft? Das mit den Levels der MOSFETS habe ich noch nicht ganz verstanden, dass muss ich mir erst nochmal genauer anschauen bevor ich dazu irgendwelche doofen Fragen stelle ;) Auf jeden Fall schon mal vielen Dank für eure Antworten!
temiox schrieb: > Zu 1.:sorry, ich habe bei der Hochgeladenen Datei vergessen noch den > wert 50.4V anzugeben. > > zu 2. Warum muss man die negative Seite der Spannungsquelle, welche das > Gate des MOSFET ansteuert mit der Source des MOSFET verbinden? Weil man eine Spannung zwischen Gate und Source braucht um ihn sinnvoll anzusteuern. > zu 4. Was ist ein VDMOS und was bedeutet die "stärke" eines MOSFET bei > Spice? VDMOS ist ein bestimmtes Mosfetmodell das es nur in LTspice gibt. Es erlaubt es gute Modelle für Power-Mosfets zu machen die zusätzlich sehr gut konvergieren. "m" bestimmt die Zahl der Transistoren die parallel geschaltet sind. > zu 5. Die Simualtion soll für verschiedene Induktivitäts- und > Wiederstandswerte laufen. Die 10H waren einfach irgend ein anfänglicher, > von mir eingegebener Wert. Können die mit Einfluss darauf haben, dass > die Simualtion nicht läuft? Es kann davon abhängen, aber bei dir waren es die unsäglichen Transistormodelle mit den Formeln. > Das mit den Levels der MOSFETS habe ich noch nicht ganz verstanden, dass > muss ich mir erst nochmal genauer anschauen bevor ich dazu irgendwelche > doofen Fragen stelle ;) Das mit den levels ist eher der falsche Ausdruck. Es ist in dem Fall nur eine Namensgebung von Infineon für deren Modellierungsgrad. Dabei kann man alle Modelle die mit den Formeln gemacht sind wegen Konvergenzproblemen vergessen. In SPICE gibt es Mosfet levels, z. B. Level=1, 2, 3, 49, ... Die haben aber nichts mit der Namensgebung von Infineon zu tun.
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Modell und Level waren wirklich unglücklich gewählte Ausdrücke, da sie bei Infineon und LTspice unterschiedliche Bedeutungen haben. Aber das hat Helmut dankenswerterweise eh schon erklärt. Im Unterschied zu den Subcirciuts IPB036N12N3 und IPB036N12N3_L1, die wegen der Nachbildung des Temperaturverhaltens recht viele Formeln enthalten sieht der IPB036N12N3_L0 durchaus realistisch aus. Sicher könnte man daran noch einiges optimieren, wie z.B. parasitäre Elemente zusammenzufassen (Rg in Lg einbauen...), ein performanteres Netzwerk zur Simulation der spannungsabgängigen Cdg einzubauen oder direkt in ein VDMOS model zu übertragen. Wenn es aber mit dem L0 circiut Konvergenzprobleme gibt, liegt das meiner Meinung nach in erster Linie an der [unrealistischen] externen Beschaltung. Hat mich bei den CoolMos einige Stunden gekostet, war aber recht lehrreich.
Okay, jetzt glaube ich habe ich das mit den Modellen und Leveln auch verstanden ;) was wären denn eigentlich eurer Meinung nach vernünftige Werte für die Widerstände und die Induktivitäten? Ich hätte z.B. diesen Motor einmal rausgesucht: http://www.der-schweighofer.at/artikel/90295/elektromotor_lipolice_lpa-5025_24t-195kv Ich find hier bei den Technischen Daten allerdings nur 0.0332Ohm. Könnt ihr mir sagen was ein vernünftiger Induktivitätswert wäre? Wie kommt man darauf?
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> vernünftige Werte für die Widerstände und die Induktivitäten R ist ja angegeben; L ist aber problematisch. Da diese Angabe, insbesonders im Modellbaubereich, eher unüblich ist, wirst du nicht darum herumkommen den Motor zu vermessen. z.B. http://www.ctc-control.com/customer/elearning/younkin/motorParameters.pdf Für eine "echte" Simulation in LTspice fehlt dir dann aber immer noch die Back-EMF und die mechanischen Eigenschaften. http://ww1.microchip.com/downloads/en/appnotes/01083a.pdf http://www.ecircuitcenter.com/Circuits/dc_motor_model/DCmotor_model.htm Als ersten Schritt würde ich die Ansteuerungslogik überarbeiten (um z.B. überlappende Leitphasen der Transistoren zu vermeiden) und dann mit Induktivitäten im Bereich 0.5-10mH testen, ob ein halbwegs sinnvoller Strom fließt und die Schaltung mit der Variation von Lx bzw. V1 stabil bleibt. Ich hab einmal die extreme Schwingung am Sternpunkt mit einem RC bedämft (damit die Simulation besser läuft), der Vergleich des Stroms durch R1 resp. U1:D zeigt allerdings, dass du in erster Linie Kurzschlüsse produzierst. Das gibt eine gedämpfte Schwingung bei ca. 37Mhz mit 11App. Fazit: Du solltest erst einmal versuchen, eine bekanntermaßen funktionierende Schaltung zu simulieren, bevor du das ganz neu erfindest.
Kennt denn jemand ein gutes, funktionierendes LTSpice modell für einen BLDC-Motor mit vorgeschalteter B6 Brücke?
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