Hallo zusammen, ich möchte mithilfe einer händisch aufgebauten astabilen Kippstufe eine IR-LED mit der Frequenz von 30 kHz leuchten lassen. Experimentell bin ich bereits auf diese Halbleiterwerte gekommen, um bei einer Spannung von 9V an die 29kHz ranzukommen. Die Berechnung der Frequenz mittels f=1/log(2)*R*C kommt mit den verwendeten Bauteilen auf einen Wert um die 22 kHz. Dies würde auch in der Praxis zutreffen, wenn die LED+Vorwidestand durch einen 1k Widerstand ersetzt werden würde. Also liegt wohl aufgrund der verschiedenen Kollektorwidestände eine Frequenzsteigerung vor. Interessehalber treibt mich aber die Frage um, wie genau und warum diese Kollektorwidestände die Frequenz beeinflussen. Da beim Senken der Werte ebenjener Widestände genauso eine Frequenzabsenkung wie auch -erhöhung möglich scheint. Kann man diesen Zusammenhang auch rechnerisch belegen? (Ja, ich kenne den NE555 und auch die Möglichkeit anstatt die LED direkt in den Kippstufenkreis zu integrieren sie mittels eines Treiberstroms anzusteuern. Interessiere mich aber genau für den beschriebenen Sachverhalt.) Herzlichen Dank schon jetzt für gute Anregungen!
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Philipp R. schrieb: > Hallo zusammen, .. > Frequenzabsenkung wie auch -erhöhung möglich scheint. Kann man diesen > Zusammenhang auch rechnerisch belegen? Man kann...aber wer will das schon...... Der Kollektorwiderstand bestimmt natuerlich die Zeiten des Umladens des Kondensators wenn der jeweilige Transistor abschaltet! Deshalb ist das natuerlich etwas anderes einen R oder R+LED in die Kollektorleitung zu bauen. Die Kondensatoren haben sowieso grosse Toleranzen.... also bau einfach ein Trimmpoti ein und stelle die Frequenz so ein, wie Du sie brauchst. Gruss Michael
Hallo!
Die Formel
> f=1/log(2)*R*C
gilt wohl nur, wenn die beiden Transistoren sättigen können, die
Spannung im leitenden Zustand also praktisch 0V ist und die negative
Vorspannung der Basis des jeweils gegenüberliegenden Transistors
maximal. Bei deiner Schaltung sind die Basiswiderstände zu hoch, als
dass genügend Basisstrom fließen könnte, um den Transistor (besonders
Q2) in Sättigung zu treiben. Q2 arbeitet daher im linearen Bereich und
die Kollektorspannung ist über 0V. Dadurch ist die negative Vorspannung,
die über C2 auf die Basis von Q1 übertragen wird, natürlich geringer.
Die Zeit, bis sich C2 soweit umgeladen hat, bis ca. 0,7V an der Basis
von Q1 erreicht sind, ist also auch geringer. Dadurch ist die Frequenz
höher. Werden R4 und D1 durch einen 1kΩ-Widerstand ersetzt, ist die
Spannung am Kollektor von Q2 in dessen leitenden Zustand viel geringer.
Die Frequenz ist also niedriger.
Mein Vorschlag wäre, R2 und R3 niederohmiger auszulegen und dafür die
Kapazitäten zu erhöhen. Dann stimmt auch die Formel, weil beide
Transistoren wirklich sättigen können.
Die verwendete Formel stimmt nur solange die BE Strecke nicht in Sperrrichtung leiten wird. Das wird sie aber wenn die Betriebsspannung grösser als ca. 8V wird. An der Basis siehst du nämlich negative Spannungsspitzen die deine BE Strecke in den Durchbruch bringen. Deshalb bringt man dort Schutzdioden an die diese negative Spannung von der Basis fernhält.
Wenn man bei der Schaltung nur den Kollektorstrom auf einer Seite erhöht, reicht der Basisstrom nicht mehr aus, den Transistor richtig durchzuschalten: Im ersten Moment, nachdem Q1 sperrt, wird Q2 über den Weg R1 - C3 noch kräftig angesteuert. Ist C3 aber geladen, reduziert sich der Basistrom auf den Wert durch R3, der Transistor geht aus der Sättigung und verkürzt die Zeit, bis Q1 wieder durchschaltet. Folge: das Zeitverhalten der Schaltung wird unkontrollierbar. Also: - Entweder auch R3 verkleinern (und entsprechend C3 vergrößern); das geht aber nur in Grenzen: R3 sollte immer noch größer als R1 sein - oder (viel besser): die LED über einen weiteren Transistor ansteuern. Gruß Dietrich Edit: Jonas R. hat das ja schon so ähnlich beschrieben...
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