p-Kanal MOSFET schaltet nicht mehr ab

[sepp h. (ism2usb)]

Hallo,
ich möchte eine Versorgungsspannung von 3.3V mit einem MSP430 
durchschalten, jedoch weiß ich nicht warum der p-Kanal Mosfet nach dem 
durchschalten nicht mehr ausgeschalten werden kann.
In den Bildern sieht man den Aufbau sowie eine Simulation der Schaltung.
Wär super wenn mir jemand helfen könnte :)

Gruß

[Dietrich L. (dietrichl)]

sepp huber schrieb:
> In den Bildern sieht man den Aufbau sowie eine Simulation der Schaltung.

Bei so hochohmigen Lasten (R6 und RL) und 30ns Periodendauer geht das 
nicht. Die Transistoren sind viel zu langsam, zumindest beim 
Abschalten. Besonders das Entladen der Gate-Kapazität von U2 über 
500kOhm dauert sehr  lange.

Gruß Dietrich

[Joachim (Gast)]

sepp huber schrieb:
> jedoch weiß ich nicht warum der p-Kanal Mosfet nach dem
> durchschalten nicht mehr ausgeschalten werden kann.
> In den Bildern sieht man den Aufbau sowie eine Simulation der Schaltung.

Der 500 kOhm Widerstand braucht halt seine Zeit, bis er die Kapazität 
des  p-Kanal Mosfet entladen hat.

Gruß

[HildeK (Gast)]

Sehr wahrscheinlich deshalb, weil du die Gate-Kapazität des U3 nicht mit 
500k innerhalb von 30ns entladen kannst. Fahrkarte: 10nF GS-Kapazität, 
500kΩ, ergibt eine Zeitkonstante von rund 30ms.
Vielleicht ist auch noch der erste nMOS zu langsam.

Simuliere einfach mal im ms-Bereich und schaue dir die Flanken, 
Verzögerungszeiten etc. an.

[Lothar M. (Firma: Titel) (lkmiller) (Moderator)]

Alles über 10k ist wie ein Nichtleiter zu betrachen, wenn es um 
schnelle(re) Schaltanwendungen geht.

[sepp h. (ism2usb)]

Danke für die schnellen Antworten. Jetzt ist alles sonnenklar :) Hab die 
kleinen Schaltzeiten ganz übersehen.

Gruß

[Helmut S. (helmuts)]

Auf Grund des Ids_off Leckstromes des ersten Mosfets und des Igs 
Leckstromes des zweiten Mosfets sind 500kOhm viel zu hoch egal wie 
schnell du schalten willst. So etwas gibt allerdings das 
Simulationsmodell nicht her. Da musst du ins Datenblatt schauen.