Hi, vergebens habe ich bereits nach einer schlüssigen Erklärung gesucht. Wie erzeugt der Treiber eine um VCC als das Highpotential höhere Gatespannung für den Highside FET, wenn nach dem Abschalten des Lowside Fets das Potential am Switchnode bei ca. -1V bis 0V beträgt, was eben auch == das LOW-Potential des Bootstrap C´s ist. Das 2. Bild ist meine Schaltung für einen Abwärtswandler, wodurch sich die Frage ergeben hat Oo gruss Axel
@ Axel Krüger (axel) >Wie >erzeugt der Treiber eine um VCC als das Highpotential höhere >Gatespannung für den Highside FET, wenn nach dem Abschalten des Lowside >Fets das Potential am Switchnode bei ca. -1V bis 0V beträgt, was eben >auch == das LOW-Potential des Bootstrap C´s ist. Eben WEIL es ein Bootstrap ist. Wenn der obere FET sperrt und der untere durchschaltet, liegt der Ausgang (der hier getrennte Pins sind, welche aber verbunden werden müssen) auf LOW, praktisch nahezu 0V. Damit liegt Source vom oberen FET auch auf 0V. Über die Diode wird der Bootstrapkondensator auf ~VCC geladen. Wenn jetzt der untere FET sperrt und der obere anfängt durchzuschalten, drückt es das Sourcepotential des oberen FETs nach "oben". Der Treiber des oberen FETs istvom Bootstrapkondensator gespeist und hat praktisch kaum eine Verbindung zur normalen Masse, er schwimmt auf dem Sourcepotential des oberen FETs. Damit hat man nahezu eine potentialfreie Versorgung für diesen, man kann ihrn sich als eine kleine Batterie vorstellen. Nachteil ist die begrenzte Stromlieferfähigkeit, denn Leckströme im oberen Treiber und am Gate vom MOSFET entladen ihrn. Deshalb brauchen solche Bootstrap-Treiber immer einen PWM-Takt, sie können statisch nicht HIGH schalten, nur LOW. MfG Falk
Danke für die ausführliche Erläuterung, aber es hakt bei mir immer noch an Folgendem: Falk Brunner schrieb: > Wenn jetzt der untere FET sperrt > und der obere anfängt durchzuschalten, drückt es das Sourcepotential des > oberen FETs nach "oben". Wenn der untere Fet abschaltet fliesst ja trotzdem noch kurzzeitig der Drosselstrom (jetzt bezogen auf den Abwärtswandler) durch die Bodydiode des unteren Fets wenn der Spulenstrom nicht lückt und somit ist ja eben das Sourcepotentiol des oberen Fets immer noch auf GND minus der Diodenforwardvoltage. Wie kann in diesem Fall überhaupt erst der obere Fet leitend werden wenn das High Potential des Bootstrap C´s mit ~VCC niedrieger ist als das Drainpotential des oberen Fets? gruss Axel
@ Axel Krüger (axel) >Wenn der untere Fet abschaltet fliesst ja trotzdem noch kurzzeitig der >Drosselstrom (jetzt bezogen auf den Abwärtswandler) durch die Bodydiode >des unteren Fets wenn der Spulenstrom nicht lückt und somit ist ja eben >das Sourcepotentiol des oberen Fets immer noch auf GND minus der >Diodenforwardvoltage. Nur sehr kurz, eben solange wie die eingebaute Totzeit des Treibers ist, typisch um die 500ns. > Wie kann in diesem Fall überhaupt erst der obere >Fet leitend werden wenn das High Potential des Bootstrap C´s mit ~VCC >niedrieger ist als das Drainpotential des oberen Fets? Nach der Totzeit schaltet der obere FET durch, gespeist aus dem Bootstrap-Kondensator. Weil jetzt Strom dort durchfließt, kommutiert (wechselt) der Stromfluss von der Bodydiode des unteren FETs zum oberen FET. In diesem Umschaltmoment muss die Diode schnell sperren, also eine möglichst kurze Sperrerholzeit haben (reverse recovery time, t_rr), denn in der Zeit fließt der Strom aus der Versorgung durch den oberen FET durch die Diode nach Masse. Das gibt einen ordentlichen Strompuls, der möglichst kurz sein sollte. Das ist auch einer der Punkte bei der Optimierung von Schaltreglern, der allseits bekannte Lothar hat das schon oft erklärt und dargestellt. http://www.lothar-miller.de/s9y/categories/40-Layout-Schaltregler Stichwort "Recovery-Pfad"
Falk Brunner schrieb: > Nach der Totzeit schaltet der obere FET durch, gespeist aus dem > Bootstrap-Kondensator. Das ist der Punkt. Das Lowpotential des Bootstrapkondensators liegt zu dem Zeitpunkt immer noch auf rund ~GND. Wenn bspw. der IR2110 nun die Verbindung vom Bootstrap Highpotential zum Gate des HighsideFET schaltet, liegt dort nur das niedrige VCC Potential an, was der Ladespannung des Bootstrap Cs entspricht. D.h. der obere Fet sollte eigentlich garnicht durchschalten können. Sinn würde es machen, wenn das Bootstrap-C Lowpotential vor dem Ansteuern des HighsideFets vom Switchnodepotential auf das Drainpotential des HighsideFets geschaltet wird, aber das ist ja laut Schaltung nicht der Fall - es existiert garkeine Verbindung vom TreiberIC zum HighFet Drainpotential, was im Falle des IRF2110 ~ 500Volt betragen kann. Ich habe aber die Schaltung mit dem Datenblatt, diversen Appnotes zu IRFxxx und Beiträgen im Forum verifiziert und die sollte eigentlich stimmen.
@ Axel Krüger (axel) >> Nach der Totzeit schaltet der obere FET durch, gespeist aus dem >> Bootstrap-Kondensator. >Das ist der Punkt. Das Lowpotential des Bootstrapkondensators liegt zu >dem Zeitpunkt immer noch auf rund ~GND. Ja. > Wenn bspw. der IR2110 nun die >Verbindung vom Bootstrap Highpotential Du meinst VB, wo auch der Bootstrapkondensator dranhängt. > zum Gate des HighsideFET >schaltet, liegt dort nur das niedrige VCC Potential an, was der >Ladespannung des Bootstrap Cs entspricht. Das reicht doch, das sind praktisch um die 10V. > D.h. der obere Fet sollte >eigentlich garnicht durchschalten können. Doch! Denn der Massebezug des Bootstrapkondensator liegt an der Source des oberen FETs! Wie eine potentialfreie 9V Batterie. Nur wenn der untere hart auf 0V durchschaltet, ist die Masse vom Bootstrapkondensator = Systemmasse. >Sinn würde es machen, wenn das Bootstrap-C Lowpotential vor dem >Ansteuern des HighsideFets vom Switchnodepotential auf das >Drainpotential des HighsideFets geschaltet wird, Keine Sekunde. Warum auch? > aber das ist ja laut >Schaltung nicht der Fall - es existiert garkeine Verbindung vom >TreiberIC zum HighFet Drainpotential, was im Falle des IRF2110 ~ 500Volt >betragen kann. Muss es auch gar nicht, der Schalter drückt sich selber hoch, ala Münchhausen. Das ist ja der Trick der Bootstrap-Schaltung! Der schweinbar potentialfreie, schwimmede Treiber + Kondensator für den oberen FET.
oh man jetzt hab ichs geschnallt :S Ich habe zuvor einen Abwärtswandler mit nur einem highside P-Kanalfet gebastelt und dort lag der Source immer am hohen Highpotential und darauf war die Gatespannung bezogen und nun liegt ja der Sourceanschluss "unten" und die Gatespannung muss ja nur um ~VCC höher sein als Source - egal wie hoch die Drainspannung ist. Danke! gruss Axel
Bitte melde dich an um einen Beitrag zu schreiben. Anmeldung ist kostenlos und dauert nur eine Minute.
Bestehender Account
Schon ein Account bei Google/GoogleMail? Keine Anmeldung erforderlich!
Mit Google-Account einloggen
Mit Google-Account einloggen
Noch kein Account? Hier anmelden.