Hallo, Ich würde gerne anstatt Relais zum Schalten einer Spannung nun FET´s verwenden. Als Eingangsspannung wird entweder 12V oder 24V verwendet. Angesteuert wird der PFET über einen kleinen NMOS per µC. Der Spannungsteiler R2,R4 benötige ich da der PMOS nur 25V UGS Spannung hat. Kann mir bitte jemand mal über die Schaltung schauen. Ich wäre für jede Kritik wirklich dankbar. Gruß Anna
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sollte so funktionieren, aber bedenke, dass der NMOS evtl einschalten konnte, wenn der uC Pin hochohmig ist (zb bevor uC programmiert und io initialisiert ist) ein pull down ans gate um auf Nummer sicher zu gehen wäre gut. Ich denke einige Teile um den PMOS sind unnötig: R1 von 24V zu gate und ein zweiter 50-100k vom PMOS gate zum NMOS sollten genügen. wofür C5 und C6 gut sein sollen bleibt mir ein Rätsel.
Anna schrieb: > Ich würde gerne anstatt Relais zum Schalten einer Spannung nun FET´s > verwenden. Als Eingangsspannung wird entweder 12V oder 24V verwendet. > Angesteuert wird der PFET über einen kleinen NMOS per µC. > Der Spannungsteiler R2,R4 benötige ich da der PMOS nur 25V UGS Spannung > hat. > Kann mir bitte jemand mal über die Schaltung schauen. > Ich wäre für jede Kritik wirklich dankbar. warum machst du dir soviel arbeit ? von IRF oder Infineon gibt es Highside "SmartSwitches". Einfach in die VCC Leitung und per 3.3/5V IO steuern. fertig ;) zu deiner schaltung: wenn da viel leistung drübergehen soll ist die mehr als nur ungünstig: die gatewiderstände sind VIEL zu hoch, wodurch die schaltflanken extrem "lang" sind -> mosfet im linear-betrieb -> hohe verlustleistung -> mosfet kaputt.. der 10nF Kondesator am Gate verschlimmert das ganze noch
Genau hatte noch ganz vergessen den NMOS mit einem Pulldown zu versehen. Reichen hier 100k oder besser 22k nehmen? Mit R1 und C5 erreiche ich, dass der FET sanfter einschaltet. Zumindest laut Simulation bricht dann die Eingangsspannung nicht so stark ein, durch den C4 Einschaltstrom. Der PFET wird höchstens alle 30s geschaltet. Der sollte also nicht warm werden. Die hohen Gatewiderstände sind so gewählt weil ich sanfter schalten möchte. Klar gibt es dann mehr Verlustleistung aber die Spannung bricht mir am Eingang dann nicht ein. Laut Simulation hab ich mit einem 100k Gatewiderstand nur 80W und mit 1k schon 300W. Ist es denn besser kurzzeitig 300W oder etwas länger 80W Verslustleistung am FET zu haben?
Andi D. schrieb: > warum machst du dir soviel arbeit ? von IRF oder Infineon gibt es > Highside "SmartSwitches". z.B. bei Reichelt den BTS 462 für 1,40 Eur
Andi schrob: >warum machst du dir soviel arbeit ? von IRF oder Infineon gibt es >Highside "SmartSwitches". Guter Rat! Solche Biester kannte ich auch noch nicht. MfG Paul
Anna schrieb: > Laut Simulation hab ich mit einem 100k Gatewiderstand nur 80W und mit 1k > schon 300W. > Ist es denn besser kurzzeitig 300W oder etwas länger 80W > Verslustleistung am FET zu haben? es ist besser eine verlustleistung < 10watt zu haben...das problem ist die stromdichte im halbleiter..da hilft dir eine 0815 spice simulation nicht die zu berechnen...
Bis jetzt hab ich von diesen High Side Power Switches nichts gehört. Die scheinen aber recht interessant zu sein. Ich hab mir grad einen rausgesucht. http://www.farnell.com/datasheets/85603.pdf Bei Operating voltage Vbb(on) steht 12...45 V. Heißt das ich könnte z.B eine 5V Spannung mit diesem FET nicht schalten? Was mir auch nicht aus dem Datenblatt so wirklich klar wird ist wie groß den der maximale Strom ist den man schalten kann? Gruß Anna
Anna schrieb: > Der Spannungsteiler R2,R4 benötige ich da der PMOS nur 25V UGS Spannung > hat. Wenn du den Typ verwenden willst, den du in der Simulation drin hast: - der hat nur +/-8V UGS max (absolute maximum ratings) - der verträgt nur 20V UDS max (absolute maximum ratings). Beides wird im 24V-Betrieb deutlich überschritten. Die Gatespannung wird auch im 12V-Betrieb zu hoch sein. Anna schrieb: > Laut Simulation hab ich mit einem 100k Gatewiderstand nur 80W und mit 1k > schon 300W. Die Peakleistung am FET ist insofern eine Fahrkarte, als dass deine Cs vor und hinter dem Schalter (vermutlich) ohne ohmsche Verluste definiert sind. Wenn du sanfter schalten willst, dann mach das mit C6, R2, R4 und lasse R1 und C5 weg. SOA beachten. Anna schrieb: > Was mir auch nicht aus dem Datenblatt so wirklich klar wird ist wie groß > den der maximale Strom ist den man schalten kann? Seite 5: Protection Functions. Je nach Temperatur zw. 1.4A und 4.5A.
HildeK schrieb: > Anna schrieb: >> Was mir auch nicht aus dem Datenblatt so wirklich klar wird ist wie groß >> den der maximale Strom ist den man schalten kann? > > Seite 5: Protection Functions. Je nach Temperatur zw. 1.4A und 4.5A. Wenn ich das richtig verstehe kann ich also von wenigen mA bis zu 4,5A je nach Temperatur schalten? Als Versorgungsspannung muss ich dann wohl mindestens 12V verwenden. Eine 5V Spannung kann nicht geschalten werden wenn ich das richtig verstehe. Wozu wird eigentlich diese GND Widerstand RGND benötigt?
um einen FET zu schalten muss man nur seine gate Kapazität aufladen, also fließt nur Strom beim umladen/umschalten. um den Zustand zu halten braucht es nur sehr winzige ströme, das heißt, dass ein frei fliegendes gate sich durch minimalste kriechströme auflädt und schaltet. nachdem es um anscheinend um einen größeren Verbraucher geht ist es in der Tat ratsam einen NMOS zu nehmen, für den man jedoch eine Treiberschaltung benötigt die das gate über 24v aufladen kann (wenn man nicht low Aids schalten will) ein smartfet bringt eben diesen Treiber und Schutzmasnahmen integriert mit. generell sind die angegebenen maximalströme nur mit ausreichender Kühlung erreichbar und man sollte eher deutlich darunter bleiben, NMOS für hohe ströme sind billiger als PMOS
ach ja die minimalspannung bei der der fet einschaltet(gate threshold voltage) kann bei manchen fets natürlich kleiner als 5v sein, Prozessoren in cmos Bauweise können mitunter für 1,2v und weniger ausgelegt sein, bei diskreten fets wirst du mit logic level fets fündig
oje, hätte zuerst den ganzen thread lesen sollen bevor ich antworte. es geht ja jetzt um diesen profet im speziellen der vermutlich weit unter 12v gar nicht erst versucht zu schalten da der Treiber den integrierten Leistungstransistor nicht mehr voll einschalten kann. rgnd begrenzt den Strom durch die Schutz zener dioden bei überspannung, ist sicher auch bei induktiven lasten ratsam. je höher die Umgebungstemperatur desto näher ist der Chip an der maximalen Betriebstemperatur und auch der on Widerstand des Schalters wird höher
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