Zu blöd um einen Mosfet zu verstehen?

[Anfänger84 (Gast)]

Hallo,

ich bin hier grad ein bisschen am verzweifeln, komme einfach nicht auf 
einen grünen Zweig.

Ich habe einen n-MosFet (IRF530A) folgendermaßen angeschlossen:
An Gate +10V, an Drain +30V, an Source einen Widerstand mit 120R. Masse 
von meinen +10V und +30V liegen auf der Source-abgewandten Seite des 
Widerstandes.
Die Spannungen liegen sauber an, mit nem Oszi nachgemessen. Trotzdem 
fallen über den Widerstand nur 7V ab. Das sollten doch aber annäherdn 
30V sein, oder nicht?
Habe es mit drei MosFets getestet, immer das Gleiche. Wo könnte hier der 
Fehler liegen, oder verstehe ich grundsätzlich was nicht?
Ist das erste Mal, dass ich mit MosFets arbeite..

viele Grüße, Tobias

[Floh (Gast)]

Anfänger84 schrieb:
> Habe es mit drei MosFets getestet, immer das Gleiche. Wo könnte hier der
> Fehler liegen, oder verstehe ich grundsätzlich was nicht?

Zweiteres. Mit deiner genannten Verdrahtung und einem N-Kanal-MosFET 
hast du einen sogenannten Sourcefolger aufgebaut.
Da liegt das Sourcepotential etwas unter dem Gatepotential, wobei etwas 
die Treshold (?) Spannung ist, je nach MosFET 3 - 6V.

[Christian S. (christianstr)]

Anfänger84 schrieb:
> einen n-MosFet
...
> an Source einen Widerstand mit 120R

Damit der N-MOSFET durchschaltet, muss die Gatespannung höher sein als 
die Spannung an Source. Ist der MOSFET noch nicht durchgeschaltet, sind 
10V natürlich höher als das Sourcepotential, nach dem durchschalten aber 
nicht mehr, wie Floh schon gesagt hat, hast du einen Spannungsfolger 
bzw. Sourcefolger gebaut.
Wenn du Source auf Masse legst und den Widerstand an Drain, hast du das, 
was du wolltest :)

Gruß Christian

[Anfänger84 (Gast)]

Das verstehe ich nicht, wo liegt da genau das Problem?

Hier mal meine verwendete Verschaltung.


Ich denke mir, zwischen Gate und Source liegen 10V an, also sollte der 
MosFet aufmachen. Zwischen Drain und Source liegen 30V an; RDSOn liegt 
bei 0,1R oder so, der nachgeschaltete Widerstand bei über 100R, also 
sollten doch fast die gesamten 30V am nachgeschaltetem Widerstand 
abfallen.

Googeln nach Sourcefolger hat mir leider auch nicht weiter geholfen.

[Anfänger84 (Gast)]

Christian Str schrieb:
> Damit der N-MOSFET durchschaltet, muss die Gatespannung höher sein als
> die Spannung an Source. Ist der MOSFET noch nicht durchgeschaltet, sind
> 10V natürlich höher als das Sourcepotential, nach dem durchschalten aber
> nicht mehr, wie Floh schon gesagt hat, hast du einen Spannungsfolger
> bzw. Sourcefolger gebaut.

*an den Kopf schlag..

Klar, logisch, danke fürs Erklären! :-)
Ich habe sogar mal gelernt wofür eine Bootstrap-Schaltung ist, aber 
konnte das in diesem Moment nicht auf mein Problem übertragen..

[Joe S. (bubblejoe)]

Du willst einen High Side Schalter ;-)
Wenn theoretisch der MOSFET ganz aufmachen würde und die 30V am 
Widerstand anliegen, dann liegt dein Source Potenzial ja auch auf 30V. 
10V - 30V = -20V. Da ist nix mit Ansteuern des MOSFET.
Steck den MOSFET unter die Last mit Source an GND als Low Side Schalter, 
dann geht das so.