NOR Memory (read / write) funktionsweise

[frank (Gast)]

Hi,

ich versuche zuverstehen wie Flash Speicherzellen funktionieren.

Der Einfachkeit halber erstmal NOR Zellen.

http://en.wikipedia.org/wiki/File:NOR_flash_layout.svg

Bitline hoch + beliebige wordline hoch setzt die jeweilige 
Speicherzelle. Nur wie/wo lese ich die einzelnen Zellen aus?

Da der Speicher auf NOR Zellen basiert vermute ich mal das immer zwei 
elemente eine Speicherzelle bilden. Warum? Ein Fet ist doch in der Lage 
einen Bit zuspeichern. Wofür brauche ich dann noch einen zweiten?

[Hans-Georg L. (h-g-l)]

http://de.wikipedia.org/wiki/Flash-Speicher

[frank (Gast)]

es wird lediglich das löschen/ schreiben erklärt bzgl. lesen stehen dort 
nur sehr allgemeine sachen.

[Hans-Georg L. (h-g-l)]

Zitat aus dem Artikel, Abschnitt Speichern und lesen:

Im ungeladenen Zustand des Floating-Gate kann im über das Steuer-Gate 
aufgesteuerten Transistor in der Source-Drain-Strecke (Kanal) ein Strom 
fließen.

Und jetzt liese diesen Abschnitt nochmal langsam durch und schau dir das 
Bild rechts daneben an.

[frank s. (yashi)]

ziehe ich einfach alle controlgates bis auf eins auf gnd, damit die fets 
sperren? messe dann die bitline?

[Karl H. (kbuchegg)]

frank schrieb:

> Da der Speicher auf NOR Zellen basiert

Das NOR bezieht sich nicht auf die einzelne Zelle.

Jeder MOSFET ist eine Speicherzelle für sich.

Aber die Verschaltung mehrer derartiger Zellen würde ein NOR ergeben. 
D.h. man das muss man beim Auslesen berücksichtigen.

[Karl H. (kbuchegg)]

frank s. schrieb:
> ziehe ich einfach alle controlgates bis auf eins auf gnd, damit die fets
> sperren? messe dann die bitline?

umgekehrt.
An eine der Wordlines kommt eine Spannung auf das Control Gate und wenn 
das FLoating Gate an diesem MOSFET Ladung trägt, dann zieht dieser FET 
die Bitline auf 0, ansonsten eben nicht.

[frank s. (yashi)]

>An eine der Wordlines kommt eine Spannung auf das Control Gate und wenn
>das FLoating Gate an diesem MOSFET Ladung trägt, dann zieht dieser FET
>die Bitline auf 0, ansonsten eben nicht.


wiki sagt
>Im ungeladenen Zustand des Floating-Gate kann im über das Steuer-Gate 
>aufgesteuerten Transistor in der Source-Drain-Strecke (Kanal) ein Strom >fließen.

das kann doch nicht beides richtig sein oder? o_0

[Karl H. (kbuchegg)]

Das deutsche WIKI sagt aber auch, dass es beides gibt:
Ladung am Gate, Source-Drain ist offen
Ladung am Gate, Source-Drain ist gesperrt

das eine ist eben eine "NPN"-MOSFET und das andere ein "PNP"-MOSFET.

[frank s. (yashi)]

thanks. dann ist alles klar :)