Layout mit LT1307

[Ralf G. (ralg)]

Moin, moin erstmal.

Ich wollte mich mal an einen Stepup-Wandler wagen. Die Platine soll an 
einem Batteriehalter (Bulgin BX0011/1) befestigt werden. Die größere 
freie Fläche wird dann mit der 'Anwendung' belegt (im Moment nur die 
zwei Pads).

Was muss ich jetzt noch verbessern?

[Michael R. (Firma: Brainit GmbH) (fisa)]

Die GND-Verbindung zu K1 gefällt mir gar nicht. Ansonsten für mich ok.

[Ralf G. (ralg)]

Michael Reinelt schrieb:
> Die GND-Verbindung zu K1 gefällt mir gar nicht. Ansonsten für mich ok.

Mir auch nicht so richtig ;-) Hab' ich erstmal nur so 'hingemalt'. Hätte 
jetzt gedacht diese auf 'Bottom' neben dem IC direkt von Pin 4 
großflächig rauszuführen.

Und: lohnt sich das, die Vias an der Diode mit einem größeren 
Durchmesser (für mehr Oberfläche) zu versehen?

[Thomas K. (alerte)]

Warum magst du den Kollegen denn gar nicht einschalten (Auszug aus dem 
Datenblatt):

> SHDN (Pin 3): Shutdown. Ground this pin to turn off
> switcher. Must be tied to VIN (or higher voltage) to enable
> switcher. Do not float the SHDN pin.

Sieht für meine Augen (ok, bin kein Profi) ganz ok aus. Zusätzlich zur 
anderen Anbindung von K1 hätte ich aber noch einen Vorschlag: Ich würde 
den IC etwas hochschieben, so dass du die Induktivität um 90° gedreht 
drunter packen kannst. Den gewonnenen Platz dann ausnutzen, um D10 + C12 
etwas kürzer anzubinden. Wobei ich auch gerade sehe, dass im Datenblatt 
auf Seite 12 eine Platzierung vorgeschlagen wird.

[Thomas K. (alerte)]

Ralf G. schrieb:
> Michael Reinelt schrieb:
>> Die GND-Verbindung zu K1 gefällt mir gar nicht. Ansonsten für mich ok.
>
> Mir auch nicht so richtig ;-) Hab' ich erstmal nur so 'hingemalt'. Hätte
> jetzt gedacht diese auf 'Bottom' neben dem IC direkt von Pin 4
> großflächig rauszuführen.
>
> Und: lohnt sich das, die Vias an der Diode mit einem größeren
> Durchmesser (für mehr Oberfläche) zu versehen?

Ich würde eher versuchen, die Diode noch irgendwie auf den Top-Layer zu 
bekommen, da es dort auf möglichst wenig Induktivität ankommt. Schau mal 
auf die angesprochene Seite 12 im Datenblatt, die Anbindung an R18/R19 
kann notfalls auch etwas länger sein.

[Ralf G. (ralg)]

Thomas K. schrieb:
> Warum magst du den Kollegen denn gar nicht einschalten

Schei..benhonig. In der Simulation von LT ist's auch ohne. Aber das 
Datenblatt wird wohl recht haben.

Thomas K. schrieb:
> Ich würde
> den IC etwas hochschieben, so dass du die Induktivität um 90° gedreht
> drunter packen kannst.

Ich probiere mal außer C10 und L10 alles nach rechts zu drehen. Mal 
sehen, wie dann die Wege sind.

[Ralf G. (ralg)]

Thomas K. schrieb:
> Ich würde eher versuchen, die Diode noch irgendwie auf den Top-Layer zu
> bekommen

Hatte ich schon mal. GND muss dann unter der Diode durchgefädelt werden. 
Das fand ich nicht so gut. Allerdings: Wenn ich jetzt mit GND sowieso 
auf Bottom ausweiche, werde ich's noch mal probieren.

[Ralf G. (ralg)]

... so hier.

[Ralf G. (ralg)]

Ich hab's noch mal verfeinert. Besonders R18 näher an den Ausgang 
gerückt.
Noch Einwände?

[Ralf G. (ralg)]

(Noch) keine Einwände. Gut.

Aber noch mal diese Frage:
Ralf G. schrieb:
> Und: lohnt sich das, die Vias an der Diode mit einem größeren
> Durchmesser (für mehr Oberfläche) zu versehen?
Im Moment habe ich 12mil. Entsprechend der großflächigen Verbindungen 
hätte ich jetzt mind. 24mil gedacht(?)