Hallo Leute! Ich habe mal eine Frage bezüglich des MOSFETs IRFP260N. Ich benutze diesen als Stromsenke. Jetzt würde ich gerne wissen, wann ich ihn abregeln muss bevor er den Hitzetod stirbt. Im Datenblatt steht eine maximale Junction-Temperatur von 175°C. Dann steht da weiter, dass der thermische Widerstand zwischen Sperrschicht und Gehäuse 0,5°C/W beträgt. Auf dem MOSFET habe ich einen Platin-Temperatursensor geklebt. Mittels diesem kann ich die Temperatur des Gehäuses ermitteln. Nur was heißt das jetzt genau? Wann ist Schluss? Muss ich für einen Rückschluss immer wissen, wieviel Watt ich gerade verheize? Also mal angenommen, es fließen gerade 3A bei 30V, also 90W (jetzt mal den Verlust am Shunt außer Acht gelassen), dann würde der Temperaturunterschied zwischen Gehäuse und Sperrschicht schonmal einen Unterschied von 45°C haben? Mit einer Raumtemperatur von 20°C und einer gemessenen Temperatur von 100°C am Gehäuse würde die Sperrschicht bereits eine Temperatur von 165°C haben? Stimmt das so?
Hans schrieb: > Stimmt das so? Nein. Hier spielt die RT kein Rolle. Du misst am Gehäuse 100°C und bei 90W kommen bis zur Sperrschicht nochmals 45K hinzu. Gibt in dem Fall 145°C an der Sperrschicht. Dabei ist natürlich wichtig, wie genau und wie nahe am Gehäuse du die Temperatur feststellst.
> Muss ich für einen Rückschluss immer wissen, wieviel Watt ich > gerade verheize? Ja. Eine Stromsenke kann den Wert sogar ausrechnen. Oder du nimmst den Maximalwert, dann bist du immer auf der sicheren Seite. Oder du kennst den exakten Wärmewiderstand des Kühlkörpers und Isolierpads und die Umgebungstemperatur, dann kannst du aus (Gehäusetemp - Umgemungstemp) / (Wärmewiderstabnd KK+Glimmer) rückrechnen welche Leistung gerade verbraten wird. Das ist aber thermisch viel träger als Chip zu Gehäuse, funktioniert also nur wenn die Leistung langsam zunimmt.
HildeK schrieb: > Hier spielt die RT kein Rolle. Stimmt. Macht Sinn. HildeK schrieb: > Gibt in dem Fall 145°C > an der Sperrschicht. OK, also THEORETISCH noch 30K Luft nach oben, denn HildeK schrieb: > Dabei ist natürlich wichtig, wie genau und wie nahe am Gehäuse du die > Temperatur feststellst das ist natürlich immer so eine Sache. Das Platin-Element ist direkt mit Wärmeleitkleber auf die Gehäuseoberseite geklebt. Dennoch bleibt da natürlich eine Fehlerquelle. Mal angenommen, man betreibe die Sperrschicht bei 170°C, ist das dauerhaft OK, weil eben noch unter den abs. max. ratings, oder ist das schon eher zu vermeiden?
MaWin schrieb: > Eine Stromsenke kann den Wert sogar ausrechnen. Ja klar, mache ich auch. MaWin schrieb: > Das ist aber thermisch viel träger als Chip zu Gehäuse, > funktioniert also nur wenn die Leistung langsam zunimmt. Das wär mich auch zu unsicher.
Hans schrieb: > Mal angenommen, man betreibe die Sperrschicht bei 170°C, ist das > dauerhaft OK, weil eben noch unter den abs. max. ratings, oder ist das > schon eher zu vermeiden? Das ist zu vermeiden. Die Lebensdauer von Halbleitern nimmt drastisch ab mit höher werdenden Temperaturen. Kühle so gut wie möglich - das ist immer die beste Lösung. 150°C bei solchen Halbleitern an der Sperrschicht sollte aber noch gehen. Die 90W wären natürlich besser auf zwei Transistoren aufgeteilt. Hans schrieb: > OK, also THEORETISCH noch 30K Luft nach oben, Ja, aber die "Luft" wird natürlich bei höheren Umgebungstemperaturen auch mit verbraucht, z.B. bei einem Einbau in ein Gehäuse oder im Hochsommer.
Hans schrieb: > Auf dem MOSFET habe ich einen Platin-Temperatursensor geklebt. Die Gehäusetemperatur wird aber auf der Unterseite auf Höhe der Chip-Mitte gemessen. Auf der Oberseite hast Du ganz andere Temperaturen. Gruß Anja
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