Hallo, ich versuche verzweifelt eine AC Switch zu realisieren (siehe Anhang). Leider zerstört es mir immer einen IGBT des Modules und das schon bei ca 5A. Das Semikron Modul kann nominal 150A und hat eine Vce von 1200V. Mache ich was grundlegendes falsch? Ich bin für jeden Tip dankbar. Viele Grüsse
Angehängte Dateien:
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IGBT-_AC_Switch.png
470 KB
Sorry, mein Fehler. D20 und 21 sind Suppressor Dioden zum Schutz des Gates. Die negative Spannung kommt schon an.
Was ist RL für eine Last? Rein ohmsch, induktiv, kapazitiv? Wann wird geschaltet? Immer beim Nulldurchgang oder beliebig?
Hallo, Danke für die Mühe! Die Last kann Induktiv (irgendwelche Heizwendeln) und auch ohmsch sein, Kapazitiv eher weniger. Geschaltet wird 1 Grad genau, 0 bis 360 Grad. Hatte ich früher mit Thyristoren gelöst, aber da konnte ich nur im Nulldurchgang abschalten. Jetzt solls auch beim Abschalten Gradgenau sein. Danke
Die Ansteuerung durch den Optokoppler kann doch so nie funktionieren. Ist Dir sicher auch klar, aber es wirft die Frage auf: Wieviel Fehler sind noch im Schaltplan ebthalten?
Okay, was für Typen von Dioden hast Du dann für D1 und D2 im Einsatz? Möglicherweise sind sie dann für die Abschaltspikes bei induktiven Lasten zu langsam und die zul. 1200V für die IGBTs werden überschritten. @spontan: Warum kann sie nicht funktionieren?! Es hilft keinem wenn nur Thesen aufgestellt werden, die dann ohne Begründung im Raum stehen bleiben. Zugegeben, ohne Angabe von konkreten Werten der Komponenten bzw. Typen ist es nicht wirklich leicht etwaige Vermutungen anzustellen. Z.B. lässt sich nicht wirklich vorhersagen, wie schnell die Gates der IGBTs umgeladen werden (können) ohne zu wissen was U9/U10 treiben kann und wie groß R5...R10 sind.
Ich dachte der Fehler ist so offnsichtlich, daß ich ihn nicht beschreiben muß. Der Schaltimpuls geht an die Anode der Kopplerdiode und über R65 an die Kathode. Da kann nicht viel Strom fließen und keine Übertragung stattfinden. Aber wie sagt mein Vater immer: Das sieht ein Blinder mit Krückstock. Nichts für ungut.
Du kannst AC wesentlich einfacher mit einem IGBT schalten, wenn du einen
Brückengleichrichter benutzt:
GR
----------
-----------| + ~ |-----LAST-------o 230 V L
| | |
G |- D | |
o--|==|---| | |
Gate-R |< S | |
| | |
o-----------+----------| - ~ |----------------o 230 V N
----------
Das einzige Problem, was du lösen musst, ist die die 'floating' Source
als Bezugspunkt der Gatespannung. Das lässt sich einfach mit einem
Optokoppler a la HCPL3120 und einem 12Volt Netzteil lösen.
spontan schrieb: > Ich dachte der Fehler ist so offnsichtlich, daß ich ihn nicht > beschreiben muß. > > Der Schaltimpuls geht an die Anode der Kopplerdiode und über R65 an die > Kathode. Da kann nicht viel Strom fließen und keine Übertragung > stattfinden. > > Aber wie sagt mein Vater immer: Das sieht ein Blinder mit Krückstock. > Nichts für ungut. Naja, ich habe den Teil mit der Optokoppler-LED als unvollständigen Auschnitt aus einem Gesamtschaltplan verstanden und es gibt schon einen Sinn einen R65 vorzusehen, z.B. dann, wenn es über einen Vorwiderstand an einer Wechselspannung 'hängt'. Dann kann R65 dazu beitragen die max. Revers-Spannung der LED nicht zu überschreiten. Bei richtiger Auslegung kann das alles wie gewollt funktionieren. Und eine Diode kostet in einer Massenproduktion mehr als ein Widerstand - wenn's auch nur den Bruchteil eines Cents ausmacht. Aber es ist halt alles sehr unvollständig, weshalb man bei vielem eben nur mutmaßen kann. Außerdem hat 'molli123' ja über ein Problem geschrieben, dass ab etwa 5A auftritt. Also bin ich zunächst mal davon ausgegangen, dass die grundlegende Funktion gegeben ist. Natürlich könnte in der Ansteuerung auch etwas faul sein, nur was sollte da zum Sterben eines IGBTs führen?!? Irgendeine Grenzwertüberschreitung muss es ja wohl sein. Es gilt halt herauszufinden welche das ist. Deshalb: - UCEmax. kann durch Abschaltspikes bei induktiven Lasten überschritten werden, wenn dies nicht durch schnelle Dioden verhindert wird. - IEmax. von 150A scheint viel zu sein, aber ohne Angabe von der konkreten Modulbezeichnung würde ich das Kleingedruckte im DB sehr aufmerksam lesen. Da gibt es genügend Einschränkungen gibt, die man schnell überlesen kann, z.B. kann dies der Maximalstrom des Die's sein, aber nicht die der Anschlussdrähte des Transistors/Moduls, usw., sollte man hier ebenfalls sehr wachsam sein. - ±UGEmax. wird bei +15V und -8V wohl kaum überschritten. Kontrolle wäre natürlich besser - insbesondere da die +15V nicht geregelt zu sein scheinen. - Bleibt noch die Ein-/Ausschaltzeit der IGBTs. Ohne konkrete Bauteilwerte und Typangaben wird's hier schwer zu bestimmen, ob der IGBT noch innnerhalb der SOA arbeitet.
@spontan: Die Kathode am Opto hat schon Bezug, hab halt aus Gesamtschaltplan herausgeschnitten. @ Raimund Rabe: D1 und D2 sind Bodydioden des Moduls SKM150GM12T4G R8 u.R9 sind 47 Ohm und R10 ist 470 Ohm. U9 und U10 sind IXDI404 die mit V+ an +15V hängen und mit V- an einem 7908 also -8V. Das ganze funzt im Leerlauf auch super, aber sobald ich ne Last (rein Ohmsch in diesem Fall) reinschalte und mit dem Stelltrafo auf ca. 140V komme (ca.3A). Zersört es immer einen IGBT im Modul. Und das Modul hat einen Ic (80Grad) von 177A???? Irgendwie leuchtet es mir nicht ein. @Matthias Sch.: interessant, muss ich mir mal durch den Kopf gehen lassen. Viele Grüsse
@ Stefan S. (molli123) >komme (ca.3A). Zersört es immer einen IGBT im Modul. >Und das Modul hat einen Ic (80Grad) von 177A???? >Irgendwie leuchtet es mir nicht ein. Vielleicht haben deine IGBT-Module KEINE Inversdiode parallel zu den IGBTs? Dann kriegen die ordentlich Strom in Sperrichtung ab. Nicht gut. Oder die Zuleitungen der Suppressordioden am Gate sind zu lang und es werden Überspannungen eingekoppelt. Merke: Auch die größten Bauteile kriegt man leichter kaputt als es einem lieb ist 8-0.
@ Falk Brunner: doch, das Modul hat eine Invers oder Bodydiode: Viso =4kV, Icnom =150A. Was ich noch anmerken wollte Schaltfrequenz spielt keine Rolle max 200Hz. Grüsse
Stefan S. schrieb: > @spontan: Die Kathode am Opto hat schon Bezug, hab halt aus > Gesamtschaltplan herausgeschnitten. > > @ Raimund Rabe: D1 und D2 sind Bodydioden des Moduls SKM150GM12T4G Jip. Und GENAU DIE sind manchmal beim Schalten zu langsam! Mal sehen was das DB dazu sagt: Leider nicht sehr viel! Außer der Angabe das es sich um "Fast & soft inverse CAL diodes" handelt gibt's scheinbar keine weiteren konkreten Angaben dazu. Zumindest nicht beim ersten PDF was ich dazu im WWW fand. Evtl. gilt es weiter nach einem vollständigeren DB zu suchen. > R8 u.R9 sind 47 Ohm und R10 ist 470 Ohm. U9 und U10 sind IXDI404 die mit > V+ an +15V hängen und mit V- an einem 7908 also -8V. Uff. Warum zum Donner nimmt jemand einen 4A-Treiber und limitiert dann wieder den max. mögl. Strom auf kaum mehr als 300mA für einen IGBT mit einer Gate-Charge von immerhin 850nC?!? Das DAS zu unnötig langsamen Ein-/Ausschaltzeiten führt kann man sich ja wohl ausrechnen. Mit I=deltaV•C/deltat, umgestellt nach deltat, ergibt sich folgendes: deltat = deltaV•C/I. Mit Werten eingesetzt ergibt sich: deltat = 23V*8,8*10^-9F/0,3A = 675ns Das wäre die Zeit, die der IGBT zum Ein-/Ausschalten bräuchte, wenn der Gatestrom (während des Schaltens) konstant mit 300mA fließen würde (und die Gate-Spannung z.B. von +15V nach -8V wechseln würde), was er aber nicht macht, da es nur der Spitzenstrom ist. Die TVS-Dioden tragen ihr übriges zur Erhöhung der umzuladenden (Gate-)Kapazität bei. Ich würde hier dringend anraten die Serien-Gate-Widerstände (R5/R6 und R8/R9) auf sehr geringe Werte (<<10 Ohm) zu verringern. > Das ganze funzt im Leerlauf auch super, aber sobald ich ne Last (rein > Ohmsch in diesem Fall) reinschalte und mit dem Stelltrafo auf ca. 140V > komme (ca.3A). Zersört es immer einen IGBT im Modul. > Und das Modul hat einen Ic (80Grad) von 177A???? > Irgendwie leuchtet es mir nicht ein. Mein Vorschlag wäre jetzt folgender: Betreibe die Schaltung bis zu einer Spannung, wo die IGBTs noch nicht zerstört werden und messe (Speicher-Oszi sei Dein Freund) die Kurvenformen zw. C und E des IGBTs und wenn möglich noch den Stromverlauf durch die Last. Dabei interessieren dann insbesondere die Augenblicke wo die IGBTs schalten. Also nicht unbedingt mit dem Oszi nur die ganze 20ms-Periode auf dem Schirm haben, sondern zusätzlich nur den (kleinen) Bereich beim Schalten. Irgendwo muss eine Tendenz festzustellen sein, welcher Grenzwert vom IGBT überschritten wird. Beherzige auch den Hinweis, den Falk gegeben hat, wo man z.B. am besten die TVS-Dioden anbringt - so dicht wie möglich dorthin, wo sie etwas schützen sollen. > @Matthias Sch.: interessant, muss ich mir mal durch den Kopf gehen > lassen. Jedes Konzept hat seine ganz spezifischen Vor- und Nachteile. Worauf es bei Dir ankommt wissen wir nicht. Aber eine Option, über die man nachdenken sollte, wäre es allemal. Ob damit aber Dein Problem behoben ist ...? > Viele Grüsse
Raimund Rabe schrieb: > Worauf es > bei Dir ankommt wissen wir nicht. Aber eine Option, über die man > nachdenken sollte, wäre es allemal. Ob damit aber Dein Problem behoben > ist ...? Weiss ich natürlich auch nicht. Allerdings hat die Graetzbrücke den Vorteil, jegliche Reversspannung vom IGBT/MOSFet/Leistungstransistor fernzuhalten, die Bodydiode wird also nicht gebraucht oder gestresst. Das einzig wirklich wichtige ist, das die Dioden des Gleichrichters flott genug sind und Strom und Spannung vertragen. Und selbstverständlich gibt die ganze Sache ein Verlust von ca. 1,4 Volt im Lastkreis.
Hallo Raimund, der Ixys Treiber lag hier noch rum,ist natürlich total überdimensioniert. Wahrscheinlich reicht auch ein popliger TSC427. Bei den Gatewiderständen hast du natürlich auch recht, habe ich gestern Abend auch gleich ausprobiert (6,8 Ohm). Das Ergebnis war leider dasgleiche. Ich werde heute mal Vce beobachten,habe im Moment aber leider nur noch Module mit einem funktionstüchtigen IGBT, dass sollte aber nichts ausmachen. Eine zusätzliche Bodydiode habe ich gestern auch versucht (STTH12012TV, Vr:1200V,tr:50ns). Leider kein Erfolg. Der Endzweck dieser Überlegungen soll sein: Ein Spannungseinbruch zu simulieren, also zu einem definierten Zeitpunkt, zum Beispiel bei 74 Grad, von 230V auf eine frei wählbare Spannung (0-230) zu schalten.Ich glaube die Gleichrichterlösung funktioniert hier nicht. Grüsse
Matthias Sch. schrieb: > Raimund Rabe schrieb: >> Worauf es >> bei Dir ankommt wissen wir nicht. Aber eine Option, über die man >> nachdenken sollte, wäre es allemal. Ob damit aber Dein Problem behoben >> ist ...? > > Weiss ich natürlich auch nicht. Allerdings hat die Graetzbrücke den > Vorteil, jegliche Reversspannung vom IGBT/MOSFet/Leistungstransistor > fernzuhalten, die Bodydiode wird also nicht gebraucht oder gestresst. Wenn das DB des IGBT-Moduls ein ausreichend schnellen Body-Diode zur Verfügung stellt, was es noch genau zu klären gilt, käme man ohne zusätzliche Komponenten (d.h. Diode) aus. Der Vorteil wäre jedenfalls, dass die Body-Diode i.d.R. den entsprechenden Strom und Sperrspannung aushalten würde. > Das einzig wirklich wichtige ist, das die Dioden des Gleichrichters > flott genug sind und Strom und Spannung vertragen. Und > selbstverständlich gibt die ganze Sache ein Verlust von ca. 1,4 Volt im > Lastkreis. Die Sache mit den Spannungsverlusten ist relativ. VCEsat eines IGBTs kann (leider) ohne weiteres im Bereich von 2...3V liegen, ebenso wie die gesamte Durchlaßspannung einer Leistungs-Diodenbrücke. Bei entsprechender Amperezahl sind die 0,7V einer üblichen (Kleinleistungs-)Diode illusorisch. Da bewegen wir uns bei den Nennströmen schon mal ohne weiteres bei bis zu 2V(!) pro Diode.
Stefan S. schrieb: > Hallo Raimund, > > der Ixys Treiber lag hier noch rum,ist natürlich total > überdimensioniert. Wahrscheinlich reicht auch ein popliger TSC427. Nein, nein! Eben nicht. Für diese hohen Gate-Kapazitäten ist es schon völlig richtig derartig 'kräftige' Treiber einzusetzen. Es ist, im Interesse einer kurzen Schaltzeit, sogar essentiell den max. mögl. Strom zum Umladen des Gates zur Verfügung zu stellen. Bei linearen Applikationen, z.B. als Endstufen-Transistor eines HiFi-Verstärkers, wären derartig hohe Ströme tatsächlich nicht notwendig - im Schalterbetrieb ist es aber ungemein wichtig. Auf der anderen Seite bedeuten schnelle Schaltzeiten auch wieder hohe dI/dt-Werte, die in Verbindung mit parasitären Induktivitäten (Zuleitungskabel, Aufbau, ...) zu hohen Spannungen (auch bei rein ohmschen Lasten) führen können. Aber ohne Messwerte ist eine qualitative Einschätzung nicht möglich. Falls meine Vermutung richtig ist, könnte/würde ein Snubber Deine IGBTs schützen. > Bei den Gatewiderständen hast du natürlich auch recht, habe ich gestern > Abend auch gleich ausprobiert (6,8 Ohm). Das Ergebnis war leider > dasgleiche. Wie??? Hast Du wieder ein weiteres IGBT-Modul in die ewigen 'Jagdgründe' geschickt? :-( Oder welches 'Ergebnis' war wieder das Gleiche - abgesehen vom zerstörten IGBT? Du solltest langsam anfangen Nägel mit Köpfen zu machen, sonst stochern wir noch ewig in der trüben Suppe und kommen zu keiner Lösung. Wir brauchen langsam definitiv irgendwelche konkreten Messwerte(!) und/oder Kurvenverläufe (eventuell auch Photos vom Aufbau?!) um weiterhelfen zu können. Pauschalaussagen wie "hat nichts gebracht", "wieder das Gleiche", führt nur zu weiteren Irritationen, da man nicht einmal konkrete 'Ur'-Daten zum Vergleich hat. > Ich werde heute mal Vce beobachten,habe im Moment aber leider nur noch > Module mit einem funktionstüchtigen IGBT, dass sollte aber nichts > ausmachen. Dann definitiv nur ohmsche Lasten verwenden, oder der Kern/Blechpaket/... geht sehr schnell in Sättigung und es wirkt dann nur noch der rein ohmsche Widerstand! > Eine zusätzliche Bodydiode habe ich gestern auch versucht (STTH12012TV, > Vr:1200V,tr:50ns). Leider kein Erfolg. > > Der Endzweck dieser Überlegungen soll sein: Ein Spannungseinbruch zu > simulieren, also zu einem definierten Zeitpunkt, zum Beispiel bei 74 > Grad, von 230V auf eine frei wählbare Spannung (0-230) zu schalten.Ich > glaube die Gleichrichterlösung funktioniert hier nicht. Warum nicht? Das funktioniert genauso! Ich frage mich nur, wie Du die 'frei wählbare Spannung' realisieren willst? Momentan beziehen wir uns ja nur auf das reine Ein- und Ausschalten der Netzspannung und nicht auf das 'Umschalten' auf einen anderen definierten Spannungspegel. Aber okay, erst mal das Eine, dann das Andere. > Grüsse
Hallo, vielen Dank für die super Tips!! Raimund Rabe schrieb: > Wie??? Hast Du wieder ein weiteres IGBT-Modul in die ewigen 'Jagdgründe' > geschickt? :-( Nein, ich "zerstöre" im Moment immer nur den 2ten IGBT im Modul. Raimund Rabe schrieb: > Falls meine Vermutung richtig ist, > könnte/würde ein Snubber Deine IGBTs schützen. Ist wahrscheinlich, ich habe nun die Spannung über C nach E gemessen: bei ca. 100V habe ich einen Puls von ca.1100V (5 x tau ist ca.10µs) genau im Ausschaltmoment. Drehe ich einen wenig höher ist er Kaputt. Ich schlussfolgere mal das ich hier die max Vce von 1200V überschritten habe. Als Last hängt ein 48 Ohm Widerstand am Ausgang. Dann habe ich einen anderen Versuch gemacht: IGBT: IXXN100N60B3H1: Vce = 600V, Ic90 = 100A Hier ist es etwas anders: ein Ausschaltpeak von ca 1000V (auch ca 10µs), der aber nicht höher wie 1kV geht. Ich habe diesen IGBT bis 250V und knapp 6A gehabt und er ist noch nicht einmal heiss geworden, geschweige denn kaputt gegangen. Ausserdem habe ich noch mal einen Stromtest bei kleinerer Spannung gemacht: 70A geschalten kein Problem. Was ist hier so unterschiedlich? Warum geht dieser viel stärker dimensionierte IGBT so schnell kaputt? Gatekap. ist faktor 10 kleiner, dass kanns doch nicht sein? Raimund Rabe schrieb: > Warum nicht? Das funktioniert genauso! > Ich frage mich nur, wie Du die 'frei wählbare Spannung' realisieren > willst? > Momentan beziehen wir uns ja nur auf das reine Ein- und Ausschalten der > Netzspannung und nicht auf das 'Umschalten' auf einen anderen > definierten Spannungspegel. Aber okay, erst mal das Eine, dann das > Andere. Die Spannung regele ich über Stelltrafo (Sollwert -> Motor fährt an Position) Aber Momentan gehts mir rudimentär wirklich nur darum, AC ein und auszuschalten.
Stefan S. schrieb: > Hallo, > > vielen Dank für die super Tips!! > > Raimund Rabe schrieb: >> Wie??? Hast Du wieder ein weiteres IGBT-Modul in die ewigen 'Jagdgründe' >> geschickt? :-( > > Nein, ich "zerstöre" im Moment immer nur den 2ten IGBT im Modul. Aha. > Raimund Rabe schrieb: >> Falls meine Vermutung richtig ist, >> könnte/würde ein Snubber Deine IGBTs schützen. > > Ist wahrscheinlich, ich habe nun die Spannung über C nach E gemessen: > > bei ca. 100V habe ich einen Puls von ca.1100V (5 x tau ist ca.10µs) > genau im Ausschaltmoment. Drehe ich einen wenig höher ist er Kaputt. Ich > schlussfolgere mal das ich hier die max Vce von 1200V überschritten > habe. BINGO! Endlich haben wir/Du es herausgefunden. Dann gilt es jetzt den richtigen Snubber (z.B. eine R-C-Serienschaltung) an die IGBTs, und zwar an jeden einzelnen und so dicht wie möglich an den C- und E-Anschlüssen, zu hängen um diese Spikes zu dämpfen. Als Startwert würde ich mal mit 470nF und 47 Ohm anfangen. Ein wenig mit den Werten herum experimentieren ist ggf. nötig. Für den 47-Ohm-Widerstand aber bitte keinen 1/4-Watt-Typen einsetzen, der nicht einmal für 240Vac (also >300Vs) spezifiziert ist. > Als Last hängt ein 48 Ohm Widerstand am Ausgang. > > Dann habe ich einen anderen Versuch gemacht: > IGBT: IXXN100N60B3H1: Vce = 600V, Ic90 = 100A > Hier ist es etwas anders: ein Ausschaltpeak von ca 1000V (auch ca 10µs), > der aber nicht höher wie 1kV geht. Ich habe diesen IGBT bis 250V und > knapp 6A gehabt und er ist noch nicht einmal heiss geworden, geschweige > denn kaputt gegangen. Ausserdem habe ich noch mal einen Stromtest bei > kleinerer Spannung gemacht: 70A geschalten kein Problem. > > Was ist hier so unterschiedlich? Warum geht dieser viel stärker > dimensionierte IGBT so schnell kaputt? Gatekap. ist faktor 10 kleiner, > dass kanns doch nicht sein? Für die Spike-Höhe ist z.B. der Aufbau entscheidend (Erklärung folgt gleich) und natürlich die Ausschaltgeschwindigkeit! Als additiver Anteil, zur Quellspannung, gehen die (parasitären) Zuleitungsinduktivitäten multipliziert mit dem dI/dt-Faktor (Stromänderungs- bzw. Abschaltgeschwindigkeit) ein. Zur Abschaltgeschwindigkeit noch folgendes: Ist die Gate-Kapazität bei einem anderen IGBT (aber gleicher Treiberschaltung, Aufbau, ...) kleiner, so wird die Schaltgeschwindigkeit auch dementsprechend kleiner, womit aber im Gegenzug der Abschaltspike proportional größer wird! Der IXYS-IGBT hat (laut DB) nur knapp 4,9nF gegenüber Deinem ursprünglich verwendeten SEMIKRON-IGT mit immerhin 8,8nF. Danach müsste der IXYS-IGBT eigentlich höhere Abschaltspikes haben als der von SEMIKRON, da seine Ausschaltzeit vmtl. kürzer ist - aber Kontrolle ist besser als trockene Theorie. ;-) Übrigens: Die Kapazität zwischen Gate und Emitter wird in den DBs üblicherweise mit 'Cies' angegeben, und ist somit nicht(!) um den Faktor 10 (sondern nur 2) größer/kleiner zw. den beiden IGBTs als Du weiter oben angegeben hast. Coes ist die Kapazität zw. C und E und Cres letztendlich die zw. C und G des IGBTs. > Raimund Rabe schrieb: >> Warum nicht? Das funktioniert genauso! >> Ich frage mich nur, wie Du die 'frei wählbare Spannung' realisieren >> willst? >> Momentan beziehen wir uns ja nur auf das reine Ein- und Ausschalten der >> Netzspannung und nicht auf das 'Umschalten' auf einen anderen >> definierten Spannungspegel. Aber okay, erst mal das Eine, dann das >> Andere. > > Die Spannung regele ich über Stelltrafo (Sollwert -> Motor fährt an > Position) > > Aber Momentan gehts mir rudimentär wirklich nur darum, AC ein und > auszuschalten. Okay.
Ich habe unterwegs Stefan gesehen, er ist auf Einkaufstour, neue Module müssen her.
Raimund Rabe schrieb: >> Raimund Rabe schrieb: >>> Wie??? Hast Du wieder ein weiteres IGBT-Modul in die ewigen 'Jagdgründe' >>> geschickt? :-( >> >> Nein, ich "zerstöre" im Moment immer nur den 2ten IGBT im Modul. > > Aha. Einkäufer schrieb: > Ich habe unterwegs Stefan gesehen, > er ist auf Einkaufstour, neue Module müssen her. Nur mal zur Klarstellung: von den defekten modulen ist immer nur ein IGBT kaputt, davon zerstöre, bzw teste ich nur den zweiten. Ganz so schlimm stehts um mich nicht.
Stefan S. schrieb: > Dann habe ich einen anderen Versuch gemacht: > > IGBT: IXXN100N60B3H1: Vce = 600V, Ic90 = 100A > > Hier ist es etwas anders: ein Ausschaltpeak von ca 1000V (auch ca 10µs), > > der aber nicht höher wie 1kV geht. Raimund Rabe schrieb: > Danach müsste > > der IXYS-IGBT eigentlich höhere Abschaltspikes haben als der von > > SEMIKRON, da seine Ausschaltzeit vmtl. kürzer ist - aber Kontrolle ist > > besser als trockene Theorie. ;-) Der IXYS ist Avalanche Rated. Das heißt, der geht bei Überspannung in Durchbruch und solange die max. zulässige Avalanche-Energie nicht überschritten wird, überlebt er das. Deshalb steigt die Überspannung auch nicht weiter an bzw. ist kleiner als beim Semikron.
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