Hi, hfe ist ja die Stromverstärkung und je höher, desto schneller schaltet ein Transistor. Ist das korrekt? Wann braucht man z.B. einen Darlington mit hoher hfe? Spielt das schon eine Rolle beim pwm led Ansteuerungen oder ist da die Frequenz noch viel zu niedrig? Oder sind die Überlegungen ganz falsch? Gruß
> hfe ist ja die Stromverstärkung und je höher, desto schneller schaltet > ein Transistor. Ist das korrekt? Nein. > Wann braucht man z.B. einen Darlington mit hoher hfe? Wenn man rel. große Ströme mit rel. kleinen Strömen schalten oder steuern will. > Oder sind die Überlegungen ganz falsch? Ziemlich.
wenn zwei transistoren den gleichen basisstrom haben der langsam ansteigt ,der eine hat eine viel höhrere hfe, schaltet der dann nicht schneller durch?
Quasistatisch, also so langsam, dass weitere Eigenschaften keinen Einfluss haben stimmt das. Aber es gibt 10GHz-Transistoren mit hfe=120 und 100MHz-Transistoren mit hfe=120. Wie willst du das mit deinen Thesen begründen?
Zum richtig schnellen Abschalten braucht man kurzfristig negativen Basisstrom. Den bekommt man aber nicht an die Basis des Haupttransistors. Dessen Basisladung kann nur über den relativ hochohmigen Widerstand, der zwischen Basis und Emitter des Haupttransistors liegt, abfließen. Darum sind Darlington noch viel langsamer beim Abschalten als Einzeltransistoren.
danke für die Erläuterungen. Wenn ich LEDs per pmw 12V und 0,5A schalten möchte via uC, gibts da eine optimale hfe? Je höher hfe, desto größer kann der Basiswiderstand gewählt werden, desto gringer die Belastung für den uC?
Bei einer LED ist die Schaltgeschwindigkeit wurscht! Außer du befeuerst die mit >100KHz, was aber keinen Sinn macht.
Wenn du 0,5A schalten willst, dann nimm einen Mosfet mit kleiner Schwellspannung (1,xV). Die nennt der Hersteller oft "Logic Level Mosfet". Da brauchst du nur einen Vorwiderstand zum Gate mit ein paar hundert Ohm damit der Logik-Ausgang deines uP nicht zu stark kapazitiv belastet wird.
Hi, ich hab mal gelesen pwm und mosfet sei auch nicht das gelbe vom Ei (auch starke Erwärmung durch pwm) und ein Mos kostet dabei das Vielfache eines Transistors und wenn man dann 30 Stück braucht macht sich das bemerkbar. Ich meine am uC Ausgang braucht man ja auch mit Transistor nur ein paar mA was auch nicht weiter schlimm ist.
dall schrieb: > ich hab mal gelesen pwm und mosfet sei auch nicht das gelbe vom Ei (auch > starke Erwärmung durch pwm) und ein Mos kostet dabei das Vielfache eines > Transistors und wenn man dann 30 Stück braucht macht sich das bemerkbar. In was für einem modding Forum hast du den Mist gelesen. Versuche dir Wissen anzueignen, keine Gerüchte. Bipolartransistoren haben immer einen Spannungsabfall von 0,2 bis 0,4V. Dadurch hast du die entsprechende Verlustleistung. Bei Mosfest hängt die Verlustleistung nur vom Rdson ab, und der ist bei modernen Mosfets sehr klein und von der Schaltgeschwindigkeit, und die kann sehr hoch sein. Such dir hier was aus: Standardbauelemente
Hi, danke, ich les mich gleich etwas mehr rein. also diese Aussage hier ist falsch?: A MOSFET will stay cooler under heavy loads but they heat up when you switch them. If you're using an uC PWM output to drive them they can get quite hot (output of uC can't switch a MOSFET very fast).
Also der Transistor hat eine höhere Verlustleistung und wird wärmer. Aber spricht denn sonst noch was dagegen z.b. einen BD 433 für 20cent für den Zweck zu nehmen anstelle einens Mos für den 3-4 fachen Preis? Gruß
dall schrieb: > Aber spricht denn sonst noch was dagegen z.b. einen BD 433 für 20cent > für den Zweck zu nehmen anstelle einens Mos für den 3-4 fachen Preis? Wenn Du 0,5A schalten willst und der (nicht MOS-) Transistor ordentlich durchschalten soll (sonst hast Du auch mehr Verlustleistung), braucht Du einen "ordentlichen" Basisstrom. Und zwar mehr, als der µC liefern kann. Also brauchst Du noch einen weiteren (Treiber-) Transistor + Beschaltung. Verlustleistung beim Schaltvorgang hast Du bei beiden Transistoren. Wieviel das bei Dir ist, hängt vom Transistor, der Ansteuerung und besonders von der Schaltfrequenz ab. Wie schnell soll das denn bei Dir sein? Es geht bei der Dimensionierung und eine Ausgewogenheit zwischen den statischen Verlusten (Spannungsabfall am Transistor * Strom im durchgeschalteten Zustand) und die Schaltverluste beim Umschaltvorgang. Und dabei jeweils der Mittelwert. Lange Rede kurzer Sinn: welcher Transistor geeigneter ist, hängt von Deinen Bedingungen ab. Bei relativ niedriger Schaltfrequenz und 0,5A ist ein MOSFET bestimmt besser. Gruß Dietrich
dall schrieb: > A MOSFET will stay cooler under heavy loads but they heat up when you > switch them. If you're using an uC PWM output to drive them they can get > quite hot (output of uC can't switch a MOSFET very fast). Woher ist das, in welchen Kontext sagt das der Author. Lern mal zitieren und mach nicht den Guttenberg :-) Jedes Schaltelement hat im Zeitpunkt des Schaltens eine höhere Verlustleistung. Auch der Bipolartransistor. Wichtig ist da das möglichst schnelle Umschalten. Und Mosfets kann man eher sogar schneller schalten. Warum denkst du sind in 99% aller Niederspannungeschaltwandler Mosfets drin und keine Bipolartransistoren?
Jetzt schrieb Dietrich L: >Wenn Du 0,5A schalten willst und der (nicht MOS-) Transistor ordentlich >durchschalten soll (sonst hast Du auch mehr Verlustleistung), braucht Du >einen "ordentlichen" Basisstrom. Und zwar mehr, als der µC liefern >kann. Man kann nicht Leds per pwm mit einfach nur einem Transistor und Basiswiderstand per uC steuern??? >Wie schnell soll das denn bei Dir >sein? Ist pwm nicht unter 200Hz? 200Hz ist sehr wenig oder? >Bei relativ niedriger Schaltfrequenz und 0,5A ist >ein MOSFET bestimmt besser. Ok, aber Mosfets sind auch viel teurer. Ist für meinen Anwendungsfall nicht sogar ein Darlington schlechter als ein normaler Transistor, weil bedingt durch die zwei Transistoren auch die Verlustleistung viel höher ist? Ansonsten würde mich das hier sehr ansprechen: BC517, 14cent pro Stück http://www.ebay.de/itm/290341478892?ssPageName=STRK:MEWAX:IT&_trksid=p3984.m1438.l2649
dall schrieb: > Man kann nicht Leds per pwm mit einfach nur einem Transistor und > Basiswiderstand per uC steuern??? Schau mal, wenn dein Transistor eine garantierte minimale hfe von 40 hat, musst du an der Basis mindestens 1/40 des Kollektorstroms bereitstellen, um ihn durchzuschalten. Das ist zu viel für einen MC Ausgang, v.a. wenn du PWM machst. Ergo nimmst du entweder einen Darlington Transistor oder einen Schalt-Transistor mit hohre hfe oder einen FET mit geringer Gate-Kapazität (irgend ein logic level type, denn du hast 5 oder gar nur 3.3V am Gate). dall schrieb: > Ist für meinen Anwendungsfall nicht sogar ein Darlington schlechter als > ein normaler Transistor, weil bedingt durch die zwei Transistoren auch > die Verlustleistung viel höher ist? Für LEDs und PWM im Kilohertz Bereich imo zu vernachlässigen. Ausserdem - der erste Transistor befeuert nur den zweiten, da haste fast keine Verlustleistung.
Snow Board schrieb: > dall schrieb: >> Ist für meinen Anwendungsfall nicht sogar ein Darlington schlechter als >> ein normaler Transistor, weil bedingt durch die zwei Transistoren auch >> die Verlustleistung viel höher ist? > > Für LEDs und PWM im Kilohertz Bereich imo zu vernachlässigen. Ausserdem > - der erste Transistor befeuert nur den zweiten, da haste fast keine > Verlustleistung. Das kann man so nicht stehen lassen, da ein Darlington eine deutlich höhere Sättigungsspannung hat. Da hat "dall" völlig recht. Gruß Dietrich
dall schrieb: > Ist für meinen Anwendungsfall nicht sogar ein Darlington schlechter als > ein normaler Transistor, weil bedingt durch die zwei Transistoren auch > die Verlustleistung viel höher ist? Grundlagen! Ohmsches Gesetz, Leistungsberechnung. dall schrieb: > Ok, aber Mosfets sind auch viel teurer. Du liest auch nicht die Links, die man dir gibt. Z.B. der IRLML2502 gibts bei Kessler ab 19ct, ab 10 Stch 17ct.
Für den BC517 Vce(sat) ist das was ich für die Verlustleistung brauche oder? bei 400mA macht das dann 0,4A *1 V= 0,4 Watt Verlustleistung Max Rating liegt bei 0,625 Watt, also alles noch im Rahmen. Jetzt müsste ich noch ausrechnen wie hoch sich das ganze bei 0,4 W aufheizt, oder? Wenn das jetzt bei z.B. bei 50°C + Ambi liegt, dann kann ich doch genauso gut den Darlington nehmen. Der einzige Vorteil des Mos in dem Fall wäre die geringere Erwärmung, oder? Ich hab mir doch den Link angeschaut, den IRLML2502 gab es aber nicht bei ebay...und normal hat man sonst überall 7€ o.ä. Versandkosten, das ist mir zu teuer. Ich habe bei allen Mos aus dem Link geschaut, ob es die zu vertretbarem Preis bei ebay gibt, aber nichts gefunden, ansonsten mit Preisen von 70cent+. Bei Kessler scheines es 3,5€ Versand zu sein, mal schauen ob es sich vielleicht doch irgendwie lohnen könnte. Gruß
dall schrieb: > Ich hab mir doch den Link angeschaut, den IRLML2502 gab es aber nicht > bei ebay...und normal hat man sonst überall 7€ o.ä. Versandkosten, das > ist mir zu teuer Dann nimm besser deinen Transistor. Ist kein smd. Nicht daß ich dann noch Schuld sein soll, wenn du die mosfets himmelst. dall schrieb: > Wenn das jetzt bei z.B. bei 50°C + Ambi liegt Lesen hilft: Wenn du auf den Datenblattlink, der sich hinter dem BC517 verbirgt, klickst, findest du das Datenblatt. Und dort zum Beispiel die Angabe "Thermal resistance Junction to Ambient: 200 K/W. Bei 0,4W musst du also davon ausgehen daß der Transistor im Inneren 80K wärmer ist als die Umgebungsluft, falls er so eingebaut ist, daß die Luft frei zirkulieren kann.
>Jetzt müsste ich noch ausrechnen wie hoch sich das ganze bei 0,4 W >aufheizt, oder das impliziert ja wohl das ich erstmal schauen muss wie man das ausrechnet, ich wette das nicht jedem auch mit guten Englischkenntnissen sofort klar sein wird was "Thermal resistance Junction to Ambient" bedeutet...da würde ich mich über einen etwas netteren Ton freuen. Ok, das mit den 80°C ist dann doch schon etwas viel, ansonsten müsste ich wohl was mit TO220 nehmen, da sieht der Wert deutlich besser aus. Werd mal versuchen noch andere Sachen zu finden damit es sich lohnt bei Kessler einzukaufen. Vielen Dank.
>Bipolartransistoren haben immer einen Spannungsabfall von 0,2 bis 0,4V.
Das ist leider nicht korrekt. Man kann einen Bipolartransistor auf 50mV
runter saettigen.
>Dann nimm besser deinen Transistor. Ist kein smd. Nicht daß ich dann >noch Schuld sein soll, wenn du die mosfets himmelst. Meinst du weil ich die beim smd Löten überhitzen könnte? Also beim Mosfet kommt das Gate dann an den uC pwm Ausgang und dazwischen 100 Ohm Widerstand. Ansonsten die gleiche Schaltung wie beim Transistor oder? -Vor Drain die Led mit Vorwiderstand, Source an GND Hab noch nie einen Mosfet benutzt, deswegen das ständige nachgefrage ob vielleicht doch ein bjt besser wäre. Aber will jetzt in jedem Fall einen Mos benutzen. Gruß
dall schrieb: > Also beim Mosfet kommt das Gate dann an den uC pwm Ausgang und > dazwischen 100 Ohm Widerstand. Ansonsten die gleiche Schaltung wie beim > Transistor oder? -Vor Drain die Led mit Vorwiderstand, Source an GND Ja. Wobei der 100 Ohm Widerstand ein "Angstwiderstand" ist. Er ist nicht unbedingt nötig, schadet aber auch nicht (eine "Glaubensfrage"). Nicht schlecht wäre auch noch ein 100k zwischen Gate und GND. Der stellt sicher, dass der FET während der Initialisierung des µC gesperrt ist (üblicherweise sind die Portpins nach Einschalten Eingänge, d.h. hochohmig). Wenn Dir das egal ist (ev. kurzes Aufblitzen der Leds), brauchst Du sie nicht. Gruß Dietrich
Vielen Dank Dietrich. Hast du vielleicht noch eine Quelle oder ein paar Stichworte für mich damit ich mir das nochmal bestätigen kann, das man den "Angstwiderstand" nicht braucht. Wenn möglich würde ich natürlich auf alles unnötige verzichten :-) Auf den 100K kann ich auch verzichten, wenn der einzige Effekt das Aufblitzen ist. Kann man ja auch als Feature sehen ;-) Gruß
Der IRLML2502 hat eine Eingangskapazität von 700pF. So etwas würdest du sonst auch nie an deine Port-Pins hängen, weil das große Stromspitzen beim Umschalten gibt. Mach da 220Ohm rein und es wird gut. Vergiss alle gegenteiligen Ratschläge an dieser Stelle.
ok, danke schön. Habe auch selber gerade nochmal gelesen das man dies unbedingt machen sollte, damit nicht im schlimmsten fall der uC outputpin überlastet wird.
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