Forum: Mikrocontroller und Digitale Elektronik PWM mit Transistor KSQ


von Lukas (Gast)


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Hey,

ich habe vor 3*5 rote High Power LEDs (also 3 mal 5 in Serie, a 350mA) 
an einem Atmega mit dieser einfachen KSQ zu betreiben:
http://www.ledhilfe.de/viewtopic.php?f=31&t=7920
Statt dem T2 würde ich allerdings wie weiter unten empfohlen ein MOSFET 
nehmen (empfohlen wird der IRLZ34N) Und statt an die Versorgungsspannung 
würde ich den R1 (bei mir ca. 100 Ohm) an den PWM pin vom Atmega 
anschließen. Nun wären das aber 3 solche MOSFETS an einem Pin, der ja 
nominell nur 20 mA liefern kann, da mache ich mir aus zwei Günden ein 
wenig Sorgen:
1. Kann der Atmega mit der Gate-Kapazität von den Mosfets klar kommen, 
die also schnell genug umladen? Also nich dass meine halbe High-Phase 
schon vorbei ist bis das FET endlich durchschaltet...Und bei 5V (vom 
Atmega) / 100 Ohm = 50mA * 3, ist der ja eigentlich auch schon im 
Kurzschlussbereich...
2. Kann das sein, das die ganze Schose mir dann anfängt zu schwingen? 
Also, dass sich der MOSFET wegen der geringen Leistung des Atmega nich 
schnell genug "nachjustieren" kann?
Einen MOSFET treiber würde ich ungern noch zusätlich verwenden, da das 
die ganze Sache ziemlich verkomplizieren würde...
Wäre es da dann vielleicht besser auf einen starken Transistor 
umzusteigen? Da hab ich dann aber keinen gefunden, der die geschätzten 
3W Verlustleistung (19V Betriebsspannung - 5*2,4V an den LEDs  @350mA) 
abkann, bzw. war ich mir bei denen in den Datenblättern nich mehr so 
sicher ob die wirklich halbwegs genau bei 0,7V aufmachen, weil ich das 
da nirgend gefunden hab...

von Axel S. (a-za-z0-9)


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Lukas schrieb:

> ich habe vor 3*5 rote High Power LEDs (also 3 mal 5 in Serie, a 350mA)
> an einem Atmega mit dieser einfachen KSQ zu betreiben:
> http://www.ledhilfe.de/viewtopic.php?f=31&t=7920

OK.

> Statt dem T2 würde ich allerdings wie weiter unten empfohlen ein MOSFET
> nehmen (empfohlen wird der IRLZ34N)

Welchen Vorteil glaubst du durch den MOSFET zu haben?

> Und statt an die Versorgungsspannung
> würde ich den R1 (bei mir ca. 100 Ohm) an den PWM pin vom Atmega
> anschließen. Nun wären das aber 3 solche MOSFETS an einem Pin, der ja
> nominell nur 20 mA liefern kann, da mache ich mir aus zwei Günden ein
> wenig Sorgen:
> 1. Kann der Atmega mit der Gate-Kapazität von den Mosfets klar kommen,
> die also schnell genug umladen? Also nich dass meine halbe High-Phase
> schon vorbei ist bis das FET endlich durchschaltet...Und bei 5V (vom
> Atmega) / 100 Ohm = 50mA * 3, ist der ja eigentlich auch schon im
> Kurzschlussbereich...

Rechne es doch aus. Der IRLZ34N hat eine Gate-Kapazität von 880pF. Mit 
100R ergibt das \tau von ~100ns. Da du das Gate nur auf ca. 2.4V 
(Datenblatt: Typical Transfer Characteristics Vgs für 350mA) + 0.7V 
(über R2) aufladen mußt, reicht 1 \tau für die Schaltzeit. Da bist du 
weit im grünen Bereich. Eine lineare 10-bit PWM bei 100Hz hätte 10µs als 
kürzeste Impulslänge.

Im statischen Fall müßte der ATmega (5V - 2.4V - 0.7V) / 100R ~= 20mA 
liefern (den Strom leitet T1 nach GND ab). In der Tat wäre das mal 3 an 
einem Pin etwas grenzwertig. Du kannst aber problemlos auf z.B. 470R 
gehen. Dann paßt es wieder.

> 2. Kann das sein, das die ganze Schose mir dann anfängt zu schwingen?
> Also, dass sich der MOSFET wegen der geringen Leistung des Atmega nich
> schnell genug "nachjustieren" kann?

Nein.

> Wäre es da dann vielleicht besser auf einen starken Transistor
> umzusteigen? Da hab ich dann aber keinen gefunden, der die geschätzten
> 3W Verlustleistung (19V Betriebsspannung - 5*2,4V an den LEDs  @350mA)
> abkann

Ich komme nur auf 2.3 W. (19 - 5*2.4 - 0.7)V * 350mA

Ein wenig Kühlung wird da schon nötig sein. Allerdings hast du ca. 6V zu 
verheizen. Da kannst du genausogut noch einen Widerstand in Reihe zu den 
LEDs packen und einen Teil der Spannung an dem verheizen.

> bzw. war ich mir bei denen in den Datenblättern nich mehr so
> sicher ob die wirklich halbwegs genau bei 0,7V aufmachen, weil ich das
> da nirgend gefunden hab...

Die BE-Strecke ist im wesentlichen eine Diode, da verläuft die 
Strom/Spannungs-Kurve recht steil. Und Transistoren sind nun mal 
stromgesteuert.

Bei nur 350mA würde ich an dieser Stelle einen Bipolartransistor 
einsetzen. Ich verwende für Einzel-LED und 5V Versorgung den 2SD1802. 
Den habe ich mal in größeren Mengen von alten Mainboards abgelötet. Als 
Basiswiderstand reicht dem 1k.

Beitrag "noch ein AVR Moodlight"


XL

von Lukas (Gast)


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Hey,

vielen Dank für die ausführliche Antwort!
Ein Transistor gefällt meinem Bauchgefühl auch besser...
Ich hab mir mal bei Reichelt den hier rausgeguckt (deinen hab ich da 
nich gefunden):
http://www.reichelt.de/BD-Transistoren/BD-237/3/index.html?;ACTION=3;LA=2;ARTICLE=5122;GROUPID=2882;artnr=BD+237;SID=10USJmr38AAAIAAEAdgwccbffb4b0f0af2824df17f834e56ec9e4
Allerdings steht da im Datenblatt als Basis-Emitter Spannung max 1.3V, 
kann das denn sein?
Den Pin von dem Atmega würde ich dann evtl. doch nochmal mit einem 
kleinen Transistor verstärken, je nach dem, was dieser hier dann in der 
Realität für einen hfe hat (also wenn es wirklich nur die 25-40 sind)...

So wie ich das sehe ist das Gehäuse komplett aus Plastik, also sollte 
ich das doch ohne weitere Isolierung an den Kühlkörper schrauben können, 
oder kommt da an den kleinen Kanten das Metall raus?

liebe Grüße,
Lukas

von Michael (Gast)


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Lukas schrieb:
> Allerdings steht da im Datenblatt als Basis-Emitter Spannung max 1.3V,
> kann das denn sein?

Bei 5 * 10^0 A Kollektorstrom, ja.

von Axel S. (a-za-z0-9)


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Lukas schrieb:

> vielen Dank für die ausführliche Antwort!
> Ein Transistor gefällt meinem Bauchgefühl auch besser...
> Ich hab mir mal bei Reichelt den hier rausgeguckt

> BD-237

Genau wie Dioden sollte man Transistoren spannungsmäßig nicht 
überdimensionieren, weil i.d.R. die anderen Kennwerte bei höherer 
Spannungsfestigkeit schlechter werden.

Wenn, dann also eher einen BD233. Allerdings haben die eine recht magere 
Stromverstärkung. BD435 sieht vom Datenblatt her besser aus und kostet 
kaum mehr. 2SD882 kostet sogar weniger und ist nach dem Datenblatt noch 
besser.

[Wie bin ich drauf gekommen: bei Reichelt eine nach dem Gefühl passende 
Gruppe gewählt (z.B. Japan-Transistoren, 2SD) und dann Filter auf "npn" 
und "TO-126" gestellt. Da bleiben dann nur noch wenige Kandidaten übrig, 
deren Daten(blätter) man schnell vergleichen kann]

> Allerdings steht da im Datenblatt als Basis-Emitter Spannung max 1.3V,
> kann das denn sein?

Das ist der maximum worst case. Komischerweise steht der Basisstrom 
nicht dabei, für den das gelten soll. Aber da kommst du bei weitem nicht 
hin.

> Den Pin von dem Atmega würde ich dann evtl. doch nochmal mit einem
> kleinen Transistor verstärken, je nach dem, was dieser hier dann in der
> Realität für einen hfe hat (also wenn es wirklich nur die 25-40 sind)...

Nimm lieber einen Transistor mit höherer Verstärkung. B=100 bei 350mA 
ist heutzutage wirklich nichts besonderes mehr.

> So wie ich das sehe ist das Gehäuse komplett aus Plastik, also sollte
> ich das doch ohne weitere Isolierung an den Kühlkörper schrauben können,
> oder kommt da an den kleinen Kanten das Metall raus?

Alle oben genannten sind im TO-126. Da ist auf der Rückseite eine 
Metallfläche rund um das Loch. Isolierung ist also Pflicht.


XL

von Lukas (Gast)


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Hey,
nochmal vielen lieben Dank für die Hilfe!
Bei den Japan Transistoren hatte ich gar nicht geschaut, weil ich dachte 
dass das schon wieder ne andere Gattung ist...
Ich werde dann jetzt den 2SD882 nehmen, laut dem Graphen ist der hfe bei 
ca. 0,35 - 0,5 A sogar maximal, und wenn der bei 1A mit 60 angegeben ist 
(obwohl der Graph überall über 100 ist...) sollte das ja langen.

Mit der Sorge bei der Basis-Emitter Spannung hatte ich mich auch vertan, 
da ist es ja nur bei dem "Abregeltransistor" der die Spannung über dem 
shunt "auswertet" wichtig, dass die relativ genau bei 0,7V liegt..

Zum Isolieren bestelle ich mit dann einfach noch ein paar 
Glimmer-plätchen mit, das ist ja schon echt merkwürdig, dass man beim 
TO-220 die Metallplatte so erkennt, und da nich...

Eine kurze letzte Frage hätte ich noch: wäre es vllt sinvoll als shunt 
einen poti zu nehmen, sodass man sich seinen Strom wirklich genau 
einstellen kann, oder variiert deren Kennlinie mit der Temperatur (die 
sich ja vermutlich deutlich ändern wird) zu stark?

von Ulrich (Gast)


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Ein Poti für den Shunt ist eher nicht zu empfehlen. Für 350 mA sind das 
nur etwa 2 Ohm als Shunt. In dem Bereich gibt es kaum noch Potis, weil 
da schon der Kontaktwiderstand des Schleifers eingeht. So super genau 
muss er Strom auch nicht stimmen: die LEDs werden auch 400 mA noch 
einige Zeit überleben, und auch mit 300 mA oder auch 100 mA leuchten die 
noch gut.  Auch wird der Strom von der Temperatur abhängen, weil die 
Basis-Emitterspannung mit zunehmender Temperatur um knapp 2 mV/K sinkt. 
Für den Strom sind das dann etwa -1 mA/K.
Fall es Temperaturstabil sein soll, könnte ein TL431 (ein billiger 
Shuntregler) den einen Transistor ersetzen, dann mit 2,5 V am Shunt.

Falls man doch abgleichen will, dann eher durch ein paar Widerstände 
parallel als Shunt - so kann man auch erst bei 100 mA testen und sich 
dann ans Limit ran tasten.

von Axel S. (a-za-z0-9)


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Lukas schrieb:

> Eine kurze letzte Frage hätte ich noch: wäre es vllt sinvoll als shunt
> einen poti zu nehmen, sodass man sich seinen Strom wirklich genau
> einstellen kann

Nicht bei den nominal 2 Ohm die man für 350mA braucht. Was man machen 
kann aber nicht unbedingt braucht wäre ein Poti zwischen Shunt und 
der Basis des Abregeltransistors. Man könnte den Shunt z.B. auf nominal 
1V Spannungsabfall dimensionieren und dann mit einem (ca. 100 Ohm) Poti 
trimmbar auf 0.7V runterteilen (also das Poti als Spannungsteiler und 
nicht nur als Vorwiderstand) und so den Nennstrom genau einstellen.

Aber mit 2x 1 Ohm liegt man recht genau bei 350mA. Eher knapp darunter, 
aber das ist für die LEDs nur gut. 2x 1 Ohm statt 1x 2 Ohm deswegen, 
weil leichter erhältlich. Und außerdem sind 350mA an 2R schon 245mW. Ein 
Widerstand in 0805 SMD reicht da alleine schon nicht mehr.

> oder variiert deren Kennlinie mit der Temperatur (die
> sich ja vermutlich deutlich ändern wird) zu stark?

Der Abregeltransistor hat eine Temperaturabhängigkeit von ca. -2mV/K. 
Der Strom wird also pro K Temperaturerhöhung dieses Transistors um ca. 
1mA geringer. Das sollte aber nicht dramatisch sein, zumal dieser 
Transistor ja keine nennenswerte Leistung umsetzen muß.


XL

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