Hallo, ich hätte mal eine Frage bzgl. der Berechnung von Leckströmen. Wenn ich zwei Widerstände in Reihe schalte, ist klar, dass der Widerstand insgesamt steigt und ein Strom durch diese Reihenschaltung geringer wird, als durch jeden einzelnen. Wie aber verhält es sich, wenn man zwei Transistoren in Reihe schaltet. Beide sperren. Der eine hat bis zu 1uA Leckstrom. Der andere bis zu 4uA. Ist der resultierende maximale Leckstrom nun 1uA, oder wird er kleiner als 1uA?
Falls der Leckstrom proportional zur Spannung ist, kann man ihn durch einen widerstand ersetzen und die widerstaende in Serie rechnen.
> der Leckstrom
Eine längere Zunge kann mehr lecken .-)
Ungünstig ist, daß am hochohmigeren Transistor mehr Spannung anliegen
wird. Ob er diese noch verträgt, verrät Dir das Datenblatt.
Schlimmstenfalls wirkt er "wie eine Z-Diode" bis er sich verabschiedet.
Leckstrom schrieb: > Wie aber verhält es sich, wenn man zwei Transistoren in Reihe schaltet. > Beide sperren. Der eine hat bis zu 1uA Leckstrom. Der andere bis zu 4uA. Ist das nicht etwas viel?
Michael_ schrieb: > Ist das nicht etwas viel? Ach, Du kennst die Transistoren und Arbeitsumgebung? Oder was willst Du uns damit sagen?
Dietrich L. schrieb: > Oder was willst Du uns damit sagen? Wahrscheinlich wieder eine Schulaufgabe? Von nA bis mA hängt ganz vom Typ ab. Deshalb Auge ins konkrete Datenblatt!
Ganz sicher ist, dass der Leckstrom sinkt, unter die 1uA. Ich kann dir keine genaue Antwort geben. Ich hätte einfach auf Basis des Stroms und der anliegenden Spannung den 'Widerstand' berechnet, in Reihe geschalten und darauß den Gesamtleckstrom errechnet. Ganz so einfach wird man es sich aber vermutlich nicht machen dürfen: http://www.princeton.edu/~sturmlab/pdfs/publications/JP.55.TED.1995.pdf Ist zwar kein Bipolartransistor, sondern ein TFT, aber immerhin zeigt es die Probleme vielleicht auf. Nach denen hat sich, bei zwei identischen TFTs in Reihe, der Leckstrom um das 18-Fache reduziert. Also falls du es genau wissen musst, dann messe es experimentell durch. Dazu wirst du vermutlich nicht das geeignete Strommessgerät haben, daher macht man das über die Entladezeit eines dickeren Kondensators. Aufladen und bis einer bestimmten Spannung entladen. Einmal ohne Transistor um Leckstrom des Spannung-Messgeräts und Kondensators zu messen, einmal mit jeweils den einzelnen Transistoren, und dann noch einmal mit beiden Transistoren in Reihe.
Dietrich L. schrieb: > Ach, Du kennst die Transistoren und Arbeitsumgebung? Oder was willst Du > uns damit sagen? Transistoren im Allgemeinen kenne ich genug. Mit diesem Reststrom kann es sich entweder um GE-Transis oder um Leistungstransistoren handeln. Und der CE-Reststrom ist an bestimmte Parameter gebunden. Und welche Schaltung soll das sein, wo zwei CE-Strecken in Reihe geschaltet sein, und das nicht durch einen realisierbar sein. Leckstrom schrieb: > Ist der resultierende maximale Leckstrom nun 1uA, oder wird er kleiner > als 1uA? Na, das könntest du doch leicht selbst mit dem Idiotendreieck (U/RxI) berechnen. Natürlich wird er kleiner als deine 1µA sein. Ist doch logisch!
> Und welche Schaltung soll das sein, wo zwei CE-Strecken in Reihe > geschaltet sein, und das nicht durch einen realisierbar sein. z.B. eine Schaltung, wo die Spannungsfestigkeit EINES Transistors noch nicht ausreichte (war keine Ideal-Lösung).
So waren z.B. auch diskrete UND-Gatter konstruiert.
oszi40 schrieb: > z.B. eine Schaltung, wo die Spannungsfestigkeit EINES Transistors noch > nicht ausreichte (war keine Ideal-Lösung). Dann bring mal locker ein Beispiel, aber nicht von 1965! Inetwa schrieb: > So waren z.B. auch diskrete UND-Gatter konstruiert. Die entsprechenden Schalttransistoren hatten sicher Leckströme im nA-Bereich und wurden ausgesucht oder auf einen Chip hergestellt.
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