NAND-Flash: P/E cycles und Data Retention

[Peter (Gast)]

Hallo,

ich beschäftige mich z.Z. etwas mit NAND-Flash und habe eine 
Verständnisfrage. Im Datenblatt finde ich eine Angabe von 100k 
Programm/Erase Cycles.

>>> Bedeutet dies, dass jeder Block eines NAND-Flashs 100k mal gelöscht und 
pogrammiert werden darf oder das bezieht sich die Angabe auf das gesamte Device - 
sprich 100K geteilt durch die Anzahl der Blöcke, damit ich weiß, wie oft eine 
Block gelöscht und programmiert werden kann ?

Die JEDEC Spezifikation beschreibt einen Zusammenhang zwischen der Data 
Retention und der Anzahl von P/E cycles. Dort gibt es eine 10% und eine 
100% Angabe:

10 years for 10% cycled blocks
1 year for 100% cycled blocks

>>> Was genau sagt mir dies dies und bezieht sich dies wieder auf die P/E cycles 
eines Blocks oder auf die P/E cycles des gesamten Devices ?

Danke für die Hilfe

[Peter (Gast)]

keine Antworten ???? Schade...aber kommen vielleicht noch.

Gleiches sollte glaub ich auch für NOR-Flash gelten (nur sind hier die 
Werte besser)

[(prx) A. K. (prx)]

Peter schrieb:
> Bedeutet dies, dass jeder Block eines NAND-Flashs 100k mal gelöscht und
> pogrammiert werden darf

Ja, pro Block, bei beiden Fragen. Andernfalls wären SSDs mit ihren 3000 
P/E Zyklen aber Gigabytes Kapazität bereits nach der Erstinstallation 
des Betriebssystems ein Fall für den Sondermüll.

Technisch verstanden kann man da m.E. auch selber drauf kommen. Immerhin 
geht es um die Fähigkeit der einzelne Zelle, Ladungen zu speichern. 
Somit muss sich das bei NAND-Flash auf die Blöcke beziehen.