Hallo, defekte Transistoren (PNP/NPN) im Steckbrett habe mir bereits viele Stunden Zeit gekostet beim Prototyping. Daher folgende Frage: Was ist die häufigste Todesursache für ein Transistor? Also welchen Saft niemals auf welchen Pin legen? Keiner der defekten Transistoren wurde jemals warm oder hat komisch gerochen ;) Aber halt viel rumgefummelt. Welche Verpolung führt zum Tod? Wenn man einen Transistor messen will, muss man "eigentlich" recht viele Dingen messen. Welche Messungen machen am meisten Sinn? (Bezeogen auf die häufigste bzw. am warhrscheinlichste Todesursache). Spannungen werden nur im Bereich 3.3-5V genutzt. Der Ampere-Bereich wird niemals betreten (<100mA). Die gleiche Frage hätte ich dann übrigens auch für MOSFETs (N/P). Dabei ist mir übrigens noch keiner kaputt gegangen, selber einer, welcher so heiß wurde (innerhalb von Sekunden, bei nur 5V), dass sich schon Blasen gebildet haben, die Wärmeableitfläche ist ja mit Lötzinn überzogen von Werk aus. (keine Ahnung was mir das passiert ist, war auf jedenfall eine heiße Angelegenheit). Sind MOSFETs generell etwas robuster? Sind ja auch verdammt groß, die Dinger. (TO-220 Gehäuse). Lieben Gruß, Sebastian
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Hallo, schau einfach mal in das Datenblatt des jeweils interessierenden Bauteils (Beispiel in Anlage). Dort sind die absoluten Grenzen (Überschreiten hat fast sicher Defekt zur Folge) angegeben. Ansonsten helfen Vorsichtsmaßnahmen wie z.B. "Dummheitsdioden" als Verpolungsschutz, Basisvorwiderständen, antiparallel geschaltete (Z-) Dioden an Signaleingängen, strombegrenzende Widerstände, Sicherungen wie z.B. Strombegrenzungen, Spannungsregler usw. mfg Ottmar
Sebastian Loncar schrieb: > Wenn man einen Transistor messen will, muss man "eigentlich" recht viele > Dingen messen. Welche Messungen machen am meisten Sinn? Die, ob er noch geht: beim npn wird die Plus-Strippe vom Ohmmeter mit Daumen und Zeigefinger der einen Hand an den C gehalten, die Minus-Strippe mit den gleichen fingern der anderen Hand an den E, dann nimmt man den Mittelfinger der C-Hand und hält den an die offene Basis. Wenn sich dann der CE-Widerstand verringert, dann ist der Transistor noch ganz. Einfacher und weniger akrobatisch geht es mit einem Messgerät, das einen hfe-Tester (Transistortester) hat... ;-) > Was ist die häufigste Todesursache für ein Transistor? Also welchen Saft > niemals auf welchen Pin legen? Überstrom. Meist auf der Basis wegen eines fehlenden Basiswiderstands. So z.B. wie deine zweite Schaltung im Beitrag "Auswahl P-MOSFET für 3.3V Pegel"
Meiner Erfahrung nach ist die empfindlichste 'Ecke' bei Transistoren die BE Strecke (das ist die, die am leichtesten durchbricht und auch als Zenerdiode missbraucht werden kann). Bei Überstrom an der Basis fackelt die schnell mal ab. Der 'nasse Finger Test', den Lothar schon beschrieben hat, ist tatsächlich eine Supermethode, mit einiger Erfahrung kannst du sogar was über die Stromverstärkung des Transis herausfinden. Leistungstransistoren sind bei der Methode nicht ganz so deutlich einzuordnen, dann hilft es, den Finger zum Brücken von Basis und Kollektor leicht anzufeuchten. Sebastian Loncar schrieb: > Sind MOSFETs generell etwas robuster? Sind ja auch > verdammt groß, die Dinger. Das Prinzip ist etwas anders, bei MOSFets ist die Gate ja isoliert, es kann normalerweise kein Strom fliessen, es sind reine Spannungsverstärker (vom Gateladestrom mal abgesehen) MOSfets gehen dann kaputt, wenn die Drain-Source Strecke überlastet wird oder wenn du per Hochspannung die Isolation zwischen Gate und der DS Strecke killst. Auch MOSFets lassen sich mit der 'nassen Finger Methode' testen. Hier musst du nur beachten, das die meisten MOSFets speichern, also nasser Finger zwischen Drain und Gate lädt Gate auf -> Fet steuert von Drain nach Source durch. Nasser Finger zwischen Gate und Source entlädt das Gate -> MOSFet sperrt wieder. Das Ohmmeter immer so anschliessen, das der FET richtig rum ist, also bei einem N-Kanal plus an Drain und minus an Source.
Matthias Sch. schrieb: > oder wenn du per Hochspannung die Isolation zwischen Gate und der DS > Strecke killst. "Hochspannung" heißt in diesem Zusammenhang oft: >20V (i.W. zwanzig)
Wolfgang schrieb: > "Hochspannung" heißt in diesem Zusammenhang oft: >20V Oder auch nur Teppichboden, Anfassen und Zusammenzucken... :-/ Matthias Sch. schrieb: > Das Ohmmeter immer so anschliessen, das der FET richtig rum ist, also > bei einem N-Kanal plus an Drain und minus an Source. In der "falschen" Richtung kann man dann gleich das Vorhandensein der Bodydiode kontrollieren. Denn in eine Richtung muss der gemeine Mosfet immer leiten...
Lothar Miller schrieb: > Denn in eine Richtung muss der gemeine Mosfet immer leiten... Ja, das finde ich auch eine richtige Gemeinheit. :-) Gruss Harald
Sebastian Loncar schrieb: > Sind ja auch verdammt groß, die Dinger. (TO-220 Gehäuse). Ja, so groß wie TO-220 ;-)) Aber es gibt auch kleine MOSFETs. Gruß Dietrich
Sebastian Loncar schrieb: > häufigste Todesursache für ein Transistor Kommt ganz darauf an wooo er ist: -an Eingang Basistod -am Ausgang Leistungstod -verdreht eingebaut: Dummheitstod -Hitzetod durch Überlastung/fehlende Kühlung -in den Tropen Rost der Beine -ungünstiger Einbau: Beinbruch
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