Hallo, ich wollte mir eine H-Brücke bauen mit 4 IRFZ48N. Leider ist mein Motor nicht mal angelaufen. Daraufhin habe ich ein wenig mit meinem MOSFET experimentiert und festgestellt, dass die "Position" des Verbrauchers am MOSFET einen gewaltigen Unterschied macht. Ich verstehe aber leider nicht wieso. Ich habe eine Skizze von meinem Versuchsaufbau angehängt. Als Spannungsversorgung verwende ich ein Labornetzteil, begrenzt auf 5A, eingestellt auf 8V. Als Verbraucher verwende ich einen 220Ohm Widerstand. - Wenn ich den Widerstand an der Stelle "Pos-Vor" platziere, messe ich 35mA und 7,9V. Wie erwartet. - Wenn ich den Widerstand an der Stelle "Pos-Nach" platziere messe ich 1V und 5mA. Das scheint mehr sehr wenig zu sein. Mein Problem ist jetzt aber, dass ich bei einer H-Brücke ja immer einen Verbraucher "Nach" dem MOSFET platzieren muss. Kann mir jemand erklären wo mein Denkfehler ist? Vielen Dank schonmal Harri E
Such mal nach den Begriffen Low-Side bzw. High-Side Schalter.
> Ich verstehe aber leider nicht wieso.
Och Kinders, lest ihr eigentlich keine Bücher mehr ?
Ob der MOSFET leitet oder sperrt hängt nicht von der Spannung am Gate
ab, sondern von der Spannung am Gate IN BEZUG ZUM SOURCE.
Und die ist, wenn dein Motor unten ist, eben nicht 0V.
MaWin schrieb: >> Ich verstehe aber leider nicht wieso. > > Och Kinders, lest ihr eigentlich keine Bücher mehr ? > > Ob der MOSFET leitet oder sperrt hängt nicht von der Spannung am Gate > ab, sondern von der Spannung am Gate IN BEZUG ZUM SOURCE. > > Und die ist, wenn dein Motor unten ist, eben nicht 0V. OK, hab ich prinzipiell verstanden. Es kommt darauf an, welche Spannung zwischen Gate und Source liegt. Heisst das jetzt, dass in meiner Skizze eine Spannung an dem Widerstand anliegt? Warum? Weil der MOSFET erstmal schaltet, damit leitet und dadurch eine Spannung zwischen Drain und Source anliegt? Kann man dann also mit 4 NFETs gar kein H-Brücke bauen?
Harri E. schrieb: > Kann man dann also mit 4 NFETs gar kein H-Brücke bauen? Doch, mit einem Highside Treiber oder du musst mit einer höheren Spannung schalten.
> Kann man dann also mit 4 NFETs gar kein H-Brücke bauen?
Kann man, wird auch oft wegen der besseren Eigenschaften der NFETs
gemacht obwohl der Aufwand höher ist denn dazu muss man an das Gate der
oberen MOSFETs 10V mehr anschliessen als die Versorgungsspannung
beträgt.
MaWin schrieb: > Och Kinders, lest ihr eigentlich keine Bücher mehr ? Nee! Wir haben doch dich!;-) Spaß beiseite. Manchmal schießt man schnell eine Frage raus, weil die gerade auf der Zunge oder besser, auf der Tastatur lag und stellt natürlich erst nach den einprasselnden Links fest, dass man die hätte auch selbst finden können. Aber das mit den 10 Volt mehr, das ist interessant. Mit den H-Brücken hab ich mich noch nicht so sehr beschäftigt (kommt noch), da ist so was immer wertvoll. Danke für diese einfachen Erklärungen.
Harri E. schrieb: > Kann mir jemand erklären wo mein Denkfehler ist? Hat deine Signalquelle irgendeine Verbindung zum Gnd der Last. Ohne wird das nix.
Es hat schon einen Grund warum das Ugs (gate source) und nicht Ugg (gate ground) heisst. MaWin hat schon recht. Heute bastelt viele einfach los ohne auch mal nur die Grundlagen verstehen zu wollen.
Udo Schmitt schrieb: > Es hat schon einen Grund warum das Ugs (gate source) und nicht Ugg (gate > ground) heisst. > MaWin hat schon recht. Heute bastelt viele einfach los ohne auch mal nur > die Grundlagen verstehen zu wollen. Ihr habt sicher beide recht und ich handle auch zumeist so, aber ich verstehe auch die andere Seite sehr gut. Es ist sehr zeitintensiv und manchmal braucht man mehr als nur ein Buch zum Thema, um es zu verstehen oder das Buch wirft völlig neue Fragen auf und man muss noch einen Schritt weiter zurück gehen. So entfernt man sich immer mehr von dem eigentlichen Ziel. Da Zeit ein sehr knappes Gut in unserer arbeitenden Erwachsenenwelt geworden ist, kann ich den Wunsch die Abkürzung übers Forum sehr gut verstehen. Manchmal denkt man aber einfach, "Ach ja, klar!", um dann erst festzustellen, dass man doch noch Lücken füllen muss.
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