Hallöle, kennt jemand einen MOSFET-Treiber (Steuerspannung Treiber-in 3,3V; Versorgungsspannung 12V), welcher keine ultraschnellen Schaltvorgänge erzeugt? Ideal mehrere Treiber in einem IC. Mein Problem sind momentan die hohen Spannungsspitzen beim An- und Abschalten der Leistungsmosfets, welche derzeit mit den Treibern "MC34152" angesteuert werden. Diese schalten im Nanosekundenbereich. Mit einem Tiefpass vor dem Gate, der die Zeit auf ca. 1µs verlängert, wäre alles wunderbar. Die Verlustleistung im Mosfet ist sekundär! Es ist nun die Frage, ob ich jedem Gate so einen Tiefpaß spendiere (es sind etliche Mosfets auf einer Baugruppe) oder ob es einen langsameren Treiber gibt mit Schaltzeiten im unteren µs-Bereich? Hat da jemand einen Tip?
Eigentlich packt man doch sowieso fast immer einen Widerstand in die Gateleitung. Meist so im Bereich 10 - 100 Ohm.
jo, einfach widerstand davor und der bildet mit der gate-kapzität deinen tiefpass. die größe für deine gewünschten zeiten wird also über den oben genannten werten liegen.
Danke, so werde ich es wohl machen, nachdem die Schaltzeit mächtig toleranzbehaftet sein kann (0,5µs..3µs), so dass Toleranzen der Gatekapazität und die Temperaturabhängigkeit nicht stören.
Rübezahl schrieb: > so dass Toleranzen der > Gatekapazität und die Temperaturabhängigkeit nicht stören. Einfacher Trick: zusätzliche Kapazität >> Gatekapazität vor das Gate, dann ist eher nur noch die Toleranz vom externen Kondensator entscheidend.
Gregor B. schrieb: > Rübezahl schrieb: >> so dass Toleranzen der >> Gatekapazität und die Temperaturabhängigkeit nicht stören. > > Einfacher Trick: zusätzliche Kapazität >> Gatekapazität vor das Gate, > dann ist eher nur noch die Toleranz vom externen Kondensator > entscheidend. Ja, so habe ich es ja zuerst gemacht (Tiefpass, siehe erster Beitrag). Aber die Toleranz ist hier akzeptabel. Es war vor allem die Frage, ob es einen Treiber gibt, der bereits slewrate-begrenzt ist, damit ich mir zusätzliche Bauteile spare.
Allenfalls kann man noch eine kuenstliche Miller Kapazitaet einfuegen, die wirkt auch daempfend.
Gregor B. schrieb: > Einfacher Trick: zusätzliche Kapazität >> Gatekapazität vor das Gate, > dann ist eher nur noch die Toleranz vom externen Kondensator > entscheidend. Gelegentlich macht man zur Flankenabschwächung sogar ganz bewußt ein RC-Glied als Tiefpaß vor den Transistor. Hochspannungserzeugung an einer Zündspule beispielsweise, wenn man keinen Transistor mit 1,7kV hat, sondern nur einen mit 300V. Unter Umständen wird damit sogar die Freilaufdiode an einem geschalteten Relais gespart, aber das ist nur theoretisch, weil die Diode robuster und billiger ist als ein RC-Glied, und die Abfallverzögerung keine Rolle spielt, wenn man heute ein Relais verwendet.
Siebzehn oder Fuenfzehn schrieb: > Allenfalls kann man noch eine kuenstliche Miller Kapazitaet einfuegen, > die wirkt auch daempfend. Ich schalte Gleichspannungen >200V, da wären solche C's unnötig groß. Dann schon einfacher nur mit R und Gate-C oder eben RC. Wilhelm Ferkes schrieb: > Gelegentlich macht man zur Flankenabschwächung sogar ganz bewußt ein > RC-Glied als Tiefpaß vor den Transistor. Ja, wie ich in meinem ersten Beitrag schon geschrieben habe, habe ich einen Tiefpaß benützt. Der ist im einfachsten Fall ein RC-Glied... Ich bleibe also bei meiner bsiherigen Lösung mit zusätzlicher Verzögerung das Gatesignals, da offenbar niemand eine integrierte Treiberlösung mit langsamer SlewRate kennt (zu langsam darf sie ja auch nicht sein, also Optokoppler geht auch nicht und würde wegen der LED-Widerstände auch keinen Platzgewinn bringen).
In manchen Freescale-treiber kann man sogar die Slew Rate softwaremässig einstellen.(slowest.....fastest) Man würde in diesem Fall Den Tiefpass sparen.
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