hallo, in meinem LAyout komme ich nicht drumherum einen P-MOSFET bzw. mehrere mit 24V anzusteuern. Jetzt hab ich aber keine Erfahrung mit der Ansteuerung von P-MOSFET's die im Datenblatt U_gs= 25V angeben, die ich dann aber mit 24V ansteuern möchte. Ist das zu knapp an der Grenze sodass man auf die 30V oder gar 40V ausweichen sollte? Oder kann ich die PMOS mit U_gs = 25V ruhig mit 24V ansteuern? P.S.: die 24V würden dann dauerhaft am Gate anliegen. Würde mich freuen wenn ihr eure Erfahrungen mit mir teilt. Danke im vorraus.
Ugs 25V ? kommt mir komisch vor. Normalerweise sind da 20V das Ende der Fahnenstange.Was für ein Mosfet ist denn das? Grüsse
@ Rafi Dafi (alexanderw) >in meinem LAyout komme ich nicht drumherum einen P-MOSFET bzw. mehrere >mit 24V anzusteuern. Da kommt man IMMER drum herum. Durch eine Fehlerkorrektur deiner Schaltung und des Layouts. Auf die Schnelle mit Klingeldraht. >Jetzt hab ich aber keine Erfahrung mit der Ansteuerung von P-MOSFET's >die im Datenblatt U_gs= 25V angeben, die ich dann aber mit 24V ansteuern >möchte. = Null Reserve Würde ich nur für einen Laboraufbau machen. >Oder kann ich die PMOS mit U_gs = 25V ruhig mit 24V ansteuern? >P.S.: die 24V würden dann dauerhaft am Gate anliegen. Und deine 24V sind IMMER maximal 24V? Keine Spannungsspitzen etc?
Falk Brunner schrieb: > @ Rafi Dafi (alexanderw) > >>in meinem LAyout komme ich nicht drumherum einen P-MOSFET bzw. mehrere >>mit 24V anzusteuern. > > Da kommt man IMMER drum herum. Durch eine Fehlerkorrektur deiner > Schaltung und des Layouts. Auf die Schnelle mit Klingeldraht. ja in dem man viel mehr bauteile einbaut als es sein muss und somit die Fehleranfälligkeit der ganzen Schaltung erhöht... Falk Brunner schrieb: >>Oder kann ich die PMOS mit U_gs = 25V ruhig mit 24V ansteuern? >>P.S.: die 24V würden dann dauerhaft am Gate anliegen. > > Und deine 24V sind IMMER maximal 24V? Keine Spannungsspitzen etc? Vor den Spannungsspitzen ist man ganz sicher... aber die 24V sind dauerhaft maximal 24V, sofern kein Fehlerfall auftritt.. Ich habe jetzt testweise einen P-MOSFET (DMP4051 LK3) mit 24V angestuert obwohl im Datenblatt Ugs = +-20V angegeben ist, dabei hab ich ca. 2,5A geschaltet... wie kann das sein... müsste der Fet nicht hinüber sein... bin jetzt ein bisschen verwirrt... oder hab ich nicht alles verstanden was man über MOSFET wissen sollte? P.S.: der Mosfet schaltet die 2,5A immer noch fröhlich weiter... ohne irgendeinen erkennbaren Fehler aufzuweisen
Gebhard Raich schrieb: > Ugs 25V ? kommt mir komisch vor. Normalerweise sind da 20V das Ende der > Fahnenstange.Was für ein Mosfet ist denn das? > > Grüsse FQU11P06TU z.B. gibt sogar Ugs = +-30V an...
Ok. Wenn du ins Datenblatt schaust, dann wird der Rdson ab 10V Ugs nicht mehr kleiner.Die Gates sind gegen Überspannung sehr empfindlich, es ist üblich, die Spannung dort mit einer Z-Diode(z.B. 15V) zu klemmen. Grüsse
Rafi Dafi schrieb: > Ich habe jetzt testweise einen P-MOSFET (DMP4051 LK3) mit 24V angestuert > obwohl im Datenblatt Ugs = +-20V angegeben ist, dabei hab ich ca. 2,5A > geschaltet... wie kann das sein... müsste der Fet nicht hinüber sein... > bin jetzt ein bisschen verwirrt... oder hab ich nicht alles verstanden > was man über MOSFET wissen sollte? LOL. Die Stichworte sind eher "Exemplarstreuung" und "garantierte Werte". Der Hersteller garantiert, daß alle Exemplare 20V zwischen Gate und Source vertragen, ohne dabei kaputt zu gehen. Das schließt nicht aus, daß einzelne Exemplare auch deutlich mehr vertragen. Ja, man kann sogar davon ausgehen, daß der FET im Mittel deutlich mehr verträgt als 20V. Stell dir einfach vor, du würdest MOSFETs produzieren und aus deinem Prozeß würden Teile rauskommen, deren Gate-Source Durchbruchspannung normalverteilt ist mit dem Mittelwert 26V und Standardabweichung 2V. Welchen Wert würdest du für V_gs_max in dein Datenblatt schreiben? erlaubte Hilfsmittel: http://de.wikipedia.org/wiki/Normalverteilung XL
@ Rafi Dafi (alexanderw) >ja in dem man viel mehr bauteile einbaut als es sein muss und somit die >Fehleranfälligkeit der ganzen Schaltung erhöht... ;-) Du musst es wissen. Nach dieser Logik dürfte kein PC von heute funktionieren. >Ich habe jetzt testweise einen P-MOSFET (DMP4051 LK3) mit 24V angestuert >obwohl im Datenblatt Ugs = +-20V angegeben ist, dabei hab ich ca. 2,5A >geschaltet... wie kann das sein... müsste der Fet nicht hinüber sein... Wer sagt, dass bei Überschreitung der 20V der FET SOFORT kaputt geht? Welches Auto bricht SOFORT zusammen, wenn es mit 10kg überlädt? >bin jetzt ein bisschen verwirrt... oder hab ich nicht alles verstanden >was man über MOSFET wissen sollte? Da gibt es eioniges, was du noch verstehen musst. >P.S.: der Mosfet schaltet die 2,5A immer noch fröhlich weiter... ohne >irgendeinen erkennbaren Fehler aufzuweisen Ich habe auch schon MOSFETs mit 30 oder 50V am Gate betrieben, in einer einfachen Testschaltung, der MOSFET ist nicht kaputt gegangen. Ich würde das aber NIE in einer Schaltung tun, von der ich wünsche, dass sie sicher und robust arbeitet. Verstanden?
Falk Brunner schrieb: > Wer sagt, dass bei Überschreitung der 20V der FET SOFORT kaputt geht? Denkst du, dass es eine Frage der Zeit ist? Ich schätze eher dass der FET, wenn er heute funktioniert, morgen auch noch funktioniert (bei gleichen Bedingungen) usw. Entweder das Oxid hält die Feldstärke aus oder nicht. Sobald da ein Strom drüberkommt, leitet das Oxid besser, es schlägt durch und ist hin. Oder gibt es da noch einen Effekt, der hier zu einer Alterung führt? Zur Schaltung: Du sprichst oben davon, dass die Spannung dann dauerhaft anliegt. Also gehts nur um ein und ausschalten? In so einem Fall könnte man mit einem Widerstand (einige kOhm oder mehr) + Zenerdiode die Sache schnell und einfach entschärfen. Denn Umschaltverluste sollten bei dir kaum auftreten wenn ichs richtig interpretiere? Ich würde nicht bis auf 24V gehen, wenn der FET nur 25V aushält. Ist etwas knapp dimensioniert.
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