Forum: Analoge Elektronik und Schaltungstechnik Lowest Voltage MOSFETs


von Hans (Gast)


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Hi,

ich bin auf der Suche nach Low-Voltage MOSFETs, geschaltet werden sollen 
<5V bei möglichst geringem RDSon.

Welcher Hersteller ist darauf spezialisiert? Ich finde nur MOSFETs bis 
ca Vds=30V, nichts darunter. Ist das technologisch nicht weiter 
optimierbar für kleine Spannungen? Es gibt zwar MOSFETs mit 30V und < 
1mOhm, jedoch ist mir da die Gatekapazität zu groß.

: Verschoben durch Admin
von AlexX (Gast)


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>Gatekapazität zu groß
Was brauchst Du denn ?
Gibt auch 20V Fets.

von Chris (Gast)


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Hans schrieb:
> Hi,
>
> ich bin auf der Suche nach Low-Voltage MOSFETs, geschaltet werden sollen
> <5V bei möglichst geringem RDSon.
>
> Welcher Hersteller ist darauf spezialisiert? Ich finde nur MOSFETs bis
> ca Vds=30V, nichts darunter. Ist das technologisch nicht weiter
> optimierbar für kleine Spannungen? Es gibt zwar MOSFETs mit 30V und <
> 1mOhm, jedoch ist mir da die Gatekapazität zu groß.

FDS6574A ansonsten schau mal auch bei IRF die haben auch ein gutes 
Angebot

von iTroll (Gast)


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Hans schrieb:
> ich bin auf der Suche nach Low-Voltage MOSFETs, geschaltet werden sollen
> <5V bei möglichst geringem RDSon.

Lass dir eine Sonderanfertigung machen. Die Hersteller kriegen das schon 
hin. Hast du dir überlegt, ob deine Portokasse dazu gut genug gefüllt 
ist?

von AlexX (Gast)


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von Marek N. (Gast)


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Äh, wo liegt das Problem, wenn du mit einem 250 km/h-Porsche auch mal 
durch ne Tempo-30-Zone fährst?
Ein MOSFET mit U_DS von 30 V bedeutet nur, dass er bei 30 V sperren 
kann, ohne dass ein nennenswerter Drainstrom durchleckt, typischer Weise 
ca. 250 µA.
Niemand wird dich dafür schlagen, wenn du ihn nur 5 V sperren lässt.

Gatekapazität und R_DS_on hängen in gewissem Rahmen zusammen und lassen 
sich nicht beliebig in gegensätzliche Richtungen optimieren.

Aber was willst du mit sub-Milliohm Kanalwiderstand?? Die Anschlüsse und 
die Leiterbahnen haben schon mehr.

Macht dich der glücklich? 
http://de.farnell.com/nxp/psmn0r9-25ylc/mosfet-n-ch-25v-100a-lfpak/dp/1895396

von Torsten C. (torsten_c) Benutzerseite


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Hans schrieb:
> <5V bei möglichst geringem RDSon.

http://www.reichelt.de/index.html?ACTION=3&ARTICLE=108737

17 cent und 0,04 Ohm bei 2,5V UGS

OK?

von MaWin (Gast)


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> Ich finde nur MOSFETs bis ca Vds=30V, nichts darunter.

IRF7476 mit 12V maximal und dafür 8mOhm

von Torsten C. (torsten_c) Benutzerseite


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MaWin schrieb:
> IRF7476 mit 12V maximal und dafür 8mOhm

Bei 2,5V UGS 11mOhm. Die Angabe bezieht sich auf 15A, für kleinere 
Ströme steht nix im Datenblatt. Weiss einer, wie sich MOSFETS bei 
kleineren Strömen verhalten?

Hans schrieb:
> jedoch ist mir da die Gatekapazität zu groß.

Wie groß darf sie denn sein? Spricht was gegen einen Totempfahl vor dem 
Gate?

von Falk B. (falk)


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@Torsten C. (torsten_c) Benutzerseite

>Ströme steht nix im Datenblatt. Weiss einer, wie sich MOSFETS bei
>kleineren Strömen verhalten?

Wie ein ohmscher Widerstand, halber Strom, halber Spannungsabfall.

>Wie groß darf sie denn sein? Spricht was gegen einen Totempfahl vor dem
>Gate?

Das machen doch nur die Schoschonen! HUGH

von Torsten C. (torsten_c) Benutzerseite


Angehängte Dateien:

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Falk Brunner schrieb:
> Wie ein ohmscher Widerstand, halber Strom, halber Spannungsabfall.

Ach Falk. Du hast ein Kreuz:

[x] Ich kenne das ohmsche Gesetz.

;-)

Ich meine, ob jemand weiss, wie diese Diagramme typischer weise bei 
abnehmenden Strom weiter gehen (Kringel im Bild).

von Ulrich (Gast)


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Bei kleineren Strömen geht das Diagramm mit Ron vs I mehr oder weniger 
horizontal weiter. Je kleiner der Strom, desto besser die Näherung eines 
Widerstandes. Ob es in dem Beispiel jetzt auf 6,6 oder 6,7 mOhm 
hinausläuft ist in der Regel auch ohne Bedeutung.

von Falk B. (falk)


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@Torsten C. (torsten_c) Benutzerseite

>Ich meine, ob jemand weiss, wie diese Diagramme typischer weise bei
>abnehmenden Strom weiter gehen (Kringel im Bild).

Sagte ich das nicht? R_DS_ON ist bei kleinen Stömen UND kleiner 
Drain-Source Spannung KONSTANT, wie ein normaler Widerstand. Was du im 
Diagramm siehst ist der nichtkonstante R_DSON bei großen Stömen und 
Spannungen.

von Torsten C. (torsten_c) Benutzerseite


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MaWin schrieb:
> IRF7476 mit 12V maximal und dafür 8mOhm

Cooles Teil, unter 50 cent bei TME:

http://www.tme.eu/de/details/irf7476pbf/n-kanal-transistoren-smd/international-rectifier/

Danke, MaWin, die kommen mit in meine 
Spontan-am-Wochendende-Bastel-Reserve.

Falk Brunner schrieb:
> R_DS_ON ist bei kleinen Stömen UND kleiner
> Drain-Source Spannung KONSTANT

Wenn das so gemeint war, OK, danke. Dann ist ja alles im grünen Bereich.

Hans schrieb:
> ich bin auf der Suche nach Low-Voltage MOSFETs, geschaltet werden sollen
> <5V bei möglichst geringem RDSon.

Hans, ist Dein Problem denn damit auch gelöst?

von Torsten C. (torsten_c) Benutzerseite


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Ich habe mich gerade gefragt, wie die bei den Strömen das Bonding 
machen.

Wen's interessiert, ich bin hier gelandet:

http://www.freepatentsonline.com/6593622.html

Trotzdem erstaunlich, dass die feinen Drähtchen 15 A aushalten.

von Falk B. (falk)


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@Torsten C. (torsten_c) Benutzerseite

>Trotzdem erstaunlich, dass die feinen Drähtchen 15 A aushalten.

Je dünner der Draht, umso höher kann man die Stromdichte wählen.

Beitrag "Re: Unglaublich hohe Stromdichte?"

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