effizienter Boost Converter, 60W, 175V zu 350V

[Mark (Gast)]

Hallo,

ich möchte ein nicht-isolierenden Boost Converter realisieren der von 
175V auf 350V hochsetzt. Die Leistung soll im Bereich 0...60W liegen, 
Nennleistung (mit bestem Wirkungsgrad) 30W.

Kennt ihr Quellen mit Referenzprojekten und dokumentierten 
Wirkungsgradmessungen? In diesem geringen Leistungsbereich finde ich 
nämlich keine, die ganzen Solaranwendungen mit hohem Wirkungsgrad sind 
im >1kW Bereich.

Als Topologie soll ein Standard-Hochsetzsteller dienen, bevorzugt mit 
Si-MOSFETs (z.B. 600V/650V Typen) und Si oder SiC-Diode sowie einer 
herkömmlichen Drossel. Schaltfrequenz beliebig zwischen 20khz und 
500kHz.

[Ingo (Gast)]

Was spricht gegen einen AVR?

[Mark (Gast)]

Es geht mir um die Bauteilwahl/Layout etc. des Leistungsteils, nicht um 
die Ansteuerung.

[Ingo (Gast)]

Ah, verstehe. Na dann: Geringen RDS-on, geringen ESR,  wenig parasitäre 
Induktivität BLa bla bla... Standartkram halt

[Mark (Gast)]

Ja das ist schon klar, es geht mir aber um _konkrete, bereits 
realisierte Projekte_ mit gemessenen Wirkungsgraden.

In dieser Leistungsklasse spielen ja viele Faktoren in den Wirkungsgrad 
mit rein, 1 Watt ist da schon ziemlich viel...

[Purzel H. (hacky)]

Ich wuer's mit einem 2:1 Trafo machen. Push-Pull mit Mittelanzapfung.

[Mark (Gast)]

Konkretes Beispiel? Erreichbarer Wirkungsgrad?

[Floh (Gast)]

Wenn du so frägst:

Mark schrieb:
> Ja das ist schon klar, es geht mir aber um _konkrete, bereits
> realisierte Projekte_ mit gemessenen Wirkungsgraden.
> In dieser Leistungsklasse spielen ja viele Faktoren in den Wirkungsgrad
> mit rein, 1 Watt ist da schon ziemlich viel...

Was ist denn dein Ziel? Akademische Betrachtung oder ein geforderter 
Wirkungsgrad?

Ansonsten einfach mal aufbauen, irgendeinen Current-Mode-Controller 
nehmen, Stromshunt für die Stromreglung im Souorcezweig des Mosfets, den 
rest hinbauen und selbst vermessen.

Du wirst sowieso die Aufbauvorschläge (wenns da wirklich welche mit 
dieser Konfiguration gibt) selber aufbauen und vermessen müssen, ob 
derjenige nicht geflunkert hat, bzw. nur unter Laborbedingungen arbeitet 
:-)

[Gregor B. (Gast)]

http://www.onsemi.com/pub_link/Collateral/AND8396-D.PDF

[Purzel H. (hacky)]

>Konkretes Beispiel? Erreichbarer Wirkungsgrad?

Ist irgendwie witzlos. Denn die Verlust setzen sich zusammen aus :
-Kernverluste, abh. Von Magnetisierung, Kernmaterial und Frequenz
-Controller und Treiber,
-Gate umladen, abh. Von Gatekapazitaet, Gatespannung und Frequenz
-RDSon abh. Von Gatespannung

Und dazu gibt es nahezu unendlich viele Moeglichkeiten, dann gibt es 
wieder neue Komponenten... usw.