Hallo,
gibt es ein Tool mit dem man aus einem .subckt einen Schaltplan
generieren kann? Oder geht das irgendwie mit PSpice?
Ich habe immer Probleme mir das vorzustellen.
Vllt kann mir hier auch Jemand weiterhelfen: Ich habe mir mal das
Modelfile von einem Infineon MOSFET angeschaut und würde gern verstehen
wie das "Ersatzschaltbild" funktioniert/aussieht.
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.SUBCKT IPB011N04L_L1 drain gate source PARAMS: dVth=0 dRdson=0 dgfs=0
dC=0 Ls=1.8n Ld=1n Lg=4n
.PARAM Rs=327u Rg=1.5 Rd=20u Rm=60u
.PARAM Inn=100 Unn=10 Rmax=1.1m gmin=184
.PARAM act=19.79
X1 d1 g s Tj S4_40_h_var1 PARAMS: a={act} dVth={dVth} dR={dRdson}
dgfs={dgfs} Inn={Inn} Unn={Unn}
+Rmax={Rmax} gmin={gmin} Rs={Rs} Rp={Rd} dC={dC} Rm={Rm}
Rg g1 g {Rg}
Lg gate g1 {Lg*if(dgfs==99,0,1)}
Gs s1 s
VALUE={V(s1,s)/(Rs*(1+(limit(V(Tj),-200,999)-25)*4m)-Rm)}
Rsa s1 s 1Meg
Ls source s1 {Ls*if(dgfs==99,0,1)}
Rda d1 d2 {Rd}
Ld drain d2 {Ld*if(dgfs==99,0,1)}
E1 Tj w VALUE={TEMP}
R1 w 0 1u
.ENDS
Nein, gibt es nicht (zumindest sinnvoll). Ich kenne nur ein kommerzielles Tool für sowas. Die gleiche Aufgabenstellung übertragen wäre: Gibt es ein Tool, um die 20 Geldscheine in deiner Geldbörse wieder den diversen Quellen zuzuordnen? Also male dir einen Netzplan und den sortierst du solange um, bis er dir grafisch gefällt.
Was wäre das für ein kommerzielles Tool? Gibt ja auch noch aufwendigere Sachen wo man 2h malen muss. :)
Die E und G Bauteile haben beispielsweise 4 Pins, was soll ich da wo anschließen?
Erfahrene SPICEr schreiben alles in Netzlisten - habe ich öfters gehört. Ich kann dir leider auch nicht so tief helfen, habe das nur einmal gemacht. Das teure Tool habe ich vergessen. Bestimmt weiß Helmut den Namen. Andererseits sind die Infineon-Modelle eh ungeeignet, zumindest für LTspice. Für dein Beispiel würde ICH durchaus 2-3h ansetzen. Also SPICE-Doku lesen und dann verknüpfen. Welche Erkenntnis ist gewünscht? Nachbauen kannst du ihn eh nicht. Konvergenzprobleme lösen?
Ich sehe da ne Menge Variablenumkopiererei und erheblichen Aufwand, ein Temperaturmodell zu implementieren. Ganz oben scheinen auch die Gehäuseparasitäten zu sein. Wo ist der eigentliche MOSFET? Als Gleichung definiert?? Infineon macht immer so komischen Scheiß. Weiß nicht, was das bringen soll gegenüber einem Standard-DMOS-Modell.
Das bisschen Subcircuit ist doch nur zum Aufwärmen. Ein paar R, L und C an den Pins des Mosfet. Dafür brauchst du gar kein Programm. Das kannst du direkt um den X1 herum zeichnen. Zeig lieber mal das Subcircuit S4_40_h_var1. Wenn das wieder eines mit den hundert Funktionen ist, dann kann man sich die Mühe gleich sparen. .subckt S4_40_h_var1 ... ....
X1 d1 g s Tj S4_40_h_var1 PARAMS: a={act} dVth={dVth} dR={dRdson}
Alle Bauteile mit Xn sind Subcircuits. Hier wird das subcircuit
S4_40_h_var1 verwendet. Suche nach diesem Subcircuit in deinem
Modell-File.
.SUBCKT S4_40_h_var1 ....
Ich meinte eher, wo ich sehen kann was sich hinter dem Subcircuit verbirgt?!
Das ist einfach. Jede Zeile ist 1 Bauteil.
Ld drain d2 {Ld*if(dgfs==99,0,1)}
E1 Tj w VALUE={TEMP}
R1 w 0 1u
Lx Spule
Ex Spannungsgesteuerte Spannungsquelle
Rx Widerstand
Cx Kondensator
...
Lx node1 node2 Wert
Einfach eine Kurzeinweisung über SPICE lesen. Da sind alle Bauteile
definiert. Es sind weniger verschiedene Bauteile als das Alphabet
Buchstaben hat.
Ich habe das Grundmodell gefunden, allerdings steige ich auch da nicht wirklich durch. ****** .SUBCKT IPB011N04L_L0 drain gate source Lg gate g1 4n Ld drain d1 1n Ls source s1 1.8n Rs s1 s2 327u Rg g1 g2 1.5 M1 d2 g2 s2 s2 DMOS L=1u W=1u .MODEL DMOS NMOS ( KP= 1781.1 VTO=2.74 THETA=0 VMAX=1.5e5 ETA=0.015 LEVEL=3) Rd d1 d2 0.38m TC=7m Dbd s2 d2 Dbt .MODEL Dbt D(BV=45 M=0.3 CJO=12.99n VJ=0.9V) Dbody s2 21 DBODY .MODEL DBODY D(IS=150.4p N=1.1 RS=0.03u EG=1.12 TT=3n) Rdiode d1 21 0.09m TC=7m .MODEL sw NMOS(VTO=0 KP=10 LEVEL=1) Maux g2 c a a sw Maux2 b d g2 g2 sw Eaux c a d2 g2 1 Eaux2 d g2 d2 g2 -1 Cox b d2 4.16n .MODEL DGD D(M=0.6 CJO=4.16n VJ=0.5) Rpar b d2 1Meg Dgd a d2 DGD Rpar2 d2 a 10Meg Cgs g2 s2 20.38n .ENDS IPB011N04L_L0
Du wirst schon mal die Doku lesen müssen. Was verstehst du denn genau nicht? Beispielsweise die Zeilen: Rg g1 g2 1.5 Hier wird ein Widerstand definiert zwischen Netznamen g1 und g2 von 1,5ohm. M1 d2 g2 s2 s2 DMOS L=1u W=1u .MODEL DMOS NMOS ( KP= 1781.1 VTO=2.74 THETA=0 VMAX=1.5e5 ETA=0.015 LEVEL=3) Hier wird ein MOSFET definiert, erkennbar an M und dann ein Index, also M1. Das Modell heißt "DMOS" (Das wäre der Part Schaltplan) Eine Zeile drunter wird DMOS dann definiert. KP usw. sind MOSFET-Parameter. (Das ist der Part Eigenschaften des Bauelements) usw. Problem kann dann sein, daß ein Code für PSPICE dann Parameter enthält, die es z.B. bei LTspice nicht gibt. Mir fallen da DW und DL ein! Helmut, weißt du was DW und DL machen bzw. wie man die in LTspice nachmodellieren kann? Brauch man z.B. für die 74HC-Lib von NXP!
DL und DW sind Korrekturwerte für die effektive Kanallänge und Kanalweite. Leff = L - DL Weff = W - DW
Nun konvergiert das Modell mit vorhandenem DW und DL aber nicht in einer TRAN-Analyse. Also entferne ich durch probieren DW und DL, dann gehts. Damit ist Lspice aber seine gerühmte Kompatibilität zu PSPICE-Modellen los. Also einfach in das Modell deine beiden Formeln reinschreiben, weil LTspice dafür zu dumm ist und dann gehts?
Ich verstehe vor allem nicht warum zusätzlich zwei weitere Transistoren definiert werden... Maux g2 c a a sw Maux2 b d g2 g2 sw ... und wofür die Spannungsquellen benötigt werden. Eaux c a d2 g2 1 Eaux2 d g2 d2 g2 -1 Danke.
Sorry, NXP ist die Geschichte mit ETA und KAPPA. Wenn ich mich recht erinnere, muß man die auch deaktivieren für Konvergenz. DW und DL tauchen in einem File von Jim Thompson für Motorola 74HCU04 auf. Er benutzt PSPICE. Habs angehangen.
Joe123 schrieb: > Ich verstehe vor allem nicht warum zusätzlich zwei weitere Transistoren > definiert werden... > > Maux g2 c a a sw > Maux2 b d g2 g2 sw > > ... und wofür die Spannungsquellen benötigt werden. > > Eaux c a d2 g2 1 > Eaux2 d g2 d2 g2 -1 > > Danke. Die Namen deuten schon an, daß damit irgendwas hingebogen werden soll. Vielleicht ist der Chip so niederohmig, daß das normale DMOS-Modell nicht mehr paßt. Weiß ich nicht. Kann dir nur der Hersteller beantworten... Manchmal sind es auch generische Files, die eine ganze Familie abdecken sollen.
Nach meinem Empfinden fehlen da einige parasitäre Kapazitäten. Wie könnten man diese mit einer Messung nachvollziehen?
Im Verhältnis zu den Kapazitäten des MOSFET kannst du die im Gehäuse und den Bonddrähten vorkommenden schlicht vergessen! Das ist auch kein HF-Modell, wo die Verteilung eine Rolle spielen würde. Die Anwendung und Ziel ist SMPS. Die effektiven Kapazitäten des internen MOSFET-Die werden durch das DMOS-Modell automatisch berechnet.
Joe123 schrieb: > Ich verstehe vor allem nicht warum zusätzlich zwei weitere Transistoren > definiert werden... > > Maux g2 c a a sw > Maux2 b d g2 g2 sw > > ... und wofür die Spannungsquellen benötigt werden. > > Eaux c a d2 g2 1 > Eaux2 d g2 d2 g2 -1 > > Danke. Mit den zusätzlichen Mosfets werden vermutlich Schalter beschrieben um die stark ansteigende Gate-Kapazitäz für Ugd>0 zu modellieren. Lies mal das aus der Help von LTspice: In a VDMOS transistor, Cgd abruptly changes about zero gate-drain voltage(Vgd). When Vgd is negative, Cgd is physically based a capacitor with the gate as one electrode and the drain on the back of the die as the other electrode. This capacitance is fairly low due to the thickness of the non-conducting die. But when Vgd is positive, the die is conducting and Cgd is physically based on a capacitor with the thickness of the gate oxide.
Ja, nur warum Infineon mal wieder einen eigenen Weg beschreitet, erschließt sich dadurch nicht. Oder?
Das stimmt. Wie würde denn ein HF-Modell von so einem MOSFET aussehen?
Den kann man nicht im HF-Bereich betreiben! Such dir einen LDMOS. Was willst du denn bauen? Du verheimlichst doch was.
Was soll ich verheimlichen? Mich hätte es nur interessiert wie sowas aussieht. Wo beginnt für dich HF?
Na dann schau dir doch einfach einen LDMOS an. Sorry, aber ich habe nicht Lust meine Zeit zu vergeuden. HF beginnt hier bei 1MHz. Es gibt natürlich auch Wandler oberhalb dieser Frequenz. Das ist dann aber nicht Standardzeug. Class-E, resonant usw. Mach eine Simulation mit so einem Monster und schaue dir die Gate-Ströme mal an bei solchen Frequenzen. Die sind einfach irre hoch.
Warum Zeit vergeuden? Du hilfst einem Ahnungslosen weiter, das ist alles andere als das.
HF brauch ich denke ich nicht weiter zu beachten. Ich würde perspektivisch gerne einen Wechselrichter betrachten aus 6 MOSFETS und dabei alle "Effekte" untersuchen die auch in der Anwendung auftreten / auftreten können. Deswegen würde es doch Sinn machen den MOSFET so genau wie möglich zu modellieren, oder? Vllt kann man daraus eine Diplomarbeit oder später eine Masterarbeit machen.
Kannst du ja, obwohl das sinnleer ist, denn das taten schon tausende vor dir. Nimm doch ein Thema wo noch was drin ist! Als Vorschlag unten auf meiner Benutzerseite eine Liste: http://www.mikrocontroller.net/articles/Benutzer:ehydra Genauer als die normalen Toleranzen der Chips zu modellieren, ist auch sinnfrei. Die Infineon-Modelle sind ja berühmt für Probleme. Es gibt aber auch andere Hersteller, wo das nicht so ist. Nochdazu gibts das VDMOS-Tool für LTspice.
Ich habe keine DA oder MA zu dem Thema finden können, wo kann man sich sowas mal durchlesen, das würde mich sehr interessieren. Auf deine Themenvorschläge komme ich ggf. zurück.
Dann suchst du falsch. Ich interessiere mich für dieses spezielle Thema eigentlich wenig (Ist wenig zukunftsträchtig für Leute in DE, denn sowas wird bald nur noch aus China resp. später Indien kommen), stolpere aber ständig über solche Papers wenn ich zu ähnlichen Problemkreisen suche. Mach es so: site:ieee.org oder Hersteller von Chips wie linear.com oder große Energiefirmen wie ABB Schwerpunkt: "MOSFET" "inverter" und dann passende Begriffe dazu: efficiency, solar, multi-phase, new topology, usw. Du willst simulieren!!, also SPICE, Simulink, Matlab und deren Varianten wie LTspice, PSPICE, notfalls HSPICE Eigentlich nix besonderes.
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