Hallo Mitbastler Der Titel ist etwas irreführend, zur Beschreibung meines Problems. Ich habe ein Bleiakkuladegerät entworfen mit dem UI Ladeverfahren. Für die die nicht wissen was das ist: Man läd erst mit Konstantstrom und dann mit Konstantspannung wenn die Ladeschlussspannung erreicht wurde. Mein Problem besteht in folgender Situation: Die Last ist egal, in meinem Versuch aber 1k groß. Dann fließt ein I von 15mA bei Vcc = 15V Das erzeugt einen Spannungsabfall an R6 von 12,3mV Nach meiner Kenntnis dürfte der Transistor nicht annähernd leiten, das tut er aber, am Gate der MOSFETS liegen satte 10V aber der Opamp spuckt negative Versorgungsspannung aus. Hatte einer von euch schon mal so ein Problem oder weiß da mehr als ich? Danke schon jetzt für die Hilfe NACHTRAG: Der Opamp liegt nicht an GND sondern an -15V
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@ Stefan S. (Firma: Student) (1991stefan1991) >Das erzeugt einen Spannungsabfall an R6 von 12,3mV >Nach meiner Kenntnis dürfte der Transistor nicht annähernd leiten, Tut er auch nicht, wenn Schaltplan und Realität übereinstimmen. >das >tut er aber, am Gate der MOSFETS liegen satte 10V aber der Opamp spuckt >negative Versorgungsspannung aus. Fehler im Aufbau. NPN und PNP verwechselt?
Stefan S. schrieb: >> Hatte einer von euch schon mal so ein Problem oder weiß da mehr als ich? C und E vertauscht beim Einlöten des BC Transistors war es bei mir .-) will sagen: such mal nach Aufbaufehlern. > > NACHTRAG: Der Opamp liegt nicht an GND sondern an -15V Logo, sonst kann dessen Ausgang ja auch keine -10V liefern .-)
Danke für die schnelle Antwort @Falk: Die Schaltung hab ich nun zig mal überprüft, alles richtig verdrahtet @beide: Ich werd mal checken, ob ich mich im Transistor vergriffen hab, das wäre ärgerlich
Stefan S. schrieb: > am Gate der MOSFETS liegen satte 10V aber der Opamp spuckt > negative Versorgungsspannung aus. Stefan S. schrieb: > NACHTRAG: Der Opamp liegt nicht an GND sondern an -15V UGs ist maximal +-20V. Du legst das Gate über den OP auf -15 und Source ist auf +15. Das sind lockere 30V Vieleicht ist das schon dein Fehler. Nachtrag: Wofür brauchst du überhaupt die negative Versorgung?
Nur dass ich mich nicht vertu Der Kollektor muss an die Basis der FETs und der Emitter an VCC?! In dem Fall ist der Transistor richtig gepolt, es ist auch der richtige Transistor, also ein BC327. Das einzige was ich mich noch vorstellen kann ist, dass der Transistor einfach hops gegangen ist, als ich ihn eingelötet hab, was denkt ihr?! NACHTRAG: Ich löte ihn mal aus um ihn als Fehlerquelle aus zu schließen
Stefan S. schrieb: > Das einzige was ich mich noch vorstellen kann ist, dass der Transistor > einfach hops gegangen ist, als ich ihn eingelötet hab, was denkt ihr?! > > ich denke das ich den BC327 mit dem Transistortester/curvetracer durchmessen würde wenn ich an Deiner Stelle wäre...
Andrew Taylor schrieb: > ich denke das ich den BC327 mit dem Transistortester/curvetracer > durchmessen würde wenn ich an Deiner Stelle wäre... Ich würde eher mal die IRF testen ob die durch die 30V Ugs nicht am Arsch sind.
@Andrew: Leider habe ich einen Transistortester gerade nicht zur Hand @UDO: Nicht mehr nötig Ohne BC327 funktioniert die Schaltung wie sie soll, heißt ich hab ihn einfach gebraten. Manchmal ist die Lösung so einfach. Danke für eure Hilfe :)
@ Stefan S. (Firma: Student) (1991stefan1991) >Ohne BC327 funktioniert die Schaltung wie sie soll, heißt ich hab ihn >einfach gebraten. Manchmal ist die Lösung so einfach. Ohne BC327 hast du keine Strombegrenzung.
>Die Last ist egal, in meinem Versuch aber 1k groß. Dann fließt ein I von >15mA bei Vcc = 15V 15mA plus der Strom durch R3 und R4!!! Wlchen Wert haben diese Widerstände?
@Falk: Hab ich vergessen zu schreiben. Ich hab den Transistor erst ausgebaut und die Schaltung (zumindest ohne Strombegrenzung ;) ) hat funktioniert. Also hab ich nen neuen eingelötet und schon funktioniert alles wie es soll. @Mike: Die Potis sind 10k groß
> Ohne BC327 funktioniert die Schaltung wie sie soll
Bei parallelgeschalteten MOSFETs ?
Kaum.
Dank unterschiedlicher UGS(th) leitet der eine und der andere noch
nicht.
Stromverteilung geht anders, dafür braucht man
Stromverteilungswiderstände,
und die müssen bei diesen MOSFETs im Gegensatz zu Bipolartransistoren
recht hohe Werte haben.
Die 30V am Gate wurden schon angesprochen (und hoffentlich inzwischen
behoben).
Und schwingen wird die ganze Schaltung bei passenden Bedingungen auch
noch, weil jegliche lead lag compensation fehlt.
MaWin schrieb: > Die 30V am Gate wurden schon angesprochen (und hoffentlich inzwischen > behoben). Solange die Regelung funktioniert kann es eigentlich nicht zu einer zu hohen Ugs Spannung kommen. Trotzdem wäre es sauber die Spannung zu begrenzen.
> Dank unterschiedlicher UGS(th) leitet der eine und der andere noch > nicht. > Stromverteilung geht anders, dafür braucht man > Stromverteilungswiderstände, > und die müssen bei diesen MOSFETs im Gegensatz zu Bipolartransistoren > recht hohe Werte haben. Ja, aber bei bei den maximal möglichen ca. 850mA, bzw. 850mA*Vcc reicht auch ein einzelner Mosfet vom oben angegebenen Typ.
@ ArnoR (Gast) >Ja, aber bei bei den maximal möglichen ca. 850mA, bzw. 850mA*Vcc reicht >auch ein einzelner Mosfet vom oben angegebenen Typ. Dann kann man auch gleich nur einen einbauen und sich nicht einreden, der Strom würde sich sauber verteilen. http://www.mikrocontroller.net/articles/FET#Linearbetrieb_von_MOSFETs
> Dank unterschiedlicher UGS(th) leitet der eine und der andere noch > nicht. > Stromverteilung geht anders, dafür braucht man > Stromverteilungswiderstände, Mhmm stimmt, hab zu viel in der CMOS technik rum gehangen ;) was würdest du für einen Vorwiderstand empfehlen? > Die 30V am Gate wurden schon angesprochen (und hoffentlich inzwischen > behoben). Es sind nur noch 15V, die negative Versorgungsspannung am Opamp las ich weg, dachte erst der wäre das Problem, so spar ich mir die symmetrische Versorgungsspannung > Und schwingen wird die ganze Schaltung bei passenden Bedingungen auch > noch, weil jegliche lead lag compensation fehlt. Da hab ich mir bisher keine Sorgen drum gemacht, ich hab ja keine schnellen änderungen der Parameter. Und die Kapazität der Gates verschiebt den ersten Extrempunkt im Bodediagramm schon etwas nach links NACHTRAG: Mann ich kann gar nicht so schnell Antworten wie ihr schreibt. Ich hab zwei FETs genommen damit die Kühlkörper nicht zu groß werde, damit alles in mein Gehäuse passt :)
Falk Brunner schrieb: > @ ArnoR (Gast) > > Dann kann man auch gleich nur einen einbauen... Genau das hab ich doch gesagt, daher verstehe ich nicht, wieso du mir das nochmal erklären willst.
@ ArnoR (Gast) >> Dann kann man auch gleich nur einen einbauen... >Genau das hab ich doch gesagt, daher verstehe ich nicht, wieso du mir >das nochmal erklären willst. Hab dich falsch verstanden. Ich dacht du meinst, dass man die Unsymetrie durch die niedrige Last ertragen kann.
Stefan S. schrieb: > Ich hab zwei FETs genommen damit die Kühlkörper nicht zu groß werde, > damit alles in mein Gehäuse passt :) Die abzuführende Leistung ändert sich durch 2 Mosfets nicht. Wenn du keinen passenden größeren KK für einen Mosfet hast, dann schraub doch die beiden vorhandenen mit den planen Flächen zusammen und an einen Mosfet.
ArnoR schrieb: > Die abzuführende Leistung ändert sich durch 2 Mosfets nicht. Wenn du > keinen passenden größeren KK für einen Mosfet hast, dann schraub doch > die beiden vorhandenen mit den planen Flächen zusammen und an einen > Mosfet. Sie ändert sich nicht, teilt sich aber auf. Ich benutze zwei von denen hier: https://secure.reichelt.de/Finger-Aufsteckkuehlkoerper/V-PR32-38-1-MC/3/index.html?;ACTION=3;LA=446;ARTICLE=53839;GROUPID=3379;artnr=V+PR32%2F38%2C1-MC Außerdem steigt die Versogungsspannung wenn alle fertig ist auf 17V und behalte mir vor die Strombegrenzung zu ändern, dass ich auch mehr als 1A schaffe, weil manche Bleiakkus mit dem Verfahren auch 4A Ladestrom abkönnen (ich weiß, das ist nicht gut für die Lebensdauer)
Stefan S. schrieb: > Sie ändert sich nicht, teilt sich aber auf. Nein, das tut sie ohne Weiteres nicht vernünftig, siehe Betrag von MaWin und Link von Falk. > Ich benutze zwei von denen hier: Die kann man natürlich nicht zusammenschrauben, oben im Schaltplan sind aber andere angegeben, daher mein Vorschlag. Also entweder Symmetrierung und 2 Mosfets und 2 KK oder ein passender KK und keine Symmetrierung und nur 1 Mosfet. Die Entscheidung ist doch einfach, oder?
ArnoR schrieb: > Stefan S. schrieb: >> Sie ändert sich nicht, teilt sich aber auf. > > Nein, das tut sie ohne Weiteres nicht vernünftig, siehe Betrag von MaWin > und Link von Falk. > >> Ich benutze zwei von denen hier: > > Die kann man natürlich nicht zusammenschrauben, oben im Schaltplan sind > aber andere angegeben, daher mein Vorschlag. > > Also entweder Symmetrierung und 2 Mosfets und 2 KK oder ein passender KK > und keine Symmetrierung und nur 1 Mosfet. Die Entscheidung ist doch > einfach, oder? Ich hab mich gerade noch ein bischen eingelesen und entschlossen dass die Gates jetzt nen 750k Vorwiderstand bekommen, dann hab ich ne Symmetrierung und der Rest kann so bleiben wie er ist. Danke aber für all eure Beiträge,vor allem das mit der Symmetrierung, da wär ich nicht drauf gekommen
> die Gates jetzt nen 750k Vorwiderstand bekommen, dann hab ich ne > Symmetrierung Wo hast du den den Unsinn gelesen ? Quelle.
Hab einfach nach nem, Verstärker Gegoogelt mit parallel geschalteten MOSFETs und da war als Vorwiderstand 400k Ich hab aber den Eindruck, der Wert gefällt dir nicht. Was würdest du empfehlen?
Stefan S. schrieb: > Ich hab mich gerade noch ein bischen eingelesen und entschlossen dass > die Gates jetzt nen 750k Vorwiderstand bekommen, Du hast aber noch nie verstanden wie ein MOSFET funktioniert oder? Welcher Strom fliesst denn in ein Mosfet Gate wenn man das Umladen der Kapazitäten mal ausser Acht lässt? Was soll also der Vorwiderstand bewirken? Das macht übrigens nicht mal bei bipolaren Transistoren Sinn. Da helfen nur Emitter bzw. Source Symmetrierwiderstände.
Das dachte ich bisher auch, nur wenn ich das richtig verstanden habe, haben die MOSFETs unterschiedliche Ugs bei denen sie durch schalten und deswegen tut man da nen Widerstand vor, weil ich ja nicht in Sättigung arbeite. Wo soll denn nun der Widerstand hin?
Stefan S. schrieb: > Ich hab zwei FETs genommen damit die Kühlkörper nicht zu groß werde, > damit alles in mein Gehäuse passt :) Aber wenn Du statt 2 Kühlkörpern eine doppelt so großen nimmst, ist der Platzbedarf auch nicht größer. Gruß Dietrich
naja ja und nein, ich hab ne Single Layer Platine auf der die Schaltung ist, einfach umdrehen ist nicht drin. Ich schätze ich bleib einfach bei 750mA Strombegrenzung und benutz nur einen Mosfet
Stefan S. schrieb: > Das dachte ich bisher auch, nur wenn ich das richtig verstanden habe, > haben die MOSFETs unterschiedliche Ugs bei denen sie durch schalten und > deswegen tut man da nen Widerstand vor, weil ich ja nicht in Sättigung > arbeite. Aber der Widerstand bewirkt keine Änderung von Ugs, da ja (im eingeschwungenen Zustand) kein (max. 100nA!) Strom in das Gate fließt! > Wo soll denn nun der Widerstand hin? Udo Schmitt schrieb: > Da helfen nur Emitter bzw. Source Symmetrierwiderstände. Gruß Dietrich
Der TL072 ist kein Rail To Rail OP. Pin 3 kann aber bei dir auf GND zu liegen kommen -> dann funktioniert dein TL072 nicht mehr korrekt.
Falk Brunner schrieb: > und sich nicht einreden, > der Strom würde sich sauber verteilen. So etwas reden einem die Simulierprogramme ein. :-( Gruss Harald
> Hab einfach nach nem, Verstärker Gegoogelt mit parallel geschalteten > MOSFETs und da war als Vorwiderstand 400k Dann hast du doch eine Link auf diese Seite im Internet, oder wie sonst soll man dir erklären, was du dort wohl falsch verstanden hast (oder falsch war) ?
Stefan S. schrieb: > NACHTRAG: > > Ich hab zwei FETs genommen damit die Kühlkörper nicht zu groß werde, > damit alles in mein Gehäuse passt :) LOB! Dann hast Du das intuitiv richtig gemacht. Die übrigen hier schreibenden Pseudo-Profis haben das über Jahre nicht begriffen das dies die platzmäßig sinnvollere Variante ist.
Andrew Taylor schrieb: > LOB! Dann hast Du das intuitiv richtig gemacht. Nur wenn er auch dafür gesorgt hätte, daß sich der Strom gleich verteilt. Dann sind 2 Bauteile halber Leistung besser als ein Bauteil, weil die Temperaturdifferenz über dem Wärmewiderstand Rjc nur halb so gross wäre, was entweder kleinere Kühlkörper oder mehr Last erlaubt. In seinem Fall sind aber 2 Bauteile schlechter als 1 weil ja schlechtestenfalls die ganze Leistung an einem abfällt. Da blockiert das zweite Bauteil nur Fläche auf dem Kühlkörper, die man anderenfalls für mehr Kühlrippen hätte brauchen können.
Andrew Taylor schrieb: >> Ich hab zwei FETs genommen damit die Kühlkörper nicht zu groß werde, >> damit alles in mein Gehäuse passt :) > > LOB! Dann hast Du das intuitiv richtig gemacht. Wenn schon, dann wären 2 Bauelemente auf einem Kühlkörper besser. Dann verteilt sich die Leistung auf 2 Bauteile und sie werden zumindest annähernd auf der gleichen Temperatur gehalten. Und wenn ein Bauteil wegen Bauteiltoleranzen mehr Energie verbraten muss steht ihm ein größerer Kühlkörper zur Verfügung.
Andrew Taylor schrieb: > Die übrigen hier schreibenden Pseudo-Profis haben das über Jahre nicht > begriffen das dies die platzmäßig sinnvollere Variante ist. Da ist gar nichts platzsparend, wenn du die notwendigen fetten Symmetrierwiderstände in die Rechnung mal mit einbeziehst.
MaWin, Arno, Udo: Jeder von Euch erhält seinen Fisch.
Andrew Taylor schrieb: > MaWin, Arno, Udo: Jeder von Euch erhält seinen Fisch. Wie, du teilst? Vorschlag: Ich nehm das Filet, du die Köpfe ;-)
Puh das sind ganz schön viel Posts seid gestern. Also den Artikel hab ich gekonnt übersehen, hab ihn mir jetzt durch gelesen und werde wohl doch zwei MOSFETS benutzen. Leider steht in dem Artikel nur, dass der Emitterwiderstand "relativ" hoch sein muss, aber relativ wozu? Ich würde mal auf um die 1R tippen, sonst geht mir ja irgendwann meine Spannung in die Knie. In dem Fall hab ich noch 0R82 Widerstände zur Verfügung. Was denkt ihr darüber?! @Udo: Wie gesagt das würde das Routen nicht gerade leichter machen und jetzt ist die Platine eh schon fertig, damit muss ich jetzt leben. @Helmut: Mittlerweile hab ich nen LM324 drin, der ist Pinkompatiebel und zeigt keine Phaseninversion, wenn man nahe an die negative Versorgungsspannung kommt
Stefan S. schrieb: > dass der Emitterwiderstand "relativ" hoch sein muss Es wird von einem Sourcewiderstand geschrieben... > aber relativ wozu? Relativ zum Bipolartransistor müssen die Widerstände um den Faktor 2,5 größer sein. Und absolut müssen die Widerstände so groß sein, dass der niederohmigere Mosfet der Parallelschaltung nicht überlastet wird.
Ups klar Sourcewiderstand Ok ich glaub langsam schnall ichs. Beispielrechnung: Ich hab ne Standartabweichung von sagen wir 1V und bei einem Temperaturunterschied von whorst case 80°K nochmal 0,4V, um das bei 1A Drainstrom abzufangen brauch ich nen Sourcewiderstand von R=1,4V/1A=1,4R? Da verbrat ich ja Unmengen an Energie -.-
@ Stefan S. (Firma: Student) (1991stefan1991)
>Da verbrat ich ja Unmengen an Energie -.-
You got it, brother!
Das mit der Verlustleistung der einzelnen Bauteile, Linearbetrieb von MOSFETs, ... solltest Du Dir noch mal gründlich durchlesen.
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