Hallo zusammen, ich habe da mal eine Frage zum MOSFET Rds. Ich messe via eines Shunts einen Strom(0-200mA). Parallel dazu ist ein Mosfet, der gesperrt oder leitend ist. Wenn ich den Strom messe, ist der Mosfet gesperrt, sodass ideal 0mA über ihn fließen, sprich der gesamte Strom fließt über den Shunt. Im Datenblatt der Mosfets finde ich immer nur 2 Widerstandswerte. Rds,on und Rg - Gatewiderstand. doch wie hoch ist der Widerstand, wenn der Mosfet gesperrt ist, z.B. eben ein N-Kanal, der zur Masse schaltet (Source an GND) und das Gate ebenfalls an Masse liegt. Sind das ~ 50kOhm oder eher 10MegOhm? Sprich kann ich den Widerstand bei der Strommessung vernachlässigen oder nicht? Die 200mA kommen mit max 24V und werden mit 12bit Aufgelöst. Alles was unter einem LSB ist, wäre egal, alles unter 5LSB verkraftbar, aber mehr würde ich dann schon rausrechnen wollen.
ich schrieb: > Sprich kann ich den Widerstand bei > der Strommessung vernachlässigen oder nicht? Das kannst du doch einfach nachmessen, indem du einen Widerstand in Serie zum gesperrten FET schaltest und unter Beobachtung deines Stromflusses überbrückst. Der Spannungsabfall über dem Widerstand verrät dir, wieviel Strom noch durch den gesperrten FET fließt.
Klar, das könnte ich machen. Ich bin noch in der Plaungsphase, daher hab ich auch weder einen Mosfet ausgesucht, noch hier bei mir liegen. Ich weiß auch nicht, inwiefern das abhängig vom Bauteil ist. Daher hab ich gehofft und gedacht, dass diese Angabe im Datenblatt steht. Ich weiß z.b. nicht, wenn ich mir einen bestelle, der sonst gut passt, und dann nachmesse und der zu niederohmig ist, ob es nicht noch eine alternative gibt, die hochohmiger ist.
ich schrieb: > Daher hab ich gehofft und gedacht, dass diese Angabe im Datenblatt steht. Oft steht zumindest für ein oder zwei Spannungen der DS-Leckstrom (Drain-to-Source Leackage Current) drin.
Oh ja, da ist ein " Zero Gate Voltage Drain Current" Idss von 1-10uA. ein LSB sind ca 48uA, dann sollte das ja gehen. Hab die ganze zeit nach einem Widerstandswert gesucht ;) Danke
ansonsten hättest du es einfach mal vernachlässigen können. später misst du den strom 1x mit eingelötetem MOSFET und 1x ohne eingelötetem MOSFET, dann hättest du dessen auswirkung auch gesehen und ggf. aus der messung raus rechnen können.
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