MOSFET modellieren in LTSpice

[Michael W. (Gast)]

Ich möchte gerne in LTSpice einen MOSFET simulieren, dessen Substrat 
nicht mit Source verbunden ist. Mich stört die entstehende Diode. Das 
Modell brauche ich eher für didaktische Zwecke, es ist keine reale 
Schaltung dahinter.

Ich würde gerne einen MOSFET nach folgenden bekannten Charakteristiken 
modellieren:

$$I_D = \mu C_{ox} \frac{W}{L}\left(U_{gs}-U_{th} \right)^2$$

Für den linearen Bereich gibt es auch eine Formel, aber das ist jetzt 
nicht so wichtig, da ich nur zeigen  wollte, was ich meine.

Ich habe zwar gesehen, dass es das allgemeine NMOS4 Modell gibt, 
verstehe aber nicht alle Parameter. Kanalbreite und Länge kann ich 
erkennen, aber was ist "Drain Area", "Source Area", "Drain Perimeter", 
"Source Perimeter", "No Parallel Devices" ? Wo ist da den Zusammenhang 
mit der Threashold Voltage Uth, und dem Cox ?

Wenn mir jemand sagt, wo ich das nachlesen kann, wäre ich dafür sehr 
dankbar!

[hinz (Gast)]

http://my.ece.ucsb.edu/York/Bobsclass/2C/Handouts/Modeling%20MOSFETs%20in%20Multisim.pdf

[M. K. (sylaina)]

Michael W. schrieb:
> Mich stört die entstehende Diode.

Die kannst du rein technisch nicht vermeiden denn sie entsteht u.a. aus 
dem Übergang Source-Kanalgebiet. Das ist ein PN-Übergang...immer...was P 
und was N dabei ist hängt nur vom Mosfet ab...

[Helmut S. (helmuts)]

Einfach das Substrat auf eine genügend negative Spannung legen 
(negativer als die drain und source). Dann funktioniert es so wie du das 
gerne hättest.

[Michael W. (Gast)]

danke, das war genau, was ich gesucht habe ;-)