MOSFET Strom aus Threshold-Spannung?

[Bernd (Gast)]

Hallo,
ich habe mir das Programm Circuit Simulator heruntergeladen und bin sehr 
zufrieden. Nun habe ich eine Frage zu den MOSFET's:
Ich kann in Circuit Simulator als Parameter bei den Mosfets nur U_Th
angeben, wie kann ich daraus ohne den Verstärkungsfaktor \beta den Strom 
I_DS
berechnen (linearer Betrieb)? Das ist doch gar nicht Möglich?
I_DS = \beta [(U_GS-U_Th)U_DS - U_DS^2/2] für Widerstandsbetrieb.
Gruss Bernd

[Daniel V. (danvet)]

MOSFETs sind Spannungsgesteuert:

http://de.wikipedia.org/wiki/Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor#Kennlinienfeld

[Klaus R. (klara)]

Hallo Bernd,
schon mal etwas von LTSpice gehört?
Hier ein Link zu einem guten Tutorial. Support gibt es u.a. hier im 
Forum.
http://www.gunthard-kraus.de/LTSwitcherCAD/index_LTSwitcherCAD.html
Gruss Klaus.

[Yalu X. (yalu) (Moderator)]

Bernd schrieb:
> Ich kann in Circuit Simulator als Parameter bei den Mosfets nur U_Th
> angeben

Ein einzelner Parameter ist für die Beschreibung eines Mosfets arg 
wenig. In Spice 3 hat das Mosfet-Modell 42 Parameter, in LTspice sind es 
sogar 65.

[Gatz (Gast)]

> wie kann ich daraus ohne den Verstärkungsfaktor \beta den Strom I_DS
> berechnen (linearer Betrieb)? Das ist doch gar nicht Möglich?

Du hast recht. Beta ist von Transistor zu Transistor unterschiedlich und 
hängt von der Gate-Länge und -Weite, der Ladungsträgerbeweglichkeit und 
dem Kapazitätsbelag des Gates ab. Eine pauschale Bescheibung über beta 
ist daher etwas zu einfach.

[Gatz (Gast)]

Sorry, ich meine natürlich Beschreibung via Uth statt beta...

[Bernd (Gast)]

Ok danke euch, werde mal LTSpice probieren