Drainschaltung Arbeitspunkt.

[Jan R. (Gast)]

Hi,

Bei einer Drainschaltung ist der Spannungsverstärkungsfaktor ja <1 der 
der stromverstärkungsfaktor hingegen strebt --> unendlich.

Meine Frage: Habe ich beispielsweise einen Widerstand X  und eine 
Spannung Y zwischen Gate und Source, dann Kann man doch den Arbeitspunkt 
bestimen, indem man die kennlinie des Widerstands X gespiegelt mit 
Schnittpunkt an der X Achse an stelle Y eintragen und der Arbeitspunkt, 
ist doch dann der Schnittpunkt der Schnitt punkt mit der  I Drain über U 
Gate
Funktion des FETs wie es schematisch in der grafik gezeigt ist oder??

Danke schonmal

Macman2010

[Jan R. (Gast)]

???

[John D. (Gast)]

Jan R. schrieb:
>
> Meine Frage: Habe ich beispielsweise einen Widerstand X  und eine
> Spannung Y zwischen Gate und Source, dann Kann man doch den Arbeitspunkt
> bestimen, indem man die kennlinie des Widerstands X gespiegelt mit
> Schnittpunkt an der X Achse an stelle Y eintragen und der Arbeitspunkt, ...

Nein - wenn du nicht etwas anderes gemeint hattest. Der Widerstand ist 
irrelevant (parallel zur Spannungsquelle: irrelevant, in Serie zur 
Spannungsquelle: irrelevant wegen Gatestrom nahe Null A), die Spannung 
würde hier ganz einfach deinen Drainstrom definieren.
Die Frage hat so auch gar nichts mit einer "Drainschaltung" zu tun.

Bitte einen Schaltplan anhängen, damit man nicht aneinander vorbeiredet.

[Jan R. (Gast)]

John Drake schrieb:
> Jan R. schrieb:
>>
>> Meine Frage: Habe ich beispielsweise einen Widerstand X  und eine
>> Spannung Y zwischen Gate und Source, dann Kann man doch den Arbeitspunkt
>> bestimen, indem man die kennlinie des Widerstands X gespiegelt mit
>> Schnittpunkt an der X Achse an stelle Y eintragen und der Arbeitspunkt, ...
>
> Nein - wenn du nicht etwas anderes gemeint hattest. Der Widerstand ist
> irrelevant (parallel zur Spannungsquelle: irrelevant, in Serie zur
> Spannungsquelle: irrelevant wegen Gatestrom nahe Null A), die Spannung
> würde hier ganz einfach deinen Drainstrom definieren.
> Die Frage hat so auch gar nichts mit einer "Drainschaltung" zu tun.
>
> Bitte einen Schaltplan anhängen, damit man nicht aneinander vorbeiredet.

Nein der widerstand ist zwischen source und masse ich möchte wisssen, 
was für ein gatestrom sich da einstellen würde und wie man das aus der 
kennlinie erfährt?
Ich habe den sourcwiderstand mit seiner kennlinie spiegelverkehrt in die 
ugs ids kennlinie eingetragen. Ist dieses verfahren richtig?

[Peter (Gast)]

Jan R. schrieb:
> was für ein gatestrom sich da einstellen würde

Hier nochmal die Grundlagen:

http://de.wikipedia.org/wiki/Feldeffekttransistor

[Helmut L. (helmi1)]

Jan R. schrieb:
> Nein der widerstand ist zwischen source und masse ich möchte wisssen,
> was für ein gatestrom sich da einstellen würde und wie man das aus der
> kennlinie erfährt?

Ausser dem Leckstrom fliesst durch das Gate kein Strom. Je nach Type 
einige nA bis uA.

[Jan R. (Gast)]

Helmut Lenzen schrieb:
> Jan R. schrieb:
>> Nein der widerstand ist zwischen source und masse ich möchte wisssen,
>> was für ein gatestrom sich da einstellen würde und wie man das aus der
>> kennlinie erfährt?
>
> Ausser dem Leckstrom fliesst durch das Gate kein Strom. Je nach Type
> einige nA bis uA.

Hallo,

Ich will vom Gate nichts wissen. In meinem Schaltplan ist ein 1k 
widerstand wie groß ist der Strom in diesem, wie kann ich den mithilfe 
der kenntliche bestimmen
.

[Helmut L. (helmi1)]

Jan R. schrieb:
> Hallo,
>
> Ich will vom Gate nichts wissen.

Hallo zurueck.

>> was für ein gatestrom sich da einstellen würde

Das ist deine Frage gewesen nur zur Erinnerung.

[Jan R. (Gast)]

Helmut Lenzen schrieb:
> Jan R. schrieb:
>> Hallo,
>>
>> Ich will vom Gate nichts wissen.
>
> Hallo zurueck.
>
>>> was für ein gatestrom sich da einstellen würde
>
> Das ist deine Frage gewesen nur zur Erinnerung.

oh mist drain source strom meine ich...

ich dachte die ganze zeit was wollen die alle mit Gate...

[Helmut L. (helmi1)]

Jan R. schrieb:
> ich dachte die ganze zeit was wollen die alle mit Gate...

Nun ja.


Hiermal die Gleichung vom J-FET (kann man nur weiter sperren durch 
negative Gate Sourcespannung):

UGS = Up(1 - sqrt(ID/IDS))


UGS = die Spannung zwischen Gate und Source fuer den Strom ID

UP = Spannung zwischen Gate und Source fuer den Strom 0 (Pitch 
Offspannung)
     (steht im Datenblatt)

IDS = Strom durch den FET bei Gate-Source Spannung von 0V (also 
maximaler   Strom durch den FET)
     (steht im Datenblatt)