Moin Leute, ich suche zur Zeit ein N-Kanal Mosfet könnt ihr mir da weiterhelfen bzw. mir Empfehlungen geben. Ptot= mindestens 30W Uds>=350V Arbeitsbereich´im Frequenbereich kHz Bereich Ugs beliebig, müsste aber bei den meisten MOSFET um die 4V sein nun kommt die Besonderheit, die ich bei diesem Bauteil benötige bzw ich schon etwas länger suche. Die Fall Time und Raise Time sollten im unteren ns Bereich sein <10ns. AKtuell verwende ich den SPP07N60C3 http://www.mouser.com/ds/2/196/SPP_A....3.2-98264.pdf Aber ich würde gerne auf einen schnelleres Modell umsteigen, ... Danke schon einmal vorab
Die Schaltgeschwindigkeit hängt davon ab, wie schnell die parasitären Kapazitäten umgeladen werden. Dafür ist maßgeblich der Gate-Treiber ausschlaggebend. Auch müssen die parasitären Induktivitäten minimiert werden, vorallem die Source-Induktivität. Ist das bei Dir schon optimiert? Vielleicht wäre auch GaN eine Alternative.
Ja, das ist insoweit schon geschehen, nur bei den Induktivitäten, ist es in meiner Schaltung nicht ganz realisierbar... Aber danke schon einmal vorab... Ich dachte vielleicht hat jemand bzw kennt jemand einen schnelleren Transistor mit einer geringeren Sperrschichtkapazität
@ Mirco (Gast) >Aber danke schon einmal vorab... Ich dachte vielleicht hat jemand bzw >kennt jemand einen schnelleren Transistor mit einer geringeren >Sperrschichtkapazität Beschreibe dein Problem und nicht deine vermeintliche Lösung. http://www.mikrocontroller.net/articles/Netiquette#Klare_Beschreibung_des_Problems
Mirco schrieb: > Ugs beliebig, müsste aber bei den meisten MOSFET um die 4V sein Kommt darauf an, wieviel Strom letztendlich fließen soll. Dauernd oder gepulst oder wie auch immer.
Der MOSFET ist ziemlich gut. Denke nicht dass du einen mit nennenswert weniger Gateladung und vergleichbarem Rds_on finden wirst, da musst du Kompromisse eingehen.
AOSMD ist cool!! Hab ich auch bei mir im Einsatz bei anderer Spannungsklasse. Der vorgeschlagene Typ ist bedeutend schneller als dein bisheriger Infineon Typ. Nur wie der andere Kollege schon geschrieben hat: Das geht alles nur wenn dein Treiber gut angebunden ist und du die parasitären Induktivitäten deiner Endstufe minimierst. Am besten 4 Lagen Platine mit oben Power, dann GND, dann Gate und Source der MOSFETs auf der 3. Ebene eng beieinander und dann unten wieder GND. Das machst du in den Bereichen wo die Ansteuerleitungen liegen. Das minimiert die parasitären Induktivitäten im Ansteuerkreis massiv und die Fasuformal 10nH/cm ist nicht mehr gültig. Natürlich dann auch noch die Schleifenlänmge minimieren zwischen Zwischnekreiskondensor und GND und den MOSFETs dazwischen Du solltest auch für jeden MOSFET einen einzelnen Treiber verwenden und keinesfalls einen 3-Phasen treiber mit einer einzigen Leitung der Lowside-Sources denn sonst hast du hier wieder hohe Induktivität. P.S. Was willst du denn bauen weshalb deine Anstiegszeiten (der Spannung) so klein sein muss. Bringt ja alles nix wenn die Last ne hohe Induktivität hat und du zwar ne schnelle Spannungänderung aber eine langsame Stromänderung hast. Macht dir ja sogar nur die EMV böse. Habe bei mir MOSFETs + Endstfe die ne Risetime von 6ns haben und musste wegen EMV auf 300ns erhöhen...
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