Wenn ich die Möglichkeit habe eine dicke Leitung / Massefläche etc. entweder mit einem 0,9mm Via oder 4 0,3mm Vias zu kontaktieren, welche Variante ist besser hinsichtlich EMV, Zuverlässigkeit etc.? Ich hab da leider mehrere unterschiedliche Meinungen gehört.
Da wirst Du hier "leider" auch mehrere unterschiedliche Meinungen lesen. Das ist nun mal von der speziell benötigten Funktion der Vias abhängig und wie man die Vor- und Nachteile wichtet und danach eine Variante auswählt.
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Was sind dann die elektrischen Vorteile von kleinen bzw. großen VIAs? Vernachlässigen wir mal den Platzbedarf und die Kosten.
@ Martin (Gast) >Was sind dann die elektrischen Vorteile von kleinen bzw. großen VIAs? Mal rechnen. Ein VIA ist quasi ein dünnwandinges Kupferrohr. A = Aa - Ai = Pi / 4 * (da^2 -di^2) da = di + 0,025mm (minimale Kupferstärke in VIAs) -> di = 0,9mm A = 0,036 mm^2 di = 0,3mm A = 0,012 mm^2 Daraus erkennt man schon, dass der effektive Querschnitt mit dem Durchmesser quadratisch steigt und somit die Strombelastbarkeit. Allerdings wird die Kühlung relativ gesehen schlechter. http://www.fs-leiterplatten.de/technik/layout-tipps/elektrische-bemessungsrichtlinien/ Praktisch wird man meist ein größeres VIA machen. Bei thermischen VIAs eher die kleineren, u.a. damit das Lötzinn vom Thermal Pad nicht so stark abfließt.
Martin schrieb: > Ich hab da leider mehrere unterschiedliche Meinungen gehört. Nun das sind die Vor- und Nachteile sicher schon durchgekaut worden.
Falk Brunner schrieb: > @ Martin (Gast) > di = 0,9mm A = 0,036 mm^2 > di = 0,3mm A = 0,012 mm^2 > > Daraus erkennt man schon, dass der effektive Querschnitt mit dem > Durchmesser quadratisch steigt und somit die Strombelastbarkeit. Ich seh da keinen quadratischen Anstieg :P Und wenn man vier von den kleinen nimmt (wie vom TE gewünscht), kommt man auf 0.048mm².
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@ Detlef Kunz (adenin) >Ich seh da keinen quadratischen Anstieg :P Hmm, man sollte die Formel halt mal komplett ausschreiben 8-0 A = Aa - Ai = Pi / 4 * (da^2 -di^2) da = di + 0,025mm (minimale Kupferstärke in VIAs) da^2 = di^2 + 2*di*0,025mm +0,025mm^2 -> A = Pi / 4 * (0,05mm*di + 0,000625mm^2) = 0,039mm * di + 0,49e-3 mm^2 >Und wenn man vier von den kleinen nimmt (wie vom TE gewünscht), kommt >man auf 0.048mm². Sieht wohl so aus ;-)
Wie sieht es EMV-mäßig aus? Da sollten doch mehrere kleine besser sein wegen der dann parallelgeschalteten Induktivitäten, oder?
@ Martin (Gast) >Wie sieht es EMV-mäßig aus? Da sollten doch mehrere kleine besser sein >wegen der dann parallelgeschalteten Induktivitäten, oder? Das spielt erst bei WIRKLICH schnellen ICs in fetten BGA-Gehäusen und Anstiegszeiten unterhalbt 2ns oder so eine Rolle. Für die normale EMV, sprich Abstrahlung, spielt es keinerlei Rolle.
1 | Leiterquerschnitt = pi * CuSchichtdicke * (Viadurchmesser + CuSchichtdicke) |
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Falk Brunner schrieb: > A = Pi / 4 * (0,05mm*di + 0,000625mm^2) > = 0,039mm * di + 0,49e-3 mm^2 Schön, also steigt der Querschnitt quadratisch mit der Cu-Dicke, aber linear mit dem Durchmesser - wo bitte ist da jetzt die behauptete quadratische Abhängigkeit vom Via-Durchmesser??? Gruss Reinhard
Falk Brunner schrieb: > di = 0,9mm A = 0,036 mm^2 > di = 0,3mm A = 0,012 mm^2 > > Daraus erkennt man schon, dass der effektive Querschnitt mit dem > Durchmesser quadratisch steigt und somit die Strombelastbarkeit. > Allerdings wird die Kühlung relativ gesehen schlechter. Also ich sehe da beidesmal den Faktor 3... Da werden wir uns wohl nicht einigen können. Gruss Reinhard
Die Kupferfläche eines Vias ist proportional zum Kreisumfang (nicht zur Kreisfläche) und somit natürlich nicht quadratisch vom Radius abhängig.
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