Forum: Analoge Elektronik und Schaltungstechnik Drain-Source-Kapazität


Drain-Source-Kapazität
von Tim W. (smokingunited)

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Moin,
Kann mir jemand erklären, wodurch die Drain-Source-Kapazität beim MOSFET 
entsteht?
Die Entstehung der anderen beiden Kapazitäten (C_GS und C_GD) sind 
leicht zu verstehen: Metall und Halbleitermaterial sind Elektroden und 
das Oxid ist das Dielektrikum.
Wo ist diese Analogie bei C_DS?

Gruß Tim

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Re: Drain-Source-Kapazität
von Wolfgang (Gast)

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Tim W. schrieb:
> Wo ist diese Analogie bei C_DS?

D und S sind das Halbleitermaterial von D und S, die Isolierschicht ist 
die Isolierung zum Substrat und der (zusammengeschnürte) Kanal vorm Gate
http://de.wikipedia.org/wiki/Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor#Grunds.C3.A4tzlicher_Aufbau_und_physikalische_Funktion

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