Servus! Ich möchte eine Stromquelle mit einem MOSFET aufbauen (Verarmungstyp). Ich kenne solche FET Stromquellen eigentlich nur mit JFETs. Da ich aber einen Strom von ca 28mA benötige und eine maximale Verlustleistung von ca. 1,2W auf dem FET (bis zu 30V Vds) habe, greife ich auf einen MOSFET zurück. - Diese Stromquelle muss auch nicht sonderlich stabil sein (im Bezug auf Spannungabhängigkeit, Temperatur, etc.) jedoch mind. 28mA liefern. Ich habe nun ein solche Stromquelle simuliert. Dabei viel mir ein Knick in der Kennlinie ins Auge. - Dieser macht sich bei einem kleinerem Id noch viel mehr bemerkbar. (vgl. R9_25Ohm und R9_250Ohm) Kann mir jemand erklären wie es dazu kommt?
@ Erwin (Gast) >Ich möchte eine Stromquelle mit einem MOSFET aufbauen (Verarmungstyp). Warum? Das ist ein SEHR unüblicher MOSFET-Typ. Siehe FET. Die meisten nutzen entweder JFET oder MOSFET Anreicherungstyp. >Ich kenne solche FET Stromquellen eigentlich nur mit JFETs. Warum nutzt du sie dann nicht? > Da ich aber >einen Strom von ca 28mA benötige und eine maximale Verlustleistung von >ca. 1,2W auf dem FET (bis zu 30V Vds) habe, greife ich auf einen MOSFET >zurück. - Diese Stromquelle muss auch nicht sonderlich stabil sein (im >Bezug auf Spannungabhängigkeit, Temperatur, etc.) jedoch mind. 28mA >liefern. LM334 + PNP Transistor. >Kann mir jemand erklären wie es dazu kommt? Hmm, gute Frage. Jedenfalls ist die Stromquelle ab einer bstimmten Spannung keine Stromquelle mehr.
ICh glaube da stimmt was nicht mit dem Arbeitspunkt. Oder das Modell vom FET hat ne Macke?
Falk Brunner schrieb: >> Da ich aber >>einen Strom von ca 28mA benötige und eine maximale Verlustleistung von >>ca. 1,2W auf dem FET (bis zu 30V Vds) habe, greife ich auf einen MOSFET >>zurück. - Diese Stromquelle muss auch nicht sonderlich stabil sein (im >>Bezug auf Spannungabhängigkeit, Temperatur, etc.) jedoch mind. 28mA >>liefern. > > LM334 + PNP Transistor. Nur ist das dynamisch instabil und muss mit einer RC-Kombination stabilisiert werden. Eine Alternative wäre die Parallelschaltung mehrerer JFET-Stromquellen. Z.B. 3xBF245C mit je 10mA.
Da stimmt prinzipiell was nicht. über den 0,1Ohm Widerstand fallen bei dir 23,7V ab, ein wenig viel, laut Meister Ohm. Sieht eher nach 1kOhm aus.
Dann bau' halt eine Stromquelle mit einen normalen bipolaren Transistor und zwei Dioden oder einen TL431 auf. Grüße Löti
@Franz: Die Werte, die neben der Schaltung stehen, sind alte Simulationswerte; diese Stimmen nicht mit den Bauteilwerten überein. @ArnoR: Parallelschaltung fertiger JFET Stromquellen ist eine Alternative. @Falk Die Stromquelle soll als "dynamischer" Pulldown dienen. d.h. Im Kurzschlussfall soll nicht unnötig viel Leistung verbraten werden. Und im Fall einer Belastung mit einem Verbraucher soll genung Strom zur Verfügung stehen. (siehe Bilder) @Lothar Die minimale Spannung die an der Stromquelle abfällt soll so klein wie möglich sein. Desweiterem soll die Schaltung passiv arbeite. Im Falle einer Lösung mit beipolar Transistoren kommt man nicht unter 1,4V wenn die Stromquelle nicht extra versorgt werden soll.
So, ich hab die Schaltung mal aufgebaut und zwar mit einem BSP149 statt mit einem BSS149. - Und siehe da, auch die reale Schaltung weist einen ähnlichen Knick auf. Kann sich jemand diesen Knick erklären? Aufbau wie oben nur statt BSS149 BSP149 und der Widerstand Gate und Source ist 40Ohm. Anhang Messung. Datenblatt unter http://www.infineon.com/dgdl/BSP149_Rev2.1.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433c1a8752013c1fcbb815397c
Hmm... Wie soll das Diagramm diesen Effekt erklären. Meinst du das die Selbsterwärmung dazu führt, dass mehr Strom fließt? Habe den FET mit Kältespray gequält, jedoch hat das den Strom nicht wesentlich verändert...
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