Hallo, ich versuche mich in die Schaltungstechnik einzuarbeiten. Ich bin gerade bei MOSFETS und ihrer Ansteuerung. Ich habe öfters gesehen, dass zwischen Gate und Source eine Spannung (z.B. PWM) angelegt wird, aber auch z.B. nur am Gate (wahrscheinlich gegen Masse). Worin liegt der Unterschied zwischen beiden Varianten? Danke.
Der MOSFET reagiert nur auf die Spannung zwischen Gate und Source. Wenn die Spannung wo anders anliegt dann geht das halt über irgendwelche Bauteile auch wieder an die Source. Kommt dann halt auf die Schaltung drauf an.
Das ist mir beispielsweise bei Halbbrücken aufgefallen. Ist das beim IGBT genauso?
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