Auswahl Transitor

[Roland (Gast)]

Hallo,

ich habe mal eine Frage zu allgemeinen Auswahlkriterien für 
Transistoren.

Wann benützt Ihr zum Beispiel einen
> Bipolaren
> JFET
> MOSFET
> IGBT
...

Im Bezug auf zu schaltende Spannung, Strom, Schaltfrequenz, 
Verlustleistung...
Gibgt es sowas wie eine "Faustregel" wann welcher Typ verwendet werden 
sollte?

[Ayk N. (ayk-ohm)]

Bipolare nehme ich hauptsächlich für Steuerungen und kleine zu 
schaltende Ströme, außerdem noch für Lineare Regler oder Verstärker. 
Dann gibt es noch hochfrequenz Typen für Sender bzw. Empfänger u.a. auch 
UKW Radios.

MOSFETs nutze ich für PWM Endstufen, um Motoren oder Lampen zu steuern.

JFETs und IGBTs nutze ich nicht, da IGBTs für hohe Ströme bei hoher 
Spannung z.B. Wechselrichter gedacht sind. JFETs kann man höchsten für 
HIFI Esoterik nutzen, ansonsten sind die aus meiner Sicht nicht wichtig.

[Roland .. (rowland)]

Ayk N. schrieb:
> da IGBTs für hohe Ströme bei hoher
> Spannung z.B. Wechselrichter gedacht sind.

Da die Spannungsfestigkeit von MOSFETs heutzutage bereits sehr hoch ist, 
werden in normalen 230V Wechselrichtern hauptsächlich MOSFETs 
eingesetzt, da die Verluste über den On-Widerstand geringer sind, als 
die Verluste über die CE-Spannung eines IGBTs.

[Falk B. (falk)]

http://www.mikrocontroller.net/articles/Transistor#Wann_setzt_man_einen_MOSFET.2C_Bipolartransistor.2C_IGBT_oder_Thyristor_ein_.3F


@ Roland ... (rowland)

>> da IGBTs für hohe Ströme bei hoher
>> Spannung z.B. Wechselrichter gedacht sind.

>Da die Spannungsfestigkeit von MOSFETs heutzutage bereits sehr hoch ist,

Das allein reicht nicht.

>werden in normalen 230V Wechselrichtern hauptsächlich MOSFETs
>eingesetzt,

Beispiel?

> da die Verluste über den On-Widerstand geringer sind, als
>die Verluste über die CE-Spannung eines IGBTs.

Nö.

Nimm mal 600V MOSFETs und 600V IGBTs und vergleiche.

[Ayk N. (ayk-ohm)]

Roland ... schrieb:
> Da die Spannungsfestigkeit von MOSFETs heutzutage bereits sehr hoch ist,
> werden in normalen 230V Wechselrichtern hauptsächlich MOSFETs
> eingesetzt, da die Verluste über den On-Widerstand geringer sind, als
> die Verluste über die CE-Spannung eines IGBTs.

Das stimmt, allerdings werden in der Industrie ebenfalls Wechselrichter 
(ich zähle Umrichter dazu) genutzt, die mit viel höheren Spannungen und 
Strömen arbeiten. Dort werden IGBTs hauptsächlich gebraucht.

[Roland .. (rowland)]

Falk Brunner schrieb:
> Nimm mal 600V MOSFETs und 600V IGBTs und vergleiche.

Hab ich gemacht. Die besseren MOSFETs von Vishay haben einen Rson von 
~0,1 Ohm. Die besseren IGBTs von IRF eine UCE-Spannung von ~2V. Nimmt 
man nun einen Strom von 10A an (2kW Wechselrichter) setzt ein MOSFET 
10W, ein IGBT 20W in Wärme um (Verluste wärend des Umschaltens nicht 
berücksichtigt).

Falk Brunner schrieb:
> Beispiel?

* IVT SW1200
* IVT PT1200
* 1kW Mobitronic (Sinuswechselrichter)
* 1kW Wandler von Solartronics