Hallo zusammen, ich habe einen kleinen FET-Rechteckgenerator aufgebaut wie im obenstehenden Schaltplan. Die Simulation gibt auch recht gut das Bild auf dem Oszilloskop wieder. Was mich noch tierisch stört ist das langsame Abschalten der Gatespannung - mit dem IRB4110 wäre sonst noch mehr möglich. Kennt jemand einen Tipp, die FET-Ansteuerung zu beschleunigen? Viele Grüße
Walter Tarpan schrieb: > Kennt jemand einen Tipp, die FET-Ansteuerung zu beschleunigen? Sowas baut man nicht mehr diskret, sondern nimmt einen der unzähligen, genau dafür gemachten Mosfettreiber-ICs. Z.B. TC1410/11, TC442x usw.
Walter Tarpan schrieb: > Was mich noch tierisch stört ist das langsame Abschalten der > Gatespannung - mit dem IRB4110 wäre sonst noch mehr möglich. > > Kennt jemand einen Tipp, die FET-Ansteuerung zu beschleunigen? Q6 kriegt nicht genug Basisstrom aus R2. Zumal Q6 ja extra noch die LED treiben muß. Q1 kriegt dafür jede Menge Basisstrom und wird gnadenlos in die Sättigung getrieben. Vermutlich steigt schon die Spannung am Kollektor von Q1 nur langsam an. Für einen so dicken FET dürfen Q3/Q6 auch dicker sein. BC806/807 z.B. XL
Wenn du unbedingt bei deiner Schaltung bleiben willst, dann nimm R111 raus und mach R2 niederohmiger.
Axel Schwenke schrieb: > Vermutlich steigt schon die Spannung am > Kollektor von Q1 nur langsam an. V1 (rot) ist ja noch schön schnell und die Basisspannung an Q6 (kein Plot) während des gesamten Zeitverlaufs dazu nahezu proportional. So einfach ist es also leider nicht.
Walter Tarpan schrieb: > Axel Schwenke schrieb: >> Vermutlich steigt schon die Spannung am >> Kollektor von Q1 nur langsam an. > > V1 (rot) ist ja noch schön schnell und die Basisspannung an Q6 (kein > Plot) während des gesamten Zeitverlaufs dazu nahezu proportional. So > einfach ist es also leider nicht. Der Haupteffekt ist auch der viel zu kleine Steuerstrom für Q6, der wiederum zu zuwenig Entladestrom für das Gate führt. Der "Knick" in U(v2) respektive U(gate) ist an der Stelle, wo die Drainspannung von M3 ansteigt und seine Miller-Kapazität wirksam wird. Je mehr Strom Q6 ableiten könnte, desto kürzer würde das Plateau. XL
Walter Tarpan schrieb: > V1 (rot) ist ja noch schön schnell und die Basisspannung an Q6 (kein > Plot) während des gesamten Zeitverlaufs dazu nahezu proportional. Ach ja. Viel wichtiger als die Spannung ist der Verlauf des Basisstroms in Q6 (vulgo: der Strom durch R111). Kannst du den mal plotten? XL
Hallo Axel, Axel Schwenke schrieb: > Für einen so dicken FET dürfen Q3/Q6 auch dicker sein. BC806/807 ich habe Q3 und Q6 mal durch BC817 ersetzt (Komplementärtyp zu BC807) und R2 verkleinert. Den Basisstrom durch R111 habe ich auch mal geplottet (dafür den Zielstrom durch R1 zur Übersicht weggelassen). Das Ganze sieht schon deutlich besser aus.
Ich habe jetzt noch R2 auf vertretbare 2k2 verkleinert und bin mit dem Ergebnis sehr zufrieden - zumal ich das Layout nicht ändern muß. Vielen Dank für die Hilfe und einen schönen OV-Abend!
Axel R. schrieb: > Probier mal noch einen C (100n..470n) über R111. Hmm...das beeinflußt den simulierten Verlauf kaum. Aber er ist so schon gut genug. Jetzt muß nur der tatsächliche Aufbau mitziehen. Das wird das Wochenende zeigen. Viele Grüße
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