Hich stehe gerade etwas auf dem Schlauch: Normalerweise wir ja ein N-Mosfet so genutzt: VCC - Last - [Mosfet Drain - Mosfet Source] - Masse kein Problem soweit. Jetzt wollte ich eine H-Brücke bauen. Also 4x N-Mosfet. Der Einfachheit halber betrachten wir hier nur den halben Zweig (also 2x N-Mosfet) - so habe ich es dann testweise auch mal aufgebaut. Da sieht es dann so aus: VCC - [Mosfet 1 Drain - Mosfet 1 Source] - Last - [Mosfet 2 Drain - Mosfet 2 Source] - Masse Soweit auch kein Problem, nur nun wird Mosfet 1 sauheiß. Der Innenwiderstand ist dann wohl zu hoch, denn es fließt insg. auch rund 35% weniger Strom als zu erwarten. Mosfet 2 ist das egal, der leitet brav gegen Masse und bleibt kalt. Eckdaten: Mosfet: AO4882 (Datenblatt: http://aosmd.com/res/data_sheets/AO4882.pdf). Die Spannungen kommen von 2 Labornetzteilen, Die beiden Massen sind verbunden. VCC ist 20 Volt, V Gate ist 10 Volt (aber ob 5 oder 15 ist egal, keine Änderung). Der R Gate ist 20 Ohm (aber auch 50 oder 100 machen keinen Unterschied). Es wird also wohl daran liegen, dass dieser Mosfet es nicht mag, dass die Last zwischen Source und GND liegt und nicht zwischen VCC und Drain. Aber warum? Das ist doch so eine typische H-Brückenbeschaltung mit 4x N-Mosfet. Woran erkenne ich so etwas im Datenblatt des Mosfets ob der dafür geeignet ist oder nicht? Oder mache ich hier was falsch? Dankeschön im Voraus für Euren erhellenden Input. Rolf
äh - Titel war noch nicht fertig. Fall ein Moderator dies sieht: bitte Titel ergänzen in "N-Mosfet - Unterschied ob Last an Source oder Drain?" Danke
Der obere MOSFET bei einer Brücke ist normalerweise ein P-Kanal, anderenfalls müsste die Gate-Spannung oberhalb von VCC liegen.
Rolf schrieb: > Es wird also wohl daran liegen, dass dieser Mosfet es nicht mag, dass > die Last zwischen Source und GND liegt Das ist dem Mosfet ziemlich egal. Was er nicht mag, ist die Tatsache, das die UGS-Spannung zu gering ist. Die Ansteuerspannung für das Gate muss höher als Dein Vcc sein. Gruss Harald
Einem zu geringem UGS sieht der MOSFET ganz gelassen entgegen, da macht er einfach nix, sprich der Drain Strom geht gegen Null. Das dein FET jetzt heiß wird spricht allerdings nicht für einen geringen Drain Strom, im Gegenteil, der fließt! Und durch die hohe UDS spannung, die du durch die geringe Spannung am Gate vom MOSFET 1 erzwingst verbräts du dabei auch noch ordentlich Leistung. Nimm einen P-Typ oder setze die Gate-Spannung des oberen Transistors auf VCC.
KKlaus schrieb: > Einem zu geringem UGS sieht der MOSFET ganz gelassen entgegen, da macht > er einfach nix, sprich der Drain Strom geht gegen Null. Aber nicht, wenn die Ugs oberhalb der Schwellspannung liegt. Dann kommt es zu der vom TE geschilderten Situation der halben Durchsteuerung. Gruss Harald
"halbe Durchsteuerung" sagt mir nix. Wohl aber der Sättigungseffekt des MOSFETS, der eintritt wenn Ugs in Bezug zu Uds zu klein ist. Eine Erhöhung der Gate Spannung am MOSFET1 wird vorallem eine Reduzierung von Uds bewirken und damit die Verlustleistung reduzieren. Mal ne Frage an den TE: wie hoch ist denn der gewünschte Drainstrom.
KKlaus schrieb: > "halbe Durchsteuerung" sagt mir nix. Wohl aber der Sättigungseffekt des > MOSFETS, Damit war gemeint, das der MOSFET eben nicht bis zur Sättigung gesteuert wird, sondern nur soweit aufgesteuert, das die Ugs etwa der Schwellspannung (threshold) entspricht. Damit hat man natürlich eine hohe Verlustleistung am FET. Gruss Harald
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