Hallo zusammen, Ich habe meine erste schaltung vor einem Monat fertig gestellt. Damals habe ich an meinen atmega8 an den ausgängen jeweils einen bss138 geschaltet mit 10kohm widerstand um damit leds zu schalten. In meinem nächsten projekt möchte ich noch mehr leds über einen port des atmegas steuern. Das problem ist das ich pro ausgang jetzt leds mit ca. 1.0 ampere habe und diese gerne noch mittels pwm dimmen möchte. Der bss138 schafft die 1.0 ampere nicht. Wie kann ich mir jetzt am besten errechnen welcher MOSFET fur mich am betsen geeignet ist. Muss ich bezuglich der pwm frequenz etwas beachten. Sagen wir ich hätte eine frequenz von ca. 1 khz und möchte die leds über den duty cycle dimmen. Hat die frequenz einen einfluss auf die auswahl des MOSFETs? Noch weiter. Wie kann ich den benotigten widerstand berechnen den ich an den MOSFET anschliessen muss. Achja die spannung die an den LEDs anliegt ist 12V. Danke für eure hilfe
Mike88 schrieb: > Hat die frequenz einen einfluss auf die auswahl des MOSFETs? Indirekt ja. Bei großer Gatekapazität des MOSFETs kann der Umladestrom zum Problem werden, weshalb man Gatetreiber einsetzt. Bei Deinen 1kHz bei 1A aber eher nicht relevant. Wichtiges MOSFET-Kriterium, er sollte bei 5V schon gut durchschalten, also am besten Logiclevel-Typen, wenn er direkt (oder besser mit kleinem Gatewiderstand) am µC-Pin angeschlossen wird. Eine kleine Übersicht von gängigen MOSFETs gibts hier im Artikelbereich.
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ok da habe ich jetzt den hier gefunden. der ist auch nicht so teuer. IRLML2502 Diesen kann ich scheinbar bei 70°C noch mit 3.4 Ampere betreiben (bei 25°C mit 4.2A). Was genau sagt mir die Power Dissipation. Immerhin gehen ja bei 12V und 1A: 12W und die Power Dissipation ist nur zwischen 0.8W und 1.25W. Und an Gate und Source häng ich dann wieder einen 10kOhm widerstand oder brauch ich da ne andere grösse? Danke
Dissipation = Verluste. Die 12V * 1A werden wohl kaum am MOSFET umgesetzt werden... > Und an Gate und Source häng ich dann wieder einen 10kOhm widerstand oder > brauch ich da ne andere grösse? Ja, damit beim µC Start der MOSFET sperrt. Zwischen Gate und µC-Pin dann noch so ~200Ohm, damit der µC nicht so gefoltert wird.
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Mike88 schrieb: > Was genau sagt mir die Power Dissipation. Immerhin gehen ja bei 12V und > 1A: 12W und die Power Dissipation ist nur zwischen 0.8W und 1.25W Power Dissipation ist die Verlustleistung am Mosfet: P=I²*Rdson
Danke für die Antwort. Wenn ich das richtig verstanden habe dann meinst du es so oder?
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