H-Brücke mit FET, Substratdioden ausreichend als Freilaufdiode?

[J. T. (chaoskind)]

MoinMoin,
ich bastel grad meine erste H-Brücke mit Feldeffekttransistoren, und bei 
"normalen" bipolaren braucht man ja Freilaufdioden, wenn man induktive 
Lasten wie Motoren betreibt. Sind die Substratdioden ausreichend?

MfG und vielen Dank,
Chaos

[Klaus R. (klara)]

j. t. schrieb:
> Feldeffekttransistoren

Haben die Substratdioden? Welche Typen meinst Du denn genau?
Gruss Klaus.

[Ulrich (Gast)]

Bei einer Schaltung zum treiben von Motoren werden es Wohl schon MOSFETs 
sein, und die haben in der normalen Ausführung die Substratdiode.

In den meisten Fällen werden die Substratdioden ausreichen, sofern die 
Schaltfrequenz nicht sehr hoch ist. Extra Dioden können die 
Schaltverluste reduzieren (weniger Spannung und schneller). Die MOSFETs 
können ggf. auch aktiv die Funktion der Freilaufdioden übernehmen, so 
dass die Dioden nur noch für die recht kurze Totzeit benötigt werden.

Gerade bei alten MOSFETs waren die Substratdioden recht langsam und 
damit die Verluste ggf. auch zu hoch. Bei vielen neueren MOSFETs sind 
die Dioden schon relativ schnell - es sind aber auch nicht alle gleich. 
Es hängt auch von der Anwendung ab, ob die Dioden überhaupt schnell sein 
müssen. Kritisch ist vor allem wenn vor dem Abklingen des Stromes wieder 
eingeschaltet wird, etwa bei schnellem PWM mit Induktiver Last.

[Maik W. (werner01)]

so ne Diode mit ultrafast und soft recovery mußt du nehmen wenn Du 
Induktivitäten schalten willst und du sicher gehen willst das der Trafo 
beim Umschaltvorgang auch leer ist.