Hi, bin gerade am Verzweifeln, vielleicht kann mir jemand helfen: Habe folgende Simulation: Ein Laderegler (Eingang ist hier einfach eine Spannungsquelle mit 24 V, in real sind es Solarmodule)läd einen Akku PW-moduliert. (100 Hz, Tastverhältnis 0,99) Der Akku ist zwar nicht in der Simulation, dafür aber einfach eine ohmsche Last mit 500 Watt. Es in der Simulation darum, herauszufinden ab welcher Frequenz die dynamischen Umschaltverluste an den Mosfets so groß sind, dass sie nicht mehr vernachlässigbar sind. Da ich P-Kanal Mosfets habe, dachte ich mir dass ich nun einfach an Gate und Source eine Rechteckquelle anlege und den "Series Resistance" dieser Rechteckquelle schrittweise höher mache. Das hat ja zur Folge dass sich die Kapazitäten am Mosfet langsamer umladen können... So weit so gut, wenn ich diesen "Series Resistance" unter 50 Ohm lasse bekomme ich eine schöne Kurve mit Drainstrom, der Uds-Spannung und eingezeichnet und der Verlustleistung(grün). Siehe "Plot1" Sobald ich aber den "Series Resistance" z.B. 200 Ohm mache, bekommt meine Kurve für die Mosfet-Leistung unerklärbare Spikes, teilweise bis ein paar Megawatt (Je nachdem, wenn ich 200,1 Ohm wähle kanns schon wieder anders sein) Zudem rechnet LTspice 5 minuten lang...Siehe Screenshot Kann sich das jemand erklären? Kann das irgendwie an einer Rechenungenauigkeit von LTspice liegen? Oder wo ist mein Denkfehler? Danke schonmal!! Gruß
Gewöhne dir in Zukunft mal deine Knoten Namen zu geben. So dauert es Ewigkeiten für einen Ausenstehenden die Formel überhaupt ansatzweise zu verstehen. Das nur mal nebenbei.
@Dennis X, ok Danke für den Tip, bin leider noch kein Experte in LTspice, habe es erst die letzten Tage angefangen..
Als Hinweis: Schau dir mal den Ströme an den Transistoren an. Hier treten Kurzschlussströme auf. an M4 und M3 fließen fast ständig ca. 2kA.
Zeitgeist stellte entsetzt fest:
>an M4 und M3 fließen fast ständig ca. 2kA.
Man muß sich wundern, daß das Netzteil des Simulationsrechners das
hergibt.
;-)
MfG Paul
Zeitgeist schrieb: > an M4 und M3 fließen fast ständig ca. 2kA Da hast Du tatsächlich recht, habs gerade überprüft und gesehen, dass ich eine Verbindung falsch gezeichnet hatte!! (Siehe Anhang) Habs jetzt nochmal durchlaufen lassen, die Spikes sind kleiner, aber trotzdem immer noch ein paar kW irgendwas stimmt nicht...
Thomas schrieb: > Habs jetzt nochmal durchlaufen lassen, die Spikes sind kleiner, aber > trotzdem immer noch ein paar kW irgendwas stimmt nicht... Hast du mal einen Spike aufintegriert? Nur weil der hoch ist, muss da nicht auch viel Energie umgesetzt werden.
Ich habe mal die Schaltung vereinfacht und umgezeichnet. M3 und M4 sind parallel, M1 und M2 sind parallel, also habe ich da je einen weggelassen. Ist die Schaltung so, wie du sie haben willst? Überprüfe das nochmal. Und korrigier mich, wenn ich etwas falsch abgezeichneit habe ... Kann auch passieren ;-)
Zeitgeist schrieb: > Ist die Schaltung so, wie du sie haben willst? @Zeitgeist, ja ich habs mir angeschaut das passt so! Wir haben eben 2 Mosfets parallel geschaltet, da wir einen hohen Strom von 27 Ampere schalten müssen und das ein Mosfet allein nicht kann. So wie in deiner Schaltung könnte ja man wiederum den Lastwiderstand von 0,86 Ohm verdoppeln, dann hätte man für einen Mosfet-Strang wieder die 13,5 Ampere die wir im Betrieb zulassen wollen.. Vielen Dank für Deine Mühe, den ersten Fehler bei mir ist ja schon gefunden :-;
Sven P. schrieb: > Hast du mal einen Spike aufintegriert? Nur weil der hoch ist, muss da > nicht auch viel Energie umgesetzt werden. Habe es jetzt gerade nochmals bei meiner korrigierten Schaltung ausprobiert (Da ist über einen Zeitraum von 5 Perioden nur ein einziger Peak jetzt aufgetreten. Aufintegriert hat der etwas mit 10 nanoJoule Energie, also vermutlich wirklich vernachlässigbar. Ich frage mich nur woher diese Spitzen kommen. Zeitlich sind die auch so kurz, dass ich in LTspice gar nicht mehr näher ranzoomen kann (siehe Anhang)...
wenn die FETs ausgeschaltet sind floaten ihre Sourcen und damit auch die Gates, die über die Rechteckquelle auf die Source bezogen sind. Solche hochohmigen Knoten können der Simulation evtl. Probleme machen. Schalte doch mal versuchsweise eine kleine Kapazität zwischen Source und Masse. In der realen Schaltung ist die über den Rechteckgenerator ja wohl auch gegeben.
Achim S. schrieb: > Schalte doch mal versuchsweise eine kleine Kapazität zwischen Source und > Masse. ...habe ich gerade gemacht. Ich hoffe ich hab dich richtig verstanden wie der Kondensator eingebaut werden soll (Siehe Anhang)? Meinst du dass der Rechteckgenerator in real über den Schutzleiter auch mit Masse der Schaltung verbunden ist und es so zu der Kapazität zwischen Source und Masse kommt? Oder wie muss ich das verstehen? Wir haben den Versuch schon mal in real aufgebaut mit einer Testplatine, da hatten wir den Rechteckgenerator allerdings extra an einen Trenntrafo gehängt (Weil wir sonst einen Kriechstrom übers Oszi gehabt hätten) ...nur scheint mein LTspice nun völlig überfordert zu sein und rechnet mir mit 12 fs/s die Simulation aus, das werd ich wohl nicht mehr erleben :-) Ich geb Bescheid wenns durch ist! @Zeitgeist: Konntest Du noch etwas herausfinden?
@Achim S. ..ok inzwischen ist die Simulation durch, der Peak ist kleiner geworden aber immer noch da. Siehe Anhang, grün=Verlustleistung am Mosfet blau=Ugs-Spannung
Ändere mal bei deinem Rechteckgenerator den internen Rser von 500 Ohm auf 10 Ohm - damit geht 1) die Simulation sehr viel schneller 2) ich habe bei meinem Aufbau keine Spikes mehr ;-)
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