Hallo zusammen, ich bin gerade dabei einen Wechselrichter zu reparieren. Einer der IGBT Treiber hat das Zeitliche gesegnet. Als ich die H Brücke durchgemessen habe, habe ich bei dieser Phase im Vergleich zu den anderen Phasen einen wesentlich geringeren Widerstand zwischen der den beiden DC Eingängen und dem AC Ausgang gemessen. Phase mit defektem IGBT Treiber: 5,5 bzw. 7 kOhm Die anderen beiden Phasen: um die 60 kOhm Die IGBT's sehen OK aus. Weist dieser Unterschied des Widerstandes zwangsläufig auf defekte IGBT's hin? Besten Dank :)
Ich habe mir gerade mal ein paar Seiten zu IGBT's durchgelesen: Scheinbar muss ja zum sicheren Sperren des IGBT's eine negative Gatespannung anliegen. Kann es vielleicht einfach sein, dass der IGBT nicht richtig sperrt, da die der Treiber abgeraucht ist und somit wahrscheinlich zum Abschalten keine negative Gatespannung angelegen hat? Oder hat noch jemand eine andere Idee?
Die Gate Emitter Widerstände der IGBT's sind in Ordnung (identisch mit den anderen Phasen). Allerdings sind die Kollektor-Emitter Widerstände ca. um Faktor 10 niedriger. Jemand eine Idee?
Defekte MOSFETs erkennt man häufig an einem Kurzschluss zwischen den Anschlüssen. Also mal alle MOSFETs prüfen. Joe
Lian_95 schrieb: > Die Gate Emitter Widerstände der IGBT's sind in Ordnung (identisch mit > den anderen Phasen). > Allerdings sind die Kollektor-Emitter Widerstände ca. um Faktor 10 > niedriger. > > Jemand eine Idee? Eine Strecke gibts da eigentlich nicht und einen Emitter auch nicht. Das Gate ist vom Drain und Source komplett hochohmig(>1Mohm). Die Drain-Source-Strecke kann da schon einen Defekt haben und einen niedrigen Widerstand aufweisen(hatte ich letzte Woche zufällig auch). Problem ist die Wärmekopplung zum Kühlkörper(falls es einen gibt). Mit silikonhaltiger Wärmeleitpaste baut man ein Versagen gleich mit ein wenn das Zeug nach einiger Zeit im kritischen Bereich austrocknet und dann nicht mehr so wirkt wie es soll. Ich hab mir mal Hochleistungswärmeleitpaste und einen neuen IGBT vom großen C geholt. Nach Einbau läufts wieder tadellos. Mal sehen wie lange.
Danke für die Antworten. In der Schaltung sind sieben IGBT parallel geschaltet, daher wäre der Widerstand bezogen auf den einzelnen IGBT sieben mal so hoch (vorausgesetzt alle haben den gleichen Widerstand). Also ergäbe das folgende Widerstände: Widerstand der einzelnen IGBT: Kollektor - Gate: 756 kΩ (1,25 MΩ) Gate - Emitter: 700kΩ (700kΩ) Kollektor - Emitter: 84kΩ (1 MΩ) Der Wert in den Klammern ist der Widerstand der Halbbrücken der anderen Phasen, diese Werte sollten in Ordnung sein. Da die Transistoren ziemlich fest eingeklebt sind, möchte ich sie nach Möglichkeit in der Schaltung prüfen und nicht auslöten wenn sie noch in Ordnung sein könnten.
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