Guten Abend, ich habe eine (wahrscheinlich relativ simple) Frage zu der Angehängten Schaltung. Es geht darum Vgs sowie Id zu berechnen. Gegeben ist neben den Angaben in der Schaltung noch Vth = 0,7V sowie kn = 0,05 mA/V^2. Ich bin jetzt an dem Punkt das ich Id mit der Formel Id = 1/2*kn*(Vgs - Vth)^2 brechnen möchte. Da mir allerdings Vgs fehlt halbe ich versucht es durch Folgendes zu ersetzen: Vgs = Vg - Vs Vg = 5V Vs = Id * 10000Ohm Jetzt das neue Vgs in die Formel eingesetzt und nach Id umgestellt. Allerdings kommt dabei für Id ca. 0,0004A raus. Die Musterlösung(welche leider ohne Rechenweg ist...) besagt allerdingsdas Id = 0,00017A ist. Könnte mir jemand sagen wie man auf diesen Wert kommt oder wo mein Fehler liegt ? Mit freundlichen Grüßen
Und wie sieht deine Grundformel für den Mosfet aus? Id = ... Ich erinnere mich, dass es Formel mit K und mit K/2 gibt.
Hm also ich kenne leider nur die oben genannte Grundformel für einen mosFET in der Sättigung: Id = 1/2*kn*(Vgs - Vth)^2. Mit freundlichen Grüßen
mosfett schrieb: > Hm also ich kenne leider nur die oben genannte Grundformel für einen > mosFET in der Sättigung: Id = 1/2*kn*(Vgs - Vth)^2. Meinste echt, das Gate hat keinen Hunger mehr?
Frank schrieb: > Meinste echt, das Gate hat keinen Hunger mehr? Mit dieser Antwort kann ich beim besten Willen nichts anfangen. Mit freundlichen Grüßen
Die Lösung ist ganz einfach. kn=0,05m = 0,00005 Damit kommt dann Ugs=3,3V -> Id=0,17mA
OAhh vielen dank, das hab ich echt komplett übersehen. Mit freundlichen Grüßen
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