Hallo Forum, ich habe hier ein kleines Verständnisproblem. Und zwar: Ein Mosfet ist ja im Sättigungsbereich wenn Uds>Ugs-Vth ist. Und der Pinchoff Point liegt ja bei Uds=Ugs-Vth. Im Sättigungsbereich ist der Mosfet eine Spannungsgesteuerte (Ugs) Stromquelle (Ids). Denn nach der Kennlinie her ändert sich der Strom Ids ja kaum noch wenn Uds weiter ansteigt. Nach dem Ohmschen Gesetz muss ja wenn I gleich bleibt aber U ansteigt auch R ansteigen. Demnach müsste ja der Rdson ab dem Pinchoff Point wieder ansteigen oder? Wenn man nun einen Mosfet im Schaltbetrieb benutzt (also Sättigungsbereich) schaut man ja immer nach dem Rdson um die Durchlassverluste zu berechnen. Aber der steigt ja an mit steigendem Uds. Was gibt denn der Rdson jetzt genau an im Datenblatt denn Uds kann sich ja ändern. Und der müsste doch im Pinchoff Point minimal sein oder? Betreibt man dann am besten den Mosfet im Schaltbetrieb knapp über dem Pichoff Point? Also ganz grob, wo sehe ich den Rdson am Ausgangskennlinienfeld? (Müsste ja die Steigung sein...) Im Linearen Bereich der Kennlinie ist der Mosfet ja ein Spannungsgesteuerter Widerstand. Also je nach Ugs besitzt er einen bestimmten Widerstand wodurch halt Ids mit Uds proportional steigt... Beim Bipolaren Transistor heißen die Bereiche ja genau andersrum. Warum so ein durcheinander? Der Bipolare Transistor ist ja in seinem Linearbereich eine Stromgesteuerte Stromquelle oder? Also je nach Ib ändert sich Ic unabhängig von Uce. ? Und im Sättigungsbereich besitzt der Transistor auch einen Widerstand der jedoch nicht von Ib beeinflusst werden kann. Soweit alles richtig??
Hilfesuchender schrieb: > Demnach müsste ja der Rdson ab dem Pinchoff Point wieder ansteigen oder? Nein, weil der RDSon den Widerstand vor dem Abschnürbereich bezeichnet. > Was gibt denn der Rdson jetzt genau an im Datenblatt Einen, der bei so hoher Ugs gemessen wurde, daß der MOSFET im gesamten zulässigen Strombereich nicht in den Abschnürbereich kommt, denn sonst wäre er ja nicht gesättigt durchgeschaltet sondern halbverhungert mit grosser Verlustleistung. Daher ist ein MOSFET nicht durchgeschaltet wenn Ugs > Uth liegt, sondern eher wenn Ugs > 2*Uth ist.
Also wird der Rdson vor Uds>Ugs-Uth angegeben? Im Linearen Bereich? Bevor der Knick in der Kennlinie ist? Aber Schaltbetrieb ist doch hinter dem Knick im Sättigungsbereich? Oder verdreh ich hier etwas?
Hilfesuchender schrieb: > Ein Mosfet ist ja im Sättigungsbereich wenn Uds>Ugs-Vth ist. > Und der Pinchoff Point liegt ja bei Uds=Ugs-Vth. > > Im Sättigungsbereich ist der Mosfet eine Spannungsgesteuerte (Ugs) > Stromquelle (Ids). Denn nach der Kennlinie her ändert sich der Strom Ids > ja kaum noch wenn Uds weiter ansteigt. > > Nach dem Ohmschen Gesetz muss ja wenn I gleich bleibt aber U ansteigt > auch R ansteigen. Bis hierher alles richtig. > Demnach müsste ja der Rdson ab dem Pinchoff Point wieder ansteigen oder? Ja, nur heißt er dann nicht mehr Rdson, sondern nur allenfalls noch Rds, den "on" ist der Mosfet im Sättigungsbereich nicht mehr. > Wenn man nun einen Mosfet im Schaltbetrieb benutzt (also > Sättigungsbereich) schaut man ja immer nach dem Rdson um die > Durchlassverluste zu berechnen. Der Mosfet ist dann nicht mehr im Sättigungs-, sondern im lineraren Bereich. > Also ganz grob, wo sehe ich den Rdson am Ausgangskennlinienfeld? (Müsste > ja die Steigung sein...) Der Rdson ist der Kehrwert der Steigung im linken Teil des Kennlinienfelds (also nahe bei Uds=0). > Im Linearen Bereich der Kennlinie ist der Mosfet ja ein > Spannungsgesteuerter Widerstand. Also je nach Ugs besitzt er einen > bestimmten Widerstand wodurch halt Ids mit Uds proportional steigt... Ja. > Beim Bipolaren Transistor heißen die Bereiche ja genau andersrum. Warum > so ein durcheinander? Weiß ich auch nicht. Das hat halt irgendjemand irgendwann einmal so festgelegt. Vielleicht hängt das damit zusammen, dass Mosfets meist im Schaltbetrieb und BJTs meist als lineare Verstärker genutzt werden. > Der Bipolare Transistor ist ja in seinem Linearbereich eine > Stromgesteuerte Stromquelle oder? Also je nach Ib ändert sich Ic > unabhängig von Uce. ? Ja. > Und im Sättigungsbereich besitzt der Transistor auch einen Widerstand > der jedoch nicht von Ib beeinflusst werden kann. Nein, das ohmsche Verhalten eines gesättigten BJTs ist im Vergleich zu einem voll durchgeschalteten Mosfet kaum ausgeprägt. Deswegen wird beim BJT kein "Rceon", sondern stattdessen die Ucesat angegeben.
Jetzt wird mir gerade so einiges klar. Also normalerweise möchte man nicht in den Sättigungsbereich übergehen. (Außer man möchte eine Stromquelle haben.. wobei ja die Verluste steigen..!?) Jetzt frage ich mich warum unser Prof uns Ids im Sättigungsbereich ausrechnen lässt. Interessiert doch keinen weil man da nicht hin möchte... Bzw. der Mosfet es wohl eh nicht lange aushält und verbraten wird.... Normaler Betrieb eines Mosfets ist also vor dem Pinchoff Point.
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Bearbeitet durch User
Na ja, im Schaltbetrieb will man satt durchschalten bis zum RDSon, im linearen Analogbetrieb wie für Audiovrstärker fährt man im abschnürenden Bereich. Allerdings werden 99% der MOSFET Anwendungen im Schaltbetrieb sein, wenn man Chips wie den Pentium mitzählt sogar 99.9999%
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