Kennlinie Transistor

[Marco V. (overmind)]

Hallo Zusammen,

Bei einem Transistor den Ich für eine Open-Collector-Schaltung mit 
Srombegrenzung verwenden möchte, bräuchte Ich einen Zusammenhabg 
zwischen der Basis-Emitter-Spannung und dem Basisstrom.
Leider finde Ich im Datenblatt keinen direkten Zusammenhang bzw. eine 
Kennlinie die den Verlauf der Basis-Emitter-Spannung in Abhängigkeit des 
Basisstromes zeigt.
Im Anhang befindet sich das Datenblatt. Auf Seite 7, Figur 5 ist 
UBEsat(IC)zu sehen. Unter der Kennlinie ist angegeben IC/IB=10, da bin 
Ich mir nicht sicher wie Ich das interpretierenn soll. Bei 25°C und 
einem Kollektorstrom von 300µA fällt eine Spannung UBE von 0,6V ab. 
Bedeutet die Angabe, dass bei einem Basisstrom von 30µA ebenfalls eine 
Spannung von 0,6V abfällt? Oder was hat die Angabe zu bedeuten, die 
Verstarkung kann es ja nicht sein, da die viel zu klein wäre?
Hoffe Ihr könnt mir das erklären.

Gruß Marco

[HildeK (Gast)]

Marco V. schrieb:
> Bei einem Transistor den Ich für eine Open-Collector-Schaltung mit
> Srombegrenzung verwenden möchte, bräuchte Ich einen Zusammenhabg
> zwischen der Basis-Emitter-Spannung und dem Basisstrom.

Den Zusammenhang habe ich in 40 Jahren nicht gebraucht. :-)
Wenn du die Idee hast, durch die Einstellung der Basisspannung den 
Basisstrom zu kontrollieren und damit die Begrenzung des 
Kollektorstromes einzustellen: Vergiss es!

Der Zusammenhang zwischen Basisspannung und Basisstrom ist wie bei einer 
Diode - an einer Spannungsquelle praktisch nicht kontrollierbar und 
stark temperaturabhängig. Nimm eine ausreichend hohe Spannung (z.B. 5V) 
und verwende den einen Basisvorwiderstand, um den Basisstrom 
festzulegen.

Aber, auch wenn du das korrekt hast: Damit ist der maximale 
Kollektorstrom, wie schon gesagt, nicht wirklich festlegbar. Das liegt 
alleine schon an der Aussage im Datenblatt auf Seite 5, dass hFE, die 
Gleichstromverstärkung einer extremen Streuung unterworfen ist. Für den 
nicht selektierten BC817 z.B. zwischen 100 und 600. Und das gilt nur bei 
100mA Kollektorstrom.

[Dirk J. (dirk-cebu)]

Marco V. schrieb:

> Bei einem Transistor den Ich für eine Open-Collector-Schaltung mit
> Srombegrenzung verwenden möchte, bräuchte Ich einen Zusammenhabg
> zwischen der Basis-Emitter-Spannung und dem Basisstrom.
> Leider finde Ich ...

Warum schreibst Du "Ich" immer groß?

[Georg III (Gast)]

Dirk J. schrieb:
> Marco V. schrieb:
>
>> Bei einem Transistor den Ich für eine Open-Collector-Schaltung mit
>> Srombegrenzung verwenden möchte, bräuchte Ich einen Zusammenhabg
>> zwischen der Basis-Emitter-Spannung und dem Basisstrom.
>> Leider finde Ich ...
>
> Warum schreibst Du "Ich" immer groß?

Weil Er den Pluralis Majestatis für übertrieben hält.

[Lothar M. (Firma: Titel) (lkmiller) (Moderator)]

Marco V. schrieb:
> eine Open-Collector-Schaltung mit Srombegrenzung verwenden möchte,
> bräuchte Ich einen Zusammenhabg zwischen der Basis-Emitter-Spannung und
> dem Basisstrom.
Und welche Rückschlüsse versprichst du dir dann von der Kennlinie auf 
die gewünschte Funktion?

Merke: auch wenn die KL im Datenblatt noch so detailliert und filigran 
(fast schon zappelig) dargestellt sind, man könnte diese KL ebenso mit 
einem DICKEN SANFT GESCHWUNGENEN STRICH annhähern. Denn so eine KL ist 
nur eine grobe Visualisierung eines typischen Wertes. Aber sicher 
nichts, worauf man eine detaillierte Bauteilberechnung aufbauen kann. 
Das darf man bestenfalls in der Schule, weil der Lehrer es nicht besser 
gelernt und gelehrt hat...

[Marco V. (overmind)]

@ HildeK

Weder möchte Ich mit der Basis-Emitter-Spannung den Basisstrom 
festlegen, noch möchte Ich mit dem Basisstrom den Kollektorstrom 
bestimmen.
Darum geht es mir nicht.
Ich  wollte  lediglich  wissen  ob  die  genannte 
Kennlinie, mit  der  Angabe  IC/IB=10,  Rückschlüsse  auf 
den  Zusammenhang  zwischen  UBE  und  IB  zulässt.

Es sei soviel gesagt, die Schaltung ist so aufgebaut, dass zur 
Strombegrenzung ein zweiter Transistor genutzt wird.
Dieser "entzieht" dem OC-Transistor den Basisstrom ab einem bestimmten 
Kollektorstrom der OC-Stufe.
Der Zusammenhang zwischen UBE und IB ist dahingehend für mich von 
Bedeutung, da Ich einen "fold-back-Effekt" erzeugen möchte bzw. ein 
kippen der Schaltung, um die umgesetzte Verlustleistung des 
OC-Transistors im strombegrenzenden Zustand zu reduzieren.

[(prx) A. K. (prx)]

Marco V. schrieb:
> Ich  wollte  lediglich  wissen  ob  die  *genannte*
> Kennlinie, mit  der  Angabe  IC/IB=10,  Rückschlüsse  *auf*
> den  Zusammenhang  zwischen  UBE  und  IB  zulässt.

Ja, bei IC/IB=10 und in grober Näherung. Nützt dir aber nix. IC/IB steht 
nämlich für volle Sättigung - und die hast du dann nicht.

> Es sei soviel gesagt, die Schaltung ist so aufgebaut, dass zur
> Strombegrenzung ein zweiter Transistor genutzt wird.

Zeig mal die Schaltung, die dir vorschwebt

> um die umgesetzte Verlustleistung des
> OC-Transistors im strombegrenzenden Zustand zu reduzieren.

Könnte bös nach hinten losgehen. Wenn du dem ursprünglich gesättigten 
Schalter den Basisstrom klaust um Ic zu reduzieren, dann bleibt Ic erst 
einmal weitgehend unverändert, Uce steigt aber an. Die Verlustleistung 
des Transistors steigt also beim Versuch, sie zu reduzieren.

[Klaus R. (klara)]

Marco V. schrieb:
> Es sei soviel gesagt, die Schaltung ist so aufgebaut, dass zur
> Strombegrenzung ein zweiter Transistor genutzt wird.
> Dieser "entzieht" dem OC-Transistor den Basisstrom ab einem bestimmten
> Kollektorstrom der OC-Stufe.

Vielleicht suchst Du so etwas. Da T1 nicht in die Sättigung kommt 
schaltet er deutlich schneller.
Gruss Klaus.