Hi, ein Solcher MOSFET, dürfte doch eigentlich jetzt nicht leiten, (was er aber dennoch tut zumindest in Simulation) was stimmt da nicht Ugs = 0V aber Leitend?? Mit freundlichen Grüßen
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Ein "Solcher" Mosfet? Willst du eine physikalische Erklärung für ein fiktives Modell? Was macht das für einen Sinn?
fet schrieb: > Willst du eine physikalische Erklärung für ein fiktives Modell? Es gibt auch Mosfets, wo Bulk nicht mit Source verbunden ist, sondern an einen eigenen Pin herausgeführt wird. z.B. den hier: http://www.nxp.com/documents/data_sheet/BSS83_N.pdf Dann wird der TO Bulk aber irgendwie verbinden müssen
Was hast du da für einen Mosfet? Ich würde mir gern mal das Datenblatt anschauen. Klingt interessant (ohne Bodydiode), habe ich bis jetzt noch nicht gesehen...
Mosfets sind eigentlich immer in Reverse Richtung leitfähig, weil sich durch den PN Übergang immer eine Bodydiode ausbildet. Das kann man nur durch 2 Mosfets back-to-back angeordnet verhindern. Nur ein IGBT ohne Diode ist nicht leitfähig.
Juergen P. schrieb: > Mosfets sind eigentlich immer in Reverse Richtung leitfähig, weil sich > durch den PN Übergang immer eine Bodydiode ausbildet. Das kann man nur > durch 2 Mosfets back-to-back angeordnet verhindern. > > Nur ein IGBT ohne Diode ist nicht leitfähig. Nö, nur die Leistungs Mosfets, haben die Bodydiode, aufgrund ihrer Anatomie. Bei Kleinen in Logikgattern im CMOS verbund, wirst du keine Finden. Ein Datenbltt gibt es nicht. Dass ist ein Idealer Mostet ohne Millerkapazität ohne Griechströme usw. Solch ein Transistor, müsste in Inversrichtung, dann aber sperren, so wie die Schaltung aufgebaut ist, Oder?
Hm, deine Sim zeigt Rds=250 Ohm! Das ist nicht wirklich leitend. Könnte auch ein JFET sein. Ich würde sagen, die Sim zeigt den Übergangsbereich. Ändere Vgs und schau was passiert.
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Abdul K. schrieb: > Hm, deine Sim zeigt Rds=250 Ohm! Das ist nicht wirklich leitend. Könnte > auch ein JFET sein. > Ich würde sagen, die Sim zeigt den Übergangsbereich. Ändere Vgs und > schau was passiert. Vgs sind 0V deshalb frage ich doch auch nur.. Nein kein J-Fet.
Kann es sein, dass dein Fet zwischen D und S noch einen Bulk Anschluss hat?
Max H. schrieb: > Kann es sein, dass dein Fet zwischen D und S noch einen Bulk > Anschluss > hat? Den Bulk hat er eben nicht angeschlossen. Der Sinn erschließt sich mir auch nicht. Es gibt zwar Modelle mit herausgeführtem Bulk, der nicht intern mit Source verbunden ist. Aber ich habe noch keine Schaltung gesehen, wo der Bulk unbeschaltet geblieben ist.
Ich kenne den Simulator nicht. Ist das ein Bulk-Anschluß dieser Knopf?? Wenn ja, dann lege die Steuerspannung zwischen G und B an, nicht an S!! Dann erhöhe die Threshold-Spannung im Setup mal auf 5V und schau ob noch Strom fließt.
Nicht Ugs, sondern Ugb entscheidet darüber, ob der Mosfet leitet oder nicht¹. Damit er sicher sperrt, muss Ugb ≤ 0 sein. Das erreichst du am einfachsten dadurch, dass du das Gate nicht mit Source, sondern mit Bulk verbindest. ————————————— ¹) Nur wenn bei einem Mosfet B intern mit S verbunden ist, sind Ugs und Ugb logischerweise gleich.
Yalu X. schrieb: > Nicht Ugs, sondern Ugb entscheidet darüber, ob der Mosfet leitet oder > nicht¹. Damit er sicher sperrt, muss Ugb ≤ 0 sein. Das erreichst du am > einfachsten dadurch, dass du das Gate nicht mit Source, sondern mit Bulk > verbindest. > > ————————————— > ¹) Nur wenn bei einem Mosfet B intern mit S verbunden ist, sind Ugs und > Ugb logischerweise gleich. Genau. Hier ist das aber so. Und Ugs und damit auch Ugb sind 0V aber der Sperrt nicht wirklich... Also schließe ich daraus, dass der Simulator Quatsch macht.
Moin, ne du musst das Bulk-Potential schon definieren, sprich mit dem Gate auf 0V legen. Alles andere führt zu einem leitenden Transistor, oder zu leitenden Bodydioden.
Jan R. schrieb: > Ein Datenbltt gibt es nicht. Dass ist ein Idealer Mostet ohne > Millerkapazität ohne Griechströme usw. Dann verstehe ich die Frage nicht. Ein idealer MOSFET verhält sich wie ein idealer MOSFET. Siehe Lehrbuch. Allerdings ist das was da gezeichnet ist, eben kein MOSFET mit separatem Substrat- (aka Bulk-) Anschluß. Denn dann müßte er ja 4 Anschlüsse haben. Ein MOSFET mit 3 Anschlüssen hat immer eine Body-Diode. Schöne Grüße von der Physik! XL
Wenn du zufälligerweise eine Sperrschicht-Fet benutzt (z.B. BF245 o.ä.)wird der in dieser Schaltung "sehr wohl" leiten. In dem Fall müsste das Gate gegenüber der Surce etliche Volt (abhängig vom Typ) negativ geplt werden damit der sperrt. Wolfgang
Axel Schwenke schrieb: > Allerdings ist das was da gezeichnet ist, eben kein MOSFET mit > separatem Substrat- (aka Bulk-) Anschluß. Denn dann müßte er ja 4 > Anschlüsse haben. Ein MOSFET mit 3 Anschlüssen hat immer eine > Body-Diode. Schöne Grüße von der Physik! Er hat doch 4 Anschlüsse, Bulk ist nur nicht beschaltet. Rechts zwischen S und D ist noch ein unbeschalteter Anschlußpunkt.
Ist es denn sicher, dass das ein n-Kanal-Fet ist? Dem Schaltsymbol nach ist das ein selbstleitender p-Kanal-Mosfet. Dann würde der mit der eingezeichneten Spannungsquelle auch nicht invers, sondern normal arbeiten und wegen der Ausführung als Verarmungstyp wäre auch der Drainstrom bei Ugs=0 plausibel. http://www.mikrocontroller.net/articles/FET#FET-Typen
ArnoR schrieb: > Dem Schaltsymbol nach ist das ein selbstleitender p-Kanal-Mosfet. Nein: https://de.wikipedia.org/wiki/Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor#Schaltzeichen
A. K. schrieb: >> Dem Schaltsymbol nach ist das ein selbstleitender p-Kanal-Mosfet. > > Nein: Doch, der Text in Wikipedia ist richtig: "Hierbei kennzeichnet ein Pfeil zum Kanal einen n-Kanal- und ein Pfeil weg vom Kanal einen p-Kanal-Transistor. Ob der Transistor selbstsperrend oder selbstleitend ist, wird wiederum über eine gestrichelte („Kanal muss erst invertiert werden“ → Anreicherungstyp, selbstsperrend) bzw. eine durchgängige („Strom kann fließen“ → Verarmungstyp, selbstleitend) Kanallinie dargestellt." aber die bildliche Darstellung widerspricht dem. Im mc.net-Artikel dagegen stimmen Text und Bild.
ArnoR schrieb: > Im mc.net-Artikel dagegen stimmen Text und Bild. Da gibt es exakt(!) dieses Symbol überhaupt nicht. Nur die Varianten mit explizitem aber evtl. intern verbundenen Bulk. In diesem speziellen Symbol steht der Pfeil nicht für eine Sperrschicht: "The arrow identifies the source terminal and points in the direction of normal positive current." [S.19(161)] http://highered.mcgraw-hill.com/sites/dl/free/0073191639/366537/Chapter_4.pdf
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Aha, in der Darstellung mit Pfeil an Source kehrt sich die Richtung also wieder um. Naja, wenigstens ist es wohl auch in der Darstellung ein selbstleitender Fet.
ArnoR schrieb: > Naja, wenigstens ist es wohl auch in der Darstellung ein > selbstleitender Fet. Nein ;-). Siehe Seite 4, 8 und 9 in http://www-ferp.ucsd.edu/najmabadi/CLASS/ECE60L/02-S/NOTES/FET.pdf Dürfte aus einer Zeit stammen, da man sowas von Hand zeichnete, und die Dreiteilung einfach nur nervte.
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Ein Problem scheinen hier mal wieder die nicht einheitlichen Schaltzeichen zu sein. Im englischen Sprachraum bezeichnet das vom TE gezeigte Symbol einen selbstsperrenden n-Kanal MOSFET: https://en.wikipedia.org/wiki/MOSFET#Circuit_symbols Allerdings muß man bei der Verwendung dieses Symbols immer noch irgendwie sagen, wo denn das Substrat angeschlossen ist. Das Symbol selber gibt diese Information ja nicht her. In einem (z.B. CMOS) IC ist die Situation i.d.R. klar: alle n-FETs haben das Substrat an GND, alle p-FETs haben es an Vcc. Aber bei einem Einzelsymbol? Da kann eigentlich nur sagen: unbekannt. Gate mit Source verbunden gibt jedenfalls keine weitere Information. Genausogut hätte man das Gate auch unbeschaltet lassen können. XL
Axel Schwenke schrieb: > Allerdings muß man bei der Verwendung dieses Symbols immer noch > irgendwie sagen, wo denn das Substrat angeschlossen ist. Hast du schon einmal einen MOSFET gesehen, bei dem das Substrat am Drain hing? Und offen ergibt es auch nicht viel Sinn. Ob es sich dabei um ein IC oder Einzelkomponenten handelt ergibt sich gewöhnlich aus dem Kontext, dementsprechend das Substrat, sofern nicht abweichend gezeichnet. > Genausogut hätte man das Gate auch unbeschaltet lassen können. Auch das ergibt keinen Sinn. Du bist zu Deutsch, musst alles haarklein und penibel festgelegt haben. Etwas mehr Flexibilität bitte! ;-).
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Axel Schwenke schrieb: > wo denn das Substrat angeschlossen ist. Das Symbol > selber gibt diese Information ja nicht her. Das ist getrennt herausgeführt, aber nirgends angeschlossen.
Vielleicht sollte man einfach mal das Manual des Simulators mit der Testschaltung bemühen. Gibts doch sicherlich. Für mich sieht das momentan nach einem FET für IC-Integration aus. Da wird der Kanal üblicherweise durchgängig gezeichnet. 250 Ohm könnte da auch hinhauen. Bulk erscheint in den Plänen gar nicht, da immer auf VCC oder GND je nach Typ geschaltet. Jan stellt häufig seltsame Fragen. Ansonsten mal Helmut fragen, der kann SPICE UND Mac ;-) Der Simulator meckert die Unbeschaltung von B nicht an??
A. K. schrieb: > Axel Schwenke schrieb: >> Allerdings muß man bei der Verwendung dieses Symbols immer noch >> irgendwie sagen, wo denn das Substrat angeschlossen ist. > > Hast du schon einmal einen MOSFET gesehen, bei dem das Substrat am Drain > hing? Da ganz sicher nicht. Schon deswegen nicht, weil Source erst dadurch zu Source wird, daß es mit Bulk verbunden wird. Ohne diese Verbindung sind Drain und Source gleichwertig. Aber wenn nicht explizit gezeigt wird (wie bei dem europäischen MOSFET- Symbol mit dem dreigeteilten Kanal) wo Bulk angeschlossen ist, was soll man dann tun? Raten? > Und offen ergibt es auch nicht viel Sinn. Dann paßt es ja zu den Fragen, die Jan R. so oft stellt. > Ob es sich dabei um ein > IC oder Einzelkomponenten handelt ergibt sich gewöhnlich aus dem > Kontext Nur daß hier kein Kontext existiert. Außer der Behauptung(!) von Jan R.(!!) daß dieser MOSFET keine Body-Diode hätte. >> Genausogut hätte man das Gate auch unbeschaltet lassen können. > > Auch das ergibt keinen Sinn. Es ergibt genausoviel (bzw. wenig) Sinn, wie Bulk unbeschaltet zu lassen. ich schrieb: > Axel Schwenke schrieb: >> wo denn das Substrat angeschlossen ist. Das Symbol >> selber gibt diese Information ja nicht her. > > Das ist getrennt herausgeführt, aber nirgends angeschlossen. Wo siehst du das an diesem Symbol? Da ist ja noch nicht mal ein Anschluß für Bulk vorgesehen, den man in der Schaltung mit irgendwas verbinden könnte. Das Symbol ergibt für ein Einzelbauteil schlicht keinen Sinn. XL
Axel Schwenke schrieb: > Wo siehst du das an diesem Symbol? Genau gegenüber vom Gate. Aussen, eben Substrat, keine Linie.
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Axel Schwenke schrieb: > Wo siehst du das an diesem Symbol? Da ist ja noch nicht mal ein Anschluß > für Bulk vorgesehen, den man in der Schaltung mit irgendwas verbinden > könnte. Das Symbol ergibt für ein Einzelbauteil schlicht keinen Sinn. Ich habe die ganze Zeit das kleine weiße Kästchen auf der rechten Seite (zwischen S und D) als einen nicht beschalteten Anschlußpunkt angesehen. Ist das keiner? Wenn nicht, was ist es dann?
ich schrieb: > Ich habe die ganze Zeit das kleine weiße Kästchen auf der rechten Seite > (zwischen S und D) als einen nicht beschalteten Anschlußpunkt angesehen. > Ist das keiner? Wenn nicht, was ist es dann? Das dachte ich eigentlich auch. Etwas komisch ist allerdings, dass beim Gate ebenfalls so ein Kästchen zu sehen ist, obwohl dort eine Leitung angeschlossen ist. Ok, vielleicht verschwinden bei diesem Programm (im Gegensatz bspw. zu LTspice) die Kästchen beim Anschließen nicht. Dann müssten aber auch an Drain und Source solche Kästchen zu sehen sein. Vielleicht sind diese Kästchen ja auch einfach nur Griffe, mit denen das Symbol verschoben oder gedreht werden kann. Dann hätte der Mosfet keinen Bulk-Anschluss, und Bulk müsste intern mit Source verbunden sein. Dann müsste aber die Bodydiode leiten, was wiederum das Usd von 1,088 V bei 3,912 mA sehr hoch erscheinen lässt. Es müsste sich also schon um einen ganz winzigen Mosfet handeln, dessen Parameter dann aber sicher irgendwo dokumentiert sind. Bei offenem Bulk-Anschluss würde dieser Wert für Usd aber viel besser passen, denn er ist gerade ein wenig höher als die Threshold-Spannung. Es ist also wieder einmal alles möglich und nichts sicher. Man kann ewig ohne eine Aussicht auf ein Ergebnis darüber herumdiskutieren, wenn man das Programm und das verwendete Mosfet-Modell nicht kennt. Der Jan soll uns doch einfach mal die Informationen liefern, die in der Doku zu dem Mosfet-Modell zu finden sind, und uns darüber aufklären, ob es sich bei dem Kästchen zwischen Drain und Source um einen Anschluss handelt oder nicht. Nur dann kommen wir hier weiter.
ich schrieb: > Axel Schwenke schrieb: >> Wo siehst du das an diesem Symbol? Da ist ja noch nicht mal ein Anschluß >> für Bulk vorgesehen, den man in der Schaltung mit irgendwas verbinden >> könnte. Das Symbol ergibt für ein Einzelbauteil schlicht keinen Sinn. > > Ich habe die ganze Zeit das kleine weiße Kästchen auf der rechten Seite > (zwischen S und D) als einen nicht beschalteten Anschlußpunkt angesehen. > Ist das keiner? Wenn nicht, was ist es dann? Ich habe keine Ahnung, was das sein soll. Aber wenn es ein Anschluß ist, warum haben dann Drain und Source keine solchen Kästchen? Zum Raten ist mir ehrlich gesagt die Zeit zu schade. XL
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