Hallo zusammen, im Hobbybestand habe ich noch eine Handvoll alter Exemplare wie z.B. SFE210 und 3N211. In Literatur und im Internet fand ich da kaum was an Grundlagen, außer, daß es im Grunde zwei völlig identische N-JFET in einem Gehäuse wären, und ein paar Schaltungen aus dem Funkbereich. Wenn das so ist, daß es sich um zwei gleiche JFET in einem Gehäuse handelt, komme ich damit auch gut zurecht, und kann ihn auch als normalen JFET mit nur einem Gate betreiben, bzw. beide Gates einfach parallel schalten. Aber ich möchte ja etwas experimentieren, z.B. einen LC-Oszillator im Audiofrequenzbereich bauen, den man mit dem zweiten Gate etwas regeln kann. Im Datenblatt des 3N211 von Motorola sehe ich in beiden Gateleitungen je zwei antiserielle Z-Dioden gegen Source. Damit kann ich auch noch nichts genaues anfangen, weil das nicht beschrieben ist. Denn das Datenblatt besteht nur aus zwei gescannten Seiten eines alten Datenbuches, wo hauptsächlich nur reine Daten stehen, keine Beschreibung. Wenn die Z-Dioden Über- und Unterspannungsschutz wären, dann wäre der Baustein ja auch schon fast gegen statische Ladungen und Zerstörung geschützt. Meine Frage steht schon in der Threadüberschrift. Vielen Dank für jede Hilfe, z.B. auch Simulation mit LTspice. Es gibt dort ja kein Bauteilmodell mit zwei Gates.
Die Zenerdioden sind genau dafür da. Früher gabs auch FETs die kurzgeschlossen per Bügel zum Bastler kamen.
Für den Einblick in die Arbeitsweise eines dualgate-Mosfet ist das Stichwort Cascode-Schaltung hilfreich. (mit Röhrentrioden oder mit bipolaren Transistoren gabs die früher als Eingangsstufen bei TV-UHF-Tunern) Der erste der beiden FETs arbeitet in Source-Schaltung mit Ansteuerung an Gate und Ausgang am Drain. Der zweite FET arbeitet ind gate-Schaltung, das Gate ist HF-mäßig auf Masse gelegt und wird von Source her angesteuert. Die erste Stufe hat praktisch keine Spannungsverstärkung, da ihr Drain ja auf den niederohmigen Source-Eingang des zweiten FET arbeitet. Es entfällt also die sonst störende Rückkopplung von Drain auf Gate der ersten Stufe. Wo keine Verstärkung vorhanden ist, wegen des geringen Lastwiderstands am Drain ist auch die Rückkopplung nicht da. Erst die zweite Stufe, in Gate-Schaltung hat dann hohe Verstärkung. Mit Schwingkreis am Drain entsteht die volle Verstärkung, da ist aber wegen der Gate-Schaltung die Rückwirkung deutlich geringer als bei einer Source-Schaltung. Ein weiterer Vorteil ist die leichte Steuerbarkeit der Verstärkung, da man mit G2 getrennt steuern kann. Deshalb ist die Cascodeschaltung bzw. der dualgate-FET lange Zeit der "Spezialist" für HF-Eingangsstufen gewesen, wo Rückwirkungsfreiheit und Steuerbarkeit der Verstärkung gefragt war. Ein Nachteil ist heutzutage der Spannungsbedarf, wegen der zwei in reihe geschalteten Verstärkerstufen. Beim heute fast immer vorhandnen Batteriebetrieb mit unter 5V arbeiten dual-gate-Schaltungen nicht so recht.
Häsch Define schrieb: > Aber ich möchte ja etwas experimentieren, z.B. einen LC-Oszillator im > Audiofrequenzbereich bauen, den man mit dem zweiten Gate etwas regeln > kann. Dafür ist ein dual-gate- FET weniger geeignet, seine Stärken liegen eher im mV-Bereich der Eingangsstufen und bei HF. Dazu kommt bei MOS-FETs das kräftige (Schrot-)Rauschen im NF-Bereich, sodass man da lieber JFETs verwendet.
im UKW Tuner Typ 7 8 aus damaligen RFT Zeiten waren BF 900 SM 200 verbaut, an dem Schaltbild davon kannst du dir vllt. ein paar Impressionen holen?
Abdul K. schrieb: > Die Zenerdioden sind genau dafür da. Früher gabs auch FETs die > kurzgeschlossen per Bügel zum Bastler kamen. Das hab ich mir beinahe schon gedacht. Obwohl diese Schutzdioden für ESD aber immer noch nicht ausreichend sein können. OK, bei Handhabung z.B. den Stein aus der Bauteilkiste holen und nicht in der Schaltung eingelötet ist das evtl. hilfreich, weil keine niederohmigen Verbindungen da sind, die dann hohe Stromspitzen erzeugen. Peter R. schrieb: > Dazu kommt bei MOS-FETs das kräftige (Schrot-)Rauschen im NF-Bereich, > sodass man da lieber JFETs verwendet. Es sind JFETs! Ob es auch Enhancement-Mode-MOSFET mit zwei Gates gibt, weiß ich noch nicht mal. Und ein Colpitts mit JFET läuft bei Simulation mit LTspice viel sauberer und oberwellenfreier als mit Bipolartransistoren. Ich fand noch, daß gerade JFETs besonders rauscharm sind. Wobei, Rausch, da muß ich schauen, in wie weit mich das stören würde, und ob man den weg filtern kann oder überhaupt muß. Ich baue kein Audiogerät, auch wenn ich was über Audiofrequenzbereich schrieb. Aber habe was vor, die Schwingkreisverstimmung durch eine Dämpfung zu messen. Das soll natürlich so genau und gut wie möglich werden. Also grundsätzlich geht es auch mit Bipolartransistoren, und das Oberwellenspektrum stört evtl. gar nicht, mal sehen. In der Simulation sieht man auch, daß JFET im Oszillator viel weicher regeln als BJT. Beim BJT gibt es bei jeder Schwingung mal eine kurze harte Stromerhöhung in der Basis, was vermutlich auch zu den Verzerrungen beiträgt. Die JFETs liegen jetzt schon 25 Jahre in der Bauteilkiste, und wollte sie aber einfach noch mal sinnvoll verwenden und verstehen, bevor eines Tages 2 Meter senkrecht über mir das Holzkreuz oder der Marmorstein steht. ;-) Mit deinem längeren Beitrag oben drüber muß ich mich noch mal genauer beschäftigen, auch mit der Cascode-Schaltung. Aber das ist eben meine Frage. Ich fand Ersatzschaltungen zum Dual Gate JFET mit einer Röhrentriode, die aber zwei Gitter hat. Das verhält sich bestimmt nicht gerade so wie zwei separate Trioden mit je einem Gitter. Möglicherweise gibts ja noch verschiedene Ausführungen der Dual Gate JFETs.
Ungläubiger schrieb: > im UKW Tuner Typ 7 8 aus damaligen RFT Zeiten waren BF 900 SM > 200 > verbaut, an dem Schaltbild davon kannst du dir vllt. ein paar > Impressionen holen? Ja, eigentlich sind diese Dual Gate JFET für Tuner im Bereich UHF und VHF. Das wird es aber bei mir nicht. Was ich noch fand, ist, daß das Signal an Gate1 einfach mit Gate2 moduliert wird. Also quasi so was wie in der Digitaltechnik ein UND-Gatter. Schaltungen fand ich schon reichlich, nur eben nicht die detaillierten Beschreibungen aus dem Kopf des Entwicklers.
Deine Beobachtung JFET haben weniger Verzerrungen, ist richtig.
So, ich bereite gerade eine Parametermessung des Dual Gate JFET SFE210 vor. Oder sind die zu schade, einfach als normaler JFET verwendet zu werden? Mir fehlt es an Meßinstrumenten, habe nur ein Multimeter. Aber zwei alte VU-Meter aus einem alten Bandgerät, Drehspulinstrumente. 640 Ohm und 250mV für Vollausschlag. Die sollte man an ein Poti klemmen können. Leider sind sie sehr nichtlinear in der Anzeige, sind wohl auch Billigstinstrumente. Normalerweise soll der Zeigerausschlagwinkel proportional zum Strom sein, tut er aber nicht. Die Kurve ergibt eine starke S-Form. Also damit kämpfe ich auch noch, die Skala kann ich auch nicht neu malen. Keine Ahnung, was mit denen nicht stimmt. Vielleicht eine komische Rückstellfeder drin mit keiner konstanten Federkonstanten. Der Strom hat zum Auslenkungswinkel einen Exponenten am Anfang <1 und ab der Mitte >1, das sollte ja eigentlich nicht sein. Dreheisen ist es definitiv auch nicht. Die beiden VU-Meter, in denen sich außer der Drehspule wirklich keine Bauteile mehr befinden, wollte ich zur Gatespannungsanzeige der beiden Gates in einer Meßreihe verwenden, und muß da vermutlich die Skalenwerte in Spannungen per Tabelle übersetzen. Das Multimeter im Strommeßbereich in die Drainleitung. Es sollte aber gehen. Die SFE210 sind auch von Motorola wie der 3N211, und zeigen bei Grobtests wenigstens schon mal die gleiche Pinbelegung. Die Gehäuseform ist auch gleich. Bei jeweils beiden Gates auf einer negativen Spannung regeln sie ab. Das ist schon mal gut. Im Internet fand ich zwar nur was über HF-Anwendungen von Dual Gate JFET, aber mit Gleichstrom gehen sie auch, wie bspw. ein BF245 oder sonst ein gewähnlicher Transistor. Wie ich den in LTspice mal provisorisch einsetze, weiß ich noch nicht. Aber Kaskode scheint zu stimmen, vielleicht zwei normale JFET seriell.
Was noch gar nicht erwähnt wurde: Vor allem kann man mit diesen Dingern gut multiplikativ mischen.
"Es sind JFETs!" Aus welcher Quelle hast Du das? 3N211 scheint definitiv MOS zu sein...
Andy D. schrieb: > 3N211 scheint definitiv MOS zu sein... Ja das sind sie, auch der SFE210 vom selben Hersteller Motorola und außer dem Stempel anscheinend auch gleich. Sie sind Dual Gate JFET. Immerhin bekam ich beim 3N211 im Internet noch ein primitives Datenblatt aus zwei gescannten Buchseiten, die Steine sind bestimmt 40 Jahre alt.
Andy D. schrieb: > Entweder ist es MOS oder JFET. Definitiv JFET, selbstleitend. So weit es meine Grobmessungen ergaben. Mit den beiden Gates auf Source messe ich mit dem Ohmmeter 80 Ohm Kanalwiderstand daran. Aber das ist auch nur ein Schätzwert. Mit einem der beiden Gates unter -1V wird er offen, unendlich. Der Meßaufbau steht noch aus, ist in Vorbereitung.
Andy D. schrieb: > Definitiv Mosfet, kaputt. Nein ganz sicher nicht. Die werden eine sehr schöne Kurvenschar JFETs ergeben.
>Was noch gar nicht erwähnt wurde: Vor allem kann man mit diesen Dingern >gut multiplikativ mischen. Genau. Mit den beiden Gates läßt es sich besonders einfach mischen. Wenn man das zweite Gate nicht braucht, legt man es an eine gut gesiebte Hilfsgleichspannung. >Aus welcher Quelle hast Du das? 3N211 scheint definitiv MOS zu sein... Genau: http://www.dz863.com/downloadpdf-vdmpvdbscfbs-3N211.pdf >Im Datenblatt des 3N211 von Motorola sehe ich in beiden Gateleitungen je >zwei antiserielle Z-Dioden gegen Source. Damit kann ich auch noch nichts >genaues anfangen, weil das nicht beschrieben ist. Da sollte man etwas aufpassen. Das können auch parasitäre Thyristoren sein, durch die man besser nicht zuviel Strom fließen läßt. Maximal +/-10mA sagt das Datenblatt...
Vor allem werde ich den Verdacht nicht los dass genau diese Dioden den Eindruck eines JFET entstehen lassen wo kein JFET ist.
Andy D. schrieb: > Vor allem werde ich den Verdacht nicht los dass genau diese Dioden > den > Eindruck eines JFET entstehen lassen wo kein JFET ist. Was soll er denn sonst sein?
Ein Mosfet. JFET und Mosfet sind zwei GEGENSÄTZLICHE Konstruktionsprinzipien, genauso wie ein Bauteil entweder ein Transistor oder Thyristor sein kann aber nicht beides.
Andy D. schrieb: > Entweder ist es MOS oder JFET. Definitiv MOSFET !! Sonst wäre die aufwändige Gate-Schutzbeschaltung auch nicht drin. Desweiteren steht es im Datenblatt von Kai Klaas: 3N211 "DUAL-GATE MOSFET" "N-CHANNEL DEPLETION" Andy D. schrieb: > Was noch gar nicht erwähnt wurde: Vor allem kann man mit diesen Dingern > gut multiplikativ mischen. Man kann damit Amplitudenregelung machen oder zB. einen netten Schwebungssummer bauen, der den gesamten Audiobereich überstreicht ...
RoJoe schrieb: > Definitiv MOSFET !! Ich bin mir auch noch nicht ganz sicher. Im Datenblatt ist ja auch angegeben, z.B. eine Spannung +4V am Gate. Bei einem PN-Übergang ginge das ja gar nicht. Es kann sein, daß ich da auf Grund fehlender Beschreibungen des vollständigen Datenblattes was nicht verstehe.
In dem datenblatt ist der 2N311 als Dual Gate MOSFET beschrieben. Auch das Schaltsymbol passt dazu. So etwas wie einen Dual Gate JFET habe ich noch nicht gefunden (auch wenn das ggf. interessant wäre) - nur JFET Paar in einem Gehäuse, dann aber auch mit 2 mal Drain und meist auch 2 mal Source. Von den Eigenschaften muss es keinen großen Unterschied machen ob es ein JFET oder MOSFET ist. Auch bei MOSFETs gibt es selbstleitende Typen - da kann man ggf. einen JFET auch gegen einen passenden MOSFET 1:1 austauschen. Der innere Aufbau ist zwar verschieden, aber die Eigenschaften könnten recht ähnlich sein.
Ich werde Messreihen machen. Mir selbst Daten erstellen. Was anderes bleibt sowieso nicht.
Das wird ein stinknormaler Dual-Gate depletion-MOSFET sein. Ein depletion-MOSFET ist im Prinzip ein MOSFET mit negativer Gate-Threshold-Spannung. BF998 ist ein bekannter europäischer Typ gleicher Ausrichtung. Die Threshold-Spannung kann bei MOSFETs relativ frei bei der Herstellung definiert werden, eben auch negativ. Besser gesagt im negativen Bereich im Bezug gegenüber Source-Anschluß. Oder auch von außen programmierbar: Der einzige Hersteller der sowas anbietet, ist aldinc. Es gibt auch Doppel-JFETs in einem Gehäuse: PMBFJ620 Bei einem JFET ist das Gate wie eine Diode, hat also 0,7V in einer Stromrichtung. Die Schutzdioden bei MOSFETs sind von deutlich höherer Spannung. (Beide Aussagen habe ich nie selber nachgemessen!)
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Bearbeitet durch User
>Was soll er denn sonst sein?
Sag mal, ich mach mir extra die Mühe, dir das Datenblatt herauszusuchen
und du schaust nicht einmal drauf??
DUAL-GATE MOSFET
N-CHANNEL DEPLETION
steht da. Das ist ein n-Kanal MOSFET mit zwei Gates, der nach dem
Verarmungsprinzip arbeitet, also selbstleitend ist. Deswegen ist er noch
lange kein N-JFET, nur weil der zufällig auch selbstleitend ist.
Kai Klaas schrieb: > Sag mal, ich mach mir extra die Mühe, dir das Datenblatt herauszusuchen > und du schaust nicht einmal drauf?? Es ist sogar noch schlimmer. Er hatte es schon selbst und hat es nicht gelesen: Häsch Define schrieb: > Im Datenblatt des 3N211 von Motorola Aber das ist ja heute wohl so üblich. Ich fand die Dual-Gate-Mosfets früher auch interessant, weil es immer hieß, die wären im Prinzip eine interne Kaskode-Schaltung. Nur scheint das nicht zu stimmen, weil die Gates infolge des symmetrischen Aufbaus gleichberechtigt sind.
Kai Klaas schrieb: >>Was soll er denn sonst sein? > > Sag mal, ich mach mir extra die Mühe, dir das Datenblatt herauszusuchen > und du schaust nicht einmal drauf?? > > DUAL-GATE MOSFET > N-CHANNEL DEPLETION > > steht da. Das ist ein n-Kanal MOSFET mit zwei Gates, der nach dem > Verarmungsprinzip arbeitet, also selbstleitend ist. Deswegen ist er noch > lange kein N-JFET, nur weil der zufällig auch selbstleitend ist. Das Wort MOSFET entging mir nicht. Keine Sorge. Nach Messungen zunächst nur ein paar Grobtests mit negativen Gatespannungen stellte ich aber JFET-Verhalten fest. Ein Entwicklungslabor habe ich hier leider nicht, und muß mir im Hobby alles mal provisorisch her richten.
Häsch Define schrieb: > Das Wort MOSFET entging mir nicht. Keine Sorge. Das glaubst du doch wohl selbst nicht. Hier mal ein paar Aussagen von dir: Häsch Define schrieb: > daß es sich um zwei gleiche JFET in einem Gehäuse handelt Häsch Define schrieb: > Es sind JFETs! Ob es auch Enhancement-Mode-MOSFET mit zwei Gates gibt, > weiß ich noch nicht mal. Häsch Define schrieb: > Die JFETs liegen jetzt schon 25 Jahre in der Bauteilkiste Häsch Define schrieb: > Definitiv JFET, selbstleitend. So weit es meine Grobmessungen ergaben.
Häsch Define schrieb: > Was möchtest du konkret mitteilen? Das ist doch klar, oder? Die Frage ist, was möchtest Du eigentlich mitteilen?
Sorry, aber ich verstehe die Bemerkungen nicht. Alles, was ich über meine Dual Gate FETs heraus fand, sind nur zwei Seiten nackte Daten des 3N211 und über den SFE210 gar nichts. Den muß ich rein ausmessen. Es finden sich im Internet gelegentlich winzige Hinweise, daß es sich bei den Dual Gate Transistoren um JFET handelt. Mehr kann ich aber daran auch nicht tun, und das Bauteilsymbol im Datenblatt ist auch uneindeutig.
Häsch Define schrieb: > Mehr kann ich aber daran auch nicht tun, und das Bauteilsymbol im > Datenblatt ist auch uneindeutig. Die Überschrift ist eindeutig und ein dual Gate-Mosfet sieht genau so aus: http://wps.prenhall.com/wps/media/objects/416/426185/13fig8.gif
Max H. schrieb: > Häsch Define schrieb: >> Mehr kann ich aber daran auch nicht tun, und das Bauteilsymbol im >> Datenblatt ist auch uneindeutig. > Die Überschrift ist eindeutig und ein dual Gate-Mosfet sieht genau so > aus: http://wps.prenhall.com/wps/media/objects/416/4261... Also was jetzt? Sind es MOSFET oder JFET? Es ist mir eigentlich egal, wie die heißen, wenn ich das Verhalten weiß.
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Häsch Define schrieb: > Sind es MOSFET oder JFET? Siehe Anhang...
Häsch Define schrieb: > Also was jetzt? Sind es MOSFET oder JFET? Beim Arxxxe des Propheten: Es sind MOSFETs !! Dual-Gate MOSFETs. Häsch Define schrieb: > Nach Messungen zunächst nur ein paar Grobtests mit negativen > Gatespannungen stellte ich aber JFET-Verhalten fest. Lt. RCA-Angaben sind die Gate-Schutzdioden 10V-Zeners mit typ. 1nA Sperrstrom. Mit einem normalen Ohmmeter müsstest du also in beiden Polaritäten 'unendlich' messen gegen jeden anderen Anschluss. Wenn es JFETs wären: Abdul K. schrieb: > Bei einem JFET ist das Gate wie eine Diode, hat also 0,7V in einer > Stromrichtung. ArnoR schrieb: > Ich fand die Dual-Gate-Mosfets früher auch interessant, weil es immer > hieß, die wären im Prinzip eine interne Kaskode-Schaltung. Nur scheint > das nicht zu stimmen, weil die Gates infolge des symmetrischen Aufbaus > gleichberechtigt sind. Onkel RCA sagt: "the dual-gate device is a serial arrangement of two single-gate devices. This arrangement improves the MOSFET performance by reducing capacitance from drain to gate 1 ..." Diese beträgt in der Tat nur einige Dutzend fA.
Häsch Define schrieb: > Sorry, aber ich verstehe die Bemerkungen nicht. Die bedeuten, dass du ein Datenblatt hast (und Kai eins verlinkt hat) in dem die Transistoren als Dual-Gate-Mosfets beschrieben sind. Das wars. Alle anderen Angaben wie: Häsch Define schrieb: > Es finden sich im Internet gelegentlich winzige Hinweise, daß es sich > bei den Dual Gate Transistoren um JFET handelt. sowie deine eigenen "Messungen" sind schlicht irrelevant. Und wenn ich deine Posts lese, sehe ich da nichts, außer, das ist ein JFet, das ist ein Jfet, das ist ein Jfet... und ich möchte mit einem Oszillator experimentieren... Wo ist dein Problem?
Hier gibts es eine Kennlinie zu D-MOSFETs http://wps.prenhall.com/chet_paynter_introduct_6/6/1664/426188.cw/index.html
RoJoe schrieb: > nur einige Dutzend fA. Sollte natürlich fF heissen: femto Farad. RCA: "typ 0,02 pF"
RoJoe schrieb: > Onkel RCA sagt: > "the dual-gate device is a serial arrangement of two single-gate > devices. Max H. schrieb: > Hier gibts es eine Kennlinie zu D-MOSFETs > http://wps.prenhall.com/chet_paynter_introduct_6/6/1664/426188.cw/index.html Genau das ist das Problem. Es scheint nicht zu stimmen. Ich hab vor längerer Zeit eine Publikation einer Uni gelesen, nach der die Dual-Gate Fets eben nicht wie in Abb. 13.8 aufgebaut sind, sondern die Gates links und rechts vom Kanal liegen und der Aufbau somit vollkommen symmetrisch ist. Jetzt eben hab ich das im Inet nicht gefunden, vielleicht kann ich das morgen noch nachreichen.
Max H. schrieb: > Häsch Define schrieb: >> Sind es MOSFET oder JFET? > Siehe Anhang... Danke. Wir haben alle das gleiche Datenblatt. RoJoe schrieb: > Onkel RCA sagt: Sorry. Was RCA sagt, da habe ich keinen Zugang zu, weiß ich nicht. ArnoR schrieb: > sowie deine eigenen "Messungen" sind schlicht irrelevant. Nein. Ich möchte ein Kennlinienfeld sehen. Und wenn ich mir das selbst zusammen messen muß. Max H. schrieb: > Hier gibts es eine Kennlinie zu D-MOSFETs > http://wps.prenhall.com/chet_paynter_introduct_6/6... Ja Danke. Leider nur eine Steilheitskurve. Aber FIGURE 13-11 A cascode amplifier, das ist doch sowas, wie die zwei FET in einem Gehäuse.
ArnoR schrieb: > Ich hab vor > längerer Zeit eine Publikation einer Uni gelesen, nach der die Dual-Gate > Fets eben nicht wie in Abb. 13.8 aufgebaut sind, sondern die Gates links > und rechts vom Kanal liegen und der Aufbau somit vollkommen symmetrisch > ist. Könnte ja sein, dass es auch diese Bauform gibt, um zB. zum Mischen 2 möglichst identische Eingänge zu haben. Häsch Define schrieb: > Sorry. Was RCA sagt, da habe ich keinen Zugang zu, weiß ich nicht. Deshalb hab ich mir ja die Mühe gemacht, etwas zu zitieren. Aber wenn du am Detailverständnis nicht interessiert bist...
RoJoe schrieb: > Häsch Define schrieb: >> Sorry. Was RCA sagt, da habe ich keinen Zugang zu, weiß ich nicht. > Deshalb hab ich mir ja die Mühe gemacht, etwas zu zitieren. > Aber wenn du am Detailverständnis nicht interessiert bist... Danke auf jeden Fall. Ich werde mit eigenen Messungen weiter sehen müssen, zu den SFE210 habe ich leider überhaupt gar keine Info.
Wenn ich mich recht erinnere, sind bei manchen Dual-Gate MOSFETs die Eingänge nicht symmetrisch! Erkennbar an Eingangskapazität und Threshold-Spannung. Könnte ja selber mal nachschauen. Von NXP gibts neuere Typen mit integrierter Vorspannungserzeugung. Allerdings keine Details offengelegt. Da könnte man bei deren Patenten nachschauen. Man muß sich eben darüber klar werden, wofür die entwickelt wurden: Für UKW-Tuner. In alten Schaltplänen findet man die Cascoden-Schaltung auch noch diskret aus zwei FETs realisiert. Da diese FETs physikalisch klein sind, ist die Eingangskapazität halt auch ungewöhnlich klein. Bekanntlich kann man nicht jede Bauelementart in jeder Leistungsklasse kaufen! Was tun also wenn man nur FETs mit 100mA Drainstrom bekommt, aber möglichst wenig Kapazität haben will?! Oder eine moderne Variante mit BJT und JFET in EMRFD-Kreisen. Auch gut steuerbar und mehr für Kurzwellenbereich gedacht.
ArnoR schrieb: > vielleicht kann ich das morgen noch nachreichen. Das hier war es: http://bellota.ele.uva.es/~lbailon/Docencia/MUI-TIC/00.IES/Bibliografia/Double-GateT.pdf
@ArnoR: Der verlinkte Text beschreibt tatsächlich MOSFETs mit 2 symmetrischen Gates. Das sind aber neue experimentelle Typen, nicht die normalen Dual Gate MOSFETs (wie 2N311 oder BF998) die man schon seit Jahrzehnten einsetzt. Die Dual Gate MOSFETs sind in guter Näherung wie 2 MOSFETs als Kaskode geschaltet. Allerdings sind die beiden MOSFETs ja auf einem Substrat - entsprechend wäre das dann schon ein normaler MOSFET ("unten") und einer (der in Gateschaltung) mit externem Substrat, das an den äußeren Source Pin geht. Dadurch dass die Gates so dicht zusammen sind kann es zu kleineren Abweichungen von der Ersatzschaltung mit 2 separaten FETs kommen - das sind aber mehr Feinheiten. Um zu unterscheiden ob MOSFET oder JFET müsste man schon eine positive Gate Spannung testen, oder einfach mal nach der Drain-Source Diode suchen. Die sollte der DG MOsfet haben, der JFET nicht, und bei einfach 2 getrennten MOSFETs in Reihe hätte man auch 2 der Dioden in Reihe.
"Bekanntlich kann man nicht jede Bauelementart in jeder Leistungsklasse kaufen!" Depletion-MOS als Leistungsbauteil wäre schon toll um mal eben eine Strombegrenzung zu implementieren :) Leider selten... "Nach Messungen zunächst nur ein paar Grobtests mit negativen Gatespannungen stellte ich aber JFET-Verhalten fest." Ich stopf Dir gleich heimlich eine ECH83 in den Versuchsaufbau und hole Popcorn...
Andy D. schrieb: > Ich stopf Dir gleich heimlich eine ECH83 in den Versuchsaufbau und hole > Popcorn... ROTFL
So, heute habe ich mal einen Versuchsaufbau gemacht, und ein wenig gemessen. Allerdings nur mit positiven Spannungen, noch nicht mit einer negativen Gatespannung. Die hatte ich aber in der Woche mal grob getestet, einfach eine Mignonzelle mit Plus an Masse, und die Gates an Minus. Beide Gates schnüren den Strom auch ganz ab. Betriebsspannung mal nur feste 5V, von VCC das Amperemeter an Drain, und Source auf Masse. Mit den beiden Schätzeisen alte VU-Meter zur Spannungskontrolle an den beiden Gates hat es auch ausreichend funktioniert. Ja, vermutlich sind die Bausteine schon MOSFETs, denn eine positive Gatespannung weit über einem PN-Übergang läßt die Gates nicht leiten. Das Verhalten bei negativen Gatespannungen gleicht aber schon dem JFET. Jetzt ist die Sache mir etwas klarer. Aber ich hab den SFE210 auf dem Steckbrett. Er könnte sogar mit dem 3N211 gleich sein, und es ist nur eine interne und nicht gängige Bausteinbezeichnung von Motorola gewesen. Hier ein paar Meßdaten: Nur Gate1 angesteuert: G1(V) G2(V) ID(mA) -------------------- 0,0 0,0 6,9 0,5 0,0 7,7 1,0 0,0 8,1 1,5 0,0 8,3 2,0 0,0 8,5 2,5 0,0 8,6 3,0 0,0 8,7 3,5 0,0 8,8 Nur Gate2 angesteuert: G1(V) G2(V) ID(mA) -------------------- 0,0 0,0 6,9 0,0 0,5 11,7 0,0 1,0 14,8 0,0 1,5 16,7 0,0 2,0 17,8 0,0 2,5 18,8 0,0 3,0 19,1 0,0 3,5 19,6 Gate1 und Gate2 mit gleicher Spannung angesteuert: G1(V) G2(V) ID(mA) -------------------- 0,0 0,0 6,9 0,5 0,5 13,2 1,0 1,0 20,0 1,5 1,5 27,0 2,0 2,0 34,0 2,5 2,5 42,0 3,0 3,0 48,0 3,5 3,5 55,0 In letzter Messung sieht man auch den von Kai genannten multiplikativen Faktor. Wie gesagt, Messungen mit der negativen Gatespannung stehen noch aus. Aber das wird sich tendenziell ähnlich verhalten. Bei den 55mA in der letzten Messung wird der Stein schon unangenehm heiß, PD sind laut Datenblatt beim 3N211 jedenfalls 360mW, wollte es da nicht übertreiben. Messungen mit höheren Drainspannungen werde ich deswegen bei so einem Strom nur schwer hin bekommen, es sei denn, ich baue dafür mal Transistortester mit µC. Die Bausteine sind, wie ich sehe, auf jeden Fall interessant. Für einen Colpitts-Oszillator natürlich auch zu gebrauchen. Andy D. schrieb: > Ich stopf Dir gleich heimlich eine ECH83 in den Versuchsaufbau und hole > Popcorn... ;-) Übrigens ist das Verhalten von Röhren ja ähnlich. Damit experimentierte ich früher auch schon, und bei positiver Gitterspannung bekommen sie schnell richtig rote Backen. Die Röhre ist dann auch etwas frisiert, und der Anodenstrom weit über den Grenzdaten. Aber wenn man das mal braucht, z.B. einen Impulsgenerator, kann man sicher bei der Röhre auch an diese Möglichkeit denken. Was ich noch tun werde, und zwar zwei Depletion Mode MOSFET in Serie in LTspice eingeben, und mal mit meinen Messungen vergleichen. Am Rande: Ich hab noch keinen Baustein in den Himmel gejagt, von wegen Durchschlagsgefahr beim Umgang mit MOSFET. Fest auf dem Steckbrett, wo alle Potentiale niederohmig genug anliegen, ist die Gefahr anscheinend nicht mehr so hoch. Für die Handhabung während der Montage hatte ich ein altes Stück Leitschaumstoff, und achtete ständig auf Potentialausgleiche, das ging so weit gut. ;-)
Häsch Define schrieb: > Hier ein paar Meßdaten: Deine erste Tabelle zeigt sehr schön, dass du gar nicht die Kennlinien der beiden Transistoren gemessen hast, sondern irgendein Gemisch daraus. T2 ist "halboffen" und da kann T1 machen was er will, der Strom kann praktisch nicht weiter steigen (außer wohl durch den Early-Effekt). Normalerweise würde man den jeweils nicht zu messenden Transistor voll durchsteuern, indem man seine Gate-Spannung auf den maximal zulässigen Wert legt. Dann wirkt dieser Transistor nicht mehr als Begrenzung und man kann den jeweils anderen messen.
ArnoR schrieb: > Häsch Define schrieb: >> Hier ein paar Meßdaten: > > Deine erste Tabelle zeigt sehr schön, dass du gar nicht die Kennlinien > der beiden Transistoren gemessen hast, sondern irgendein Gemisch daraus. > T2 ist "halboffen" und da kann T1 machen was er will, der Strom kann > praktisch nicht weiter steigen (außer wohl durch den Early-Effekt). Richtig. > Normalerweise würde man den jeweils nicht zu messenden Transistor voll > durchsteuern, indem man seine Gate-Spannung auf den maximal zulässigen > Wert legt. Dann wirkt dieser Transistor nicht mehr als Begrenzung und > man kann den jeweils anderen messen. Aber das kommt doch alles noch! Also ich bin ja mit den Messungen noch lange nicht fertig. Source von Transistor 1 und Drain von Transistor 2 sind ja auch gar nicht raus geführt. Das ist ein Vierpinner. Aber selbstverständlich bekomme ich da genau genommen Kurvenscharen über beide Gatespannungen.
Arbeite einfach in SPICE weiter. Eigentlich stand hier mehr Text, aber der Server hat ne Fehlermeldung geworden. Ich würde sagen, er kommt nicht damit zurecht wenn zwei Benutzer zufällig den gleichen Time-stamp bekommen für ihre Posts. Hatte ich ja noch nie.
Häsch Define schrieb: > Source von > Transistor 1 und Drain von Transistor 2 sind ja auch gar nicht raus > geführt. Das ist ein Vierpinner. Ja doch, eben genau deshalb muss man den nicht zu messenden Transistor voll durchsteuern, um den nicht zugänglichen Anschluss des anderen Transistors so gut wie möglich zu "sehen".
Abdul K. schrieb: > Hatte > ich ja noch nie. Ich hatte vorhin auch einen Serverfehler, der etwa 3 Minuten dauerte. ArnoR schrieb: > Ja doch, eben genau deshalb muss man den nicht zu messenden Transistor > voll durchsteuern, um den nicht zugänglichen Anschluss des anderen > Transistors so gut wie möglich zu "sehen". Aber das kommt doch alles. Ich lerne auch nur nach und nach stückchenweise und schrittweise.
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