Hallo, Ja es gibt schon ne Menge Beiträge zu dem Thema und ich habe auch die meisten dazu gelesen. Ich versthe wie die Anordnung der Komponenten ist und auch konnte ich das Erfolgreich reproduzieren. Nur "nachmachen" reicht mir nicht, ich würde auch gern verstehen warum das so ist und da wäre ich euch für eure Hilfe sehr dankbar! Gehen wir mal von einem Bsp aus was ich zufällig grad da hab: Es sollen mehrere recht starke LEDs geschaltet werden über ein Developer Board (egal welches). Gehen wir davon aus, dass der maximale Strom den das Board zu Verfügung stellen kann nicht ausreicht um die LEDs direkt mit Strom zu versorgen, weshalb ich mir mit einem NPN Transistor behelfen will. Konkret ist es ein BC 547 http://www.produktinfo.conrad.com/datenblaetter/150000-174999/155012-da-01-en-BC547B.pdf Auch das Datenblatt kann ich zwar in etwa interpretieren, aber so ganz verstehe ich es leider nicht. Von daher später dazu auch noch die eine oder andere Frage. :-) Somit stehen 3,3V für die Base zu Verfügung. Wobei wir auch gleich zur ersten Frage zum Datenblatt kommen: Lt. Datenblatt ist die Emitter-Base-Voltage 6V. Liege ich damit richtig, dass 6V gebraucht werden um diesen Transistor zu schalten? Der nette Herr bei C meinte das ginge auch mit 3,3V und in der Tat ich konnte es mit einer 3V Batterie im Versuchsaufbau bestätigen! Wie sehe ich das im Datenblatt? Ich meine woher weiß ich dass 3V reichen? Und weiter mit der Schaltung. Als Stromquelle dient ein 5V Netzteil. Gehen wir mal davon aus, dass die LED mit passendem Vorwiderstand an + hängt und dann in den Collector geht. Der Emmitter geht direkt an -. Mir ist auch klar wie man den Vorwiderstand berechnet wenn man weiß welchen Basisstrom der Transistor benötigt.Und da wären wir auch gleich bei der 2. Frage zum Datenblatt. Wo finde ich diesen? Bin ich da richtig auf der 2. Seite in der 2. Sektion: IC = 10 mA, IB = 0.5 mA IC = 100 mA, IB = 5 mA Dh in dem Fall braucht die Basis 5mA, wenn am Collector 100mA benötigt werden? Wenn dem so ist dann müsste der Vorwiderstand R=3,3V/0,005A > 660 Ohm sein. Warum geht man nicht immer auf Nummer sicher und wählt den Widerstand möglichst klein, damit am Collector ein möglichst hoher Strom zu Verfügung steht? Bsp man weiß nicht genau was die LED verbraucht. Kann natürlich sein, dass ich bis jetzt schon einige Fehler eingebaut habe, aber wenn das so weit mal richitg ist fängt es bei mir etwas mit den Verständnissschwirigkeiten an. Wie hängt der an der Basis anliegende Strom mit dem des Collectors zusammen? Soweit ich es bis jetzt herausfinden konnte sinkt mit zunehmender Spannung der Widerstand des Transistors (das ist schon etwas sehr ins Detail gefragt, aber weiß jemand wieso das so ist?) Liege ich dann richtig in der Annahme, dass wenn R=U/I gilt mit höher gewähltem Widerstand und gleichbleibendem Strombedarf des Transistors die Spannung fällt. Dadurch wird der Widerstand des Transistors erhöht. Das ist jetzt schon sehr theoretisch und kann auch ganz falsch sein, aber wenn sollte das auch nur in etwa stimmen, wie passt dann der Hfe Wert da rein? Gut das waren jetzt ne Menge Fragen und ne Menge Text! Deshlab schon mal danke fürs Lesen! :-) Ich hoffe ich liege da nicht ganz falsch mit meinen Annahmen. mfg Andreas
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Andreas R. schrieb: > ersten Frage zum Datenblatt kommen: Lt. Datenblatt ist die > Emitter-Base-Voltage 6V. Liege ich damit richtig, dass 6V gebraucht > werden um diesen Transistor zu schalten? Grundregel Nummer 1: Bipolar-Transistoren sind stromgesteuert! (Im Gegensatz zu Röhren). D.h. was du bestimmen, bzw. festlegen musst, ist der Strom, der in die Basis hineinrinnt. Dieser Strom regelt dann, wie stark der Strom auf der Kollektor-Emitter Strecke ist. Die Spannungen stellen sich von selbst ein. Für die Basis-Emitter Strecke kann man mit rund 0.7V Spannungsabfall rechnen. Der genau Wert steht irgendwo im Datenblatt. D.h. von deinen 3.3V, die aus dem µC rauskommen bleiben ca 0.7V beim Transistor auf dem Weg über die Basis zum Emitter hängen. Die restlichen 3.3-0.7 gleich 2.6V müssen an einem Bauteil abfallen: dem Basiswiderstand. Und dessen Wert bestimmst du so, dass bei diesen 2.6V genau der Strom rinnt, den du haben möchtest und den du brauchst, damit auf der C-E Srecke ein geforderter Mindeststrom rinnen kann.
Andreas R. schrieb: > Mir ist auch klar wie man den Vorwiderstand berechnet wenn man weiß > welchen Basisstrom der Transistor benötigt. Wenn ich deine vorhergehenden 6V betrachte, bezweifle ich deine Klarheit. Die 6V sind Emitter-Base Breakdown Voltage, also die Sperrspannung. Base-Emitter On Voltage das sind 0,7V ist die B-E Durchlassspannung.
War ja klar, der täglich (mehrfach) neue Basiswiderstands-Thread. Schau mal in die Artikelsammlung unter "Basiswiderstand". Solche Themen sind hier gern gesehen..., aber nur, wenn man angemeldet ist.
> und in der Tat ich konnte es mit einer 3V Batterie > im Versuchsaufbau bestätigen! Wie sehe ich das im Datenblatt? du musst ein bischen aufpassen, welche Werte im Datenblatt Maximalwerte sind, die du nicht überschreiten darfst und welche nicht.
Andreas R. schrieb: > Warum geht man nicht immer auf Nummer sicher und wählt den Widerstand > möglichst klein, damit am Collector ein möglichst hoher Strom zu > Verfügung steht? Weil ein möglichst kleiner Widerstand dann eben auch bedeutet, dass derjenige, der die Basis 'bedienen' muss, diesen Strom auch liefern können muss. > Strom mit dem des Collectors zusammen? Soweit ich es bis jetzt > herausfinden konnte sinkt mit zunehmender Spannung der Widerstand des > Transistors (das ist schon etwas sehr ins Detail gefragt, aber weiß > jemand wieso das so ist?) Dann lies dich mal ein, wie das mit Halbleitern, mit den Substrat-Typen, den Elektronen und den Löchern und deren Rekombination in den Substratberührungszonen sich so abspielt. Dazu reicht ein Forumseintrag nicht.
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Andreas R. schrieb: > Lt. Datenblatt ist die Emitter-Base-Voltage 6V. > Liege ich damit richtig, dass 6V gebraucht > werden um diesen Transistor zu schalten? Nein. Das ist die maximale Sperrspannung der BE-Diodenstrecke. Im Datenblatt steht was anderes: Base-Emitter voltage – Basis-Emitter-Spannung bei VCE = 5 V, IC= 10 mA ist VBE 720 mV maximal. Andreas R. schrieb: > Bin ich da richtig > auf der 2. Seite in der 2. Sektion: > > IC = 10 mA, IB = 0.5 mA > IC = 100 mA, IB = 5 mA > > Dh in dem Fall braucht die Basis 5mA, wenn am Collector 100mA benötigt > werden? Fast. Auf der ersten Seite steht "DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis". Da bist du richtig. Die oberen Angaben sind dann zu nehmen, wenn du den Transistor in Sättigung betreiben willst: dann nimmt man die 20 (IC/IB). Also, wenn du LEDs schalten willst, dann gib ihm 5mA Basisstrom, wenn du die LEDs mit 100mA betreiben willst. Wenn am Kollektor 100mA benötigt werden, könnten je nach Exemplar auch mal nur 0,25mA oder mehr oder auch weniger reichen. Der C-Typ hat eben typisch der Faktor 400.
Danke euch allen für die Antworten! Karl Heinz schrieb: > Grundregel Nummer 1: > Bipolar-Transistoren sind stromgesteuert! Gut, damit erklärt sich einiges.... Die Aussage, dass ein Transistor Spannungsgesteuert ist, hab ich von einer eigentlich seriös aussehenden Seite und interessanter Weise hat das auch der C Mitarbeiter so bestätigt... Naja, aber wie gesagt das macht vieles verständlicher! Somit erübrigen sich auch eventuelle Folgefragen. Karl Heinz schrieb: > Für die Basis-Emitter Strecke kann man mit rund 0.7V Spannungsabfall > rechnen. Der genau Wert steht irgendwo im Datenblatt. Ich versuche es wie gesagt zu verstehen, die 0,7V sind das ein Wert der in etwa auf meisten Transistoren zutrifft oder nur auf diesen speziell? Und wo genau finde ich das im Datenblatt (dann weiß ich das nächste Mal auch wonach ich suchen muss). Ist das der Max. Wert der Basis-Emmitter Spannung? bei 10mA > 720mV? Hubert G. schrieb: > Wenn ich deine vorhergehenden 6V betrachte, bezweifle ich deine > Klarheit. Die Berechnungsweise ist schon klar, aber wie ich auch geschrieben hab "wenn man weiß welchen Basisstrom der Transistor benötigt" und genau da lag 1. das Verständnisproblem, dass der Transistor über Strom und nicht über die Spannung geschaltet wird und 2. dass ich (teilweise daraus resultierend) das Datenblatt nicht richtig gelesen habe. Karl Heinz schrieb: > du musst ein bischen aufpassen, welche Werte im Datenblatt Maximalwerte > sind, die du nicht überschreiten darfst und welche nicht. In wie weit bezieht sich das auf den Test mit der Batterie? Oder war das bezogen auf die 6V die ich im Datenblatt gefunden habe? Karl Heinz schrieb: > Dann lies dich mal ein, wie das mit Halbleitern, mit den Substrat-Typen, > den Elektronen und den Löchern und deren Rekombination in den > Substratberührungszonen sich so abspielt. > Dazu reicht ein Forumseintrag nicht. Hättest du dafür einen Link? Mich würde es nämlich wirklich interessieren. Danke nochmal für die Antworten! mfg Andreas
Ich muss das nochmal rauf holen, da ich euch noch um die Antworten zu den noch offenen Fragen bitten würde. Und noch eine kleine Zusatzfrage hätte ich auch noch. Ich würde gern ein Relais ansteuern und dafür einen NPN Darlinton Transistor verwenden. Gibt es da was besonderes zu beachten oder ist die Schaltung Berechnung des Basiswiderstandes die gleiche? Danke! mfg Andreas
Andreas R. schrieb: > Ich versuche es wie gesagt zu verstehen, die 0,7V sind das ein Wert der > in etwa auf meisten Transistoren zutrifft oder nur auf diesen speziell? Das trifft auf alle Silizium-Transistoren zu. Diese Spannung ist leicht strom- und temperaturabhängig sowie von der Dotierung. Wenn dann nur 100µA fließen, dann sind es vielleicht noch 500mV ... 600mV. Rechne einfach mit 700mV und gut ist. Mehr ist für die Praxis fast nie notwendig. > Und wo genau finde ich das im Datenblatt (dann weiß ich das nächste Mal > auch wonach ich suchen muss). Ist das der Max. Wert der Basis-Emmitter > Spannung? bei 10mA > 720mV? Im Datenblatt ist meist ein Diagramm angegeben, dass diesen Zusammenhang zeigt. Andreas R. schrieb: > In wie weit bezieht sich das auf den Test mit der Batterie? Oder war das > bezogen auf die 6V die ich im Datenblatt gefunden habe? Maximalwerte nicht überschreiten zu dürfen hängt nicht von der Batterie ab. Das was du gesehen hat mit den 6V ist die maximale Sperrspannung der BE-Diode. Die 0.7V sind die Durchlassspannung der BE-Diode. Andreas R. schrieb: > Ich würde gern ein > Relais ansteuern und dafür einen NPN Darlinton Transistor verwenden. > Gibt es da was besonderes zu beachten oder ist die Schaltung Berechnung > des Basiswiderstandes die gleiche? Fast gleich. Ein Darlington besteht aus zwei speziell zusammengeschalteten Transistoren. Damit wird aussen die UBE zu 2*0.7V und der Stromverstärkungsfaktor wird deutlich größer.
Andreas R. schrieb: > Ich muss das nochmal rauf holen, da ich euch noch um die Antworten zu > den noch offenen Fragen bitten würde. Alle denkbaren Fragen sind bereits beantwortet worden: Beitrag "Re: NPN Transistor als Schalter > wie funktioniert das im Detail?" Wichtig sind nur die etwa 0,7V Ube (und es ist scheißegal, ob es nun 0,7 oder 0,72V sind) bzw. der notwendige Basisstrom. Wenn du nichtmal das erkennen kannst, such dir ein anderes Hobby. (Ist nichtmal böse gemeint) Wenn man den Transistor als Schalter betreibt, muss man eh deutlich übersteuern (mehr Basisstrom einprägen als unbedingt nötig), um sicher in die Sättigung zu kommen, also den "halboffenen" Zustand vermeiden. Beim Darlington sind es halt 2Ube und der Basisstrom ist entsprechend kleiner, das wars. Kann man mit ein klein wenig Nachdenken auch selbst rausfinden, und nur selbsterworbenes Wissen zählt und bleibt, nicht das vorgekaute. Und Analogbetrieb wirst du wohl niemals verstehen.
HildeK schrieb: > as trifft auf alle Silizium-Transistoren zu. Danke! HildeK schrieb: > Maximalwerte nicht überschreiten zu dürfen hängt nicht von der Batterie > ab. Ok, dann war das ein Missverständnis, dachte du hättest es auf die Batterie bezogen und war deshalb verwirrt. HildeK schrieb: > Damit wird aussen die UBE zu 2*0.7V Danke! ein "Gast" schrieb: > > Alle denkbaren Fragen sind bereits beantwortet worden: > Nein sind sie nicht, aber HildeK hat mit dem letzten Beitrag die meisten abgedeckt. Es sind aber immer noch welche offen, wie zum Bsp einer Quelle für weiterführende Literatur wie ein Transistor im Detail funktioniert (das was Karl Heinz empfohlen hat). Da wäre ein konkreter Link oder Hinweiß auf ein Buch nett. ein "Gast" schrieb: > > Wichtig sind nur die etwa 0,7V Ube (und es ist scheißegal, ob es nun > 0,7 oder 0,72V sind) bzw. der notwendige Basisstrom. Wenn du nichtmal > das erkennen kannst, such dir ein anderes Hobby. Du hast offensichtlich den Grund meiner Frage nicht verstanden. Dass 0,7 oder 0,72V egal sind ist mir klar, ABER ich möchte wissen woher dieser Wert kommt bzw. wo dieser im Datenblatt ersichtlich ist. Denn das ist genau das was du später beanstandest, dass man bei vorgekautem nichts lernt! Genau deshalb will ich es ja selbst nachvollziehen können und Frage nach der Quelle für diesen Wert. Ich sehen das nicht zwingend als mein Hobby (eher als momentane Freizeitbeschäftigung), da hab ich genug andere, aber ich suche mir von Zeit zu Zeit neue Wissensgebiete in denen ich mir zu mindest Grundkenntnisse aneignen will. Jetzt sind grad Microcontroller und Elektrotechnik dran (vorher war es Biologie, Medizin, Quantenphysik, Zoologie, (Möbel-)Tischlerei und andere Bereiche). Es ist weder meine Absicht damit jemals Geld zu verdienen noch wirklich besonders Anspruchsvolle Sachen selbst zu erfinden. Es dient wie gesagt lediglich der Fortbildung und etwas Spaß dabei. Meine Erfahrung zeigt mir dabei, dass wenn ich zu mindest versuche die Hintergründe zu verstehen, das Wissen auch deutlich länger im Gedächtnis bleibt. Ein Transistor ist ein sehr häufig verwendetes Bauteil, weshalb mich dieser auch im Detail interessiert, aber natürlich beschränkt sich der Wissensdurst nicht nur auf diesen.
Andreas R. schrieb: > Quelle für weiterführende Literatur wie ein Transistor im Detail > funktioniert (das was Karl Heinz empfohlen hat). Empfohlen würde ich das nicht nennen. Es mag zwar ganz interessant sein, was da auf atomarer Ebene abgeht, aber vom Verständnis her, wie man mit einem Transistor arbeitet, bringt es dich nicht weiter. Goggle halt mal danach. Ein paar STichworte hast du ja schon. Ich bin mir auch recht sicher, dass es auf Youtube ein paar Videos gibt, die zeigen, wie die Elektronen in den Schichten arbeiten und was da in der Grenzzone ziwschen den dotierten Schichten passiert. > oder 0,72V egal sind ist mir klar, ABER ich möchte wissen woher dieser > Wert kommt Weil das der Wert ist, der typisch über einer normalen Diode abfällt. Und die Basis-Emitter Strecke in einem NPN Transistor ist ein PN Übergang, also eine Diode.
Karl Heinz schrieb: > > Empfohlen würde ich das nicht nennen. > Es mag zwar ganz interessant sein, was da auf atomarer Ebene abgeht, > aber vom Verständnis her, wie man mit einem Transistor arbeitet, bringt > es dich nicht weiter. > Goggle halt mal danach. Ein paar STichworte hast du ja schon. Ich bin > mir auch recht sicher, dass es auf Youtube ein paar Videos gibt, die > zeigen, wie die Elektronen in den Schichten arbeiten und was da in der > Grenzzone ziwschen den dotierten Schichten passiert. Youtube muss ich mal schauen. Die meisten Seiten die ich gefunden habe, haben zwar die Funktionsweise erklärt, aber sind in keinster Weise darauf eingegangen wie das im Transistor inneren aussieht. Das beste was ich finden konnte war ein "Schnittbild" mit ein paar Worten dazu. Naja, ich werde es nochmal mit den von dir genannten Stichworten versuchen. Ich bin nur immer etwas skeptisch was google angeht, denn man findet durchaus nicht nur richtige Sachen. Und genau das ist mir ja passiert bei meiner Suche zum Transistor, dass eine offensichtlich seriöse Seite schreibt, dass ein Transistor über die Spannung gesteuert wird. Ich bin es gewohnt viel im Selbststudium zu lernen und ich finde das Internet dafür ein geniales Werkzeug, nur eben mit Vorsicht zu geniesen grad in Bereichen die einem eben noch nicht so bekannt sind. Viel hat mir: http://www.elektronik-kompendium.de geholfen, was ich fast ganz durch bin, jedoch noch nicht alles ganz klar ist. >> oder 0,72V egal sind ist mir klar, ABER ich möchte wissen woher dieser >> Wert kommt > > Weil das der Wert ist, der typisch über einer normalen Diode abfällt. > Und die Basis-Emitter Strecke in einem NPN Transistor ist ein PN > Übergang, also eine Diode. Danke! Das ist auch gut zu wissen dass das auf Dioden generell zutrifft. mfg Andreas
Andreas R. schrieb: > durchaus nicht nur richtige Sachen. Und genau das ist mir ja passiert > bei meiner Suche zum Transistor, dass eine offensichtlich seriöse Seite > schreibt, dass ein Transistor über die Spannung gesteuert wird. Vorsicht: Bipolar-Transistor - stromgesteuert Feldeffekt-Tranistsor - spannungsgesteuert
Ich hab schon versucht die Seite nochmal wieder zu finden, aber leider erfolglos! Kann natürlich sein, dass sich die auf FETs bezogen haben, wäre mir aber nicht aufgefallen und ich hab damals explizit nach Bipolartransistor gesucht. Der Mitarbeiter bei C hatte das Ding auch in der Hand, wußte also über was ich spreche und hat es trotzdem bestätigt. Aber kann alles sein, bin wie gesagt neu bei dem Thema und behaupte nicht perfekt zu sein. :-) Vielleicht bleib ich ja länger bei dem Thema, gefällt mir bis jetzt ganz gut und ist schon lustig mit so nem development board etwas rum zu spielen und ein paar Schaltungen zu bauen. Besonders praktisch ist es auch weil sich das erlernen bzw. Vertiefen einer Programmiersprache damit gut verbinden lässt. Na mal sehen wie das weiter geht, aber auf jeden Fall hoffe ich auch weiterhin auf eure Unterstützung, denn ich werde sicher noch die eine oder andere Frage haben, wenn ich mal selbst nicht weiter komme. mfg Andreas
Andreas R.. Lass dich von „freundlichen Gästen” nicht abschrecken und Frage, bis du es kapierst hast. das was zu Recht auf Ablehnung stossen kann wäre, wenn es offensichtlich wird, dass du gerne Fragst, aber daraus keine Erkenntnisse gewinnst, bzw. sich in deinem Verhalten Lernfaulheit zeigt. Ich kann dein Vorgehen und deine Begründungen sehr gut nachvollziehen. Erlaube mir noch damit zu schliessen, dass ich dich auf die Tutorials bei www.diligentinc.com unter dem reister „classroom” verweise. Sei es der Tutorial „Real Analog: Circuits 1” zum Themenkreis Analogelektronik, oder zum Thema Digitalelektronik, nicht zu verwechseln mit µController, „Real Digital: A hands-on approach to digital design”. Der Tutorial zum Thema Analogelektronik stammt von der Firma "Analog Devices", einer der führenden Halbleiterunternehmen zu analoger Elektronik. Schaut man dort nach, so kann man lesen, das dieser Kurs noch bis zu 13 Kapital bekommen wird und ein ein Teil 2 geplant ist.
Diese Tutorials wird er wohl kaum lesen geschweige denn begreifen. Lieber fragt er uns ein Loch in den Bauch. Wer ein Datenblatt nicht begreifen will oder kann, sollte die Finger davon lassen. Das Forum gibt gerne Tips für Lernwillige, ist aber keine Schule für absolute Nullen, die alles und jedes hinterfragen und doch nichts kapieren.
Danke Dirk für dein Outen, mutig! Ich wollte keine Namen nennen! Wenn man deine Meinung über jemand hat, dann braucht man nicht zu antworten, man hat ja nichts konstruktives beizutragen, außer man liest sich gerne selber!
Bei Pfeifen wie "Andreas R. (pcdoc)", der sich auch noch großkotzig "pcdoc" nennt, ist alle Liebesmüh vergebens. Das ist so ähnlich wie mit dem Ochs vorm Berg.
Hellmut Kohlsdorf schrieb: > Danke Dirk für dein Outen, mutig! Damit liegst du vollkommen falsch. Die Beiträge die du meinst stammen nicht von Dirk. Aber er hat Recht: Andreas R. schrieb: > Ja es gibt schon ne Menge Beiträge zu dem Thema und ich habe auch die > meisten dazu gelesen. Andreas R. schrieb: > Viel hat mir: http://www.elektronik-kompendium.de geholfen, was ich fast > ganz durch bin Der Andreas hat also schon fast das ganze Kompendium durch und die meisten Beiträge zum Thema hat er auch gelesen, aber dennoch weiß er nicht wie sich eine (Basis-Emitter-) Diode (evtl noch in Kombination mit einem einfachen Widerstand) verhält? Ich kenne solche Leute, und hab auch schon extrem viel Energie für die aufgewndet, alles umsonst. Viel Vergnügen.
Hellmut Kohlsdorf schrieb: > Erlaube mir noch damit zu schliessen, dass ich dich auf die Tutorials > bei www.diligentinc.com unter dem reister „classroom” verweise. Danke, werde ich mir sicher mal anschauen! Dirk J. schrieb: > Bei Pfeifen wie "Andreas R. (pcdoc)", der sich auch noch > großkotzig > "pcdoc" nennt, Du scheinst mir ja nicht der Inteligenteste zu sein, deshalb versuch ich es in einfachen Worten, ohne mich auf dein Niveau herab zu begeben. Ich glaube ich hab mich beruflich sowie privat genug in meiner IT Zeit bewiesen, dass ich mich kaum vor Leuten wie dir rechtfertigen muss warum und wie ich meinen Nickname wähle. Weitere Kommentare zu deinen Posts erspare ich mir, da ich meine Zeit nur ungern verschwende. Da könnte ich was richtig produktives machen, wie Socken zusammenlegen.... ein "Gast" schrieb: > Der Andreas hat also schon fast das ganze Kompendium durch und die > meisten Beiträge zum Thema hat er auch gelesen, aber dennoch weiß er > nicht wie sich eine (Basis-Emitter-) Diode (evtl noch in Kombination mit > einem einfachen Widerstand) verhält? Dein Kommentar ist leider auf ähnlichem Niveau, denn du zitierst aus dem Zusammenhang gerissene Textstücke! Ich habe geschrieben, dass ich fast das ganze Kompendium durch bin, aber wie ich auch geschrieben habe ist noch nicht alles klar. Ich muss aber anmerken, dass meine Aussage so nicht ganz korrekt war. Ich bezog mich damit nur auf den Teil "Bauelemente", nicht auf das ganz Kompendium. Außerdem hab ich diesen Thread eröffnet als ich bei weitem noch nicht alles im Kompendium gelesen habe. Auch die Beiträge hier im Forum haben nicht die Funktionsweise eines Transistors im Detail beschrieben (lediglich wie man in benutzt, was wohl für die meisten das wichtigste ist). Und wie anfänglich auch geschrieben konnte ich die Schaltung auch funktionsfähig nachbauen und einsetzten (wenn auch nicht 100%ig korrekt) Mir ging es darum zu verstehen warum es so funktioniert. Und das ist mir jetzt zu mindest etwas klarer, auch wenn ich mich weiter in dem Thema vertiefen werde. Nochmal danke an alle die hilfreiche Beiträge geschrieben. Ich glaube das Thema ist zu mindest hier erschöpft. mfg Andreas
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Andreas R. schrieb: >... aber ich suche mir von > Zeit zu Zeit neue Wissensgebiete in denen ich mir zu mindest > Grundkenntnisse aneignen will. Jetzt sind grad Microcontroller und > Elektrotechnik dran (vorher war es Biologie, Medizin, Quantenphysik, > Zoologie, (Möbel-)Tischlerei und andere Bereiche). Aha, da hat er in anderen Foren auch schon die Leute genervt. Und jetzt sind wir dran - ich hoffe - gewesen. Wer sind Deine nächsten Opfer? Vergleichsweise kommst Du mir vor wie ein Friedhofsgärtner, der mit dem Oberarzt über medizinische Grundlagen diskutieren möchte. Und bei Deinem IT Wissen keine Ahnung von simplen Vorgängen im Transistor zu haben ist schon schwach. Ist wie ein Bäcker, der nur weiß, wie er den Ofen einschaltet. Soviel zu Deinem Niveau.
Andreas R. schrieb: > Hallo, > > Ja es gibt schon ne Menge Beiträge zu dem Thema und ich habe auch die > meisten dazu gelesen. Ich versthe wie die Anordnung der Komponenten ist > und auch konnte ich das Erfolgreich reproduzieren. Nur "nachmachen" > reicht mir nicht, ich würde auch gern verstehen warum das so ist und da > wäre ich euch für eure Hilfe sehr dankbar! > > Gehen wir mal von einem Bsp aus was ich zufällig grad da hab: > > Es sollen mehrere recht starke LEDs geschaltet werden über ein Developer > Board (egal welches). Gehen wir davon aus, dass der maximale Strom den > das Board zu Verfügung stellen kann nicht ausreicht um die LEDs direkt > mit Strom zu versorgen, weshalb ich mir mit einem NPN Transistor > behelfen will. Konkret ist es ein BC 547 > > http://www.produktinfo.conrad.com/datenblaetter/15... > > Auch das Datenblatt kann ich zwar in etwa interpretieren, aber so ganz > verstehe ich es leider nicht. Von daher später dazu auch noch die eine > oder andere Frage. :-) > > Somit stehen 3,3V für die Base zu Verfügung. Wobei wir auch gleich zur > ersten Frage zum Datenblatt kommen: Lt. Datenblatt ist die > Emitter-Base-Voltage 6V. Liege ich damit richtig, dass 6V gebraucht > werden um diesen Transistor zu schalten? Der nette Herr bei C meinte das > ginge auch mit 3,3V und in der Tat ich konnte es mit einer 3V Batterie > im Versuchsaufbau bestätigen! Wie sehe ich das im Datenblatt? Ich meine > woher weiß ich dass 3V reichen? > > Und weiter mit der Schaltung. Als Stromquelle dient ein 5V Netzteil. > Gehen wir mal davon aus, dass die LED mit passendem Vorwiderstand an + > hängt und dann in den Collector geht. Der Emmitter geht direkt an -. > > Mir ist auch klar wie man den Vorwiderstand berechnet wenn man weiß > welchen Basisstrom der Transistor benötigt.Und da wären wir auch gleich > bei der 2. Frage zum Datenblatt. Wo finde ich diesen? Bin ich da richtig > auf der 2. Seite in der 2. Sektion: > > IC = 10 mA, IB = 0.5 mA > IC = 100 mA, IB = 5 mA > > Dh in dem Fall braucht die Basis 5mA, wenn am Collector 100mA benötigt > werden? > > Wenn dem so ist dann müsste der Vorwiderstand R=3,3V/0,005A > 660 Ohm > sein. > > Warum geht man nicht immer auf Nummer sicher und wählt den Widerstand > möglichst klein, damit am Collector ein möglichst hoher Strom zu > Verfügung steht? Bsp man weiß nicht genau was die LED verbraucht. > > Kann natürlich sein, dass ich bis jetzt schon einige Fehler eingebaut > habe, aber wenn das so weit mal richitg ist fängt es bei mir etwas mit > den Verständnissschwirigkeiten an. Wie hängt der an der Basis anliegende > Strom mit dem des Collectors zusammen? Soweit ich es bis jetzt > herausfinden konnte sinkt mit zunehmender Spannung der Widerstand des > Transistors (das ist schon etwas sehr ins Detail gefragt, aber weiß > jemand wieso das so ist?) Liege ich dann richtig in der Annahme, dass > wenn R=U/I gilt mit höher gewähltem Widerstand und gleichbleibendem > Strombedarf des Transistors die Spannung fällt. Dadurch wird der > Widerstand des Transistors erhöht. > > Das ist jetzt schon sehr theoretisch und kann auch ganz falsch sein, > aber wenn sollte das auch nur in etwa stimmen, wie passt dann der Hfe > Wert da rein? > > Gut das waren jetzt ne Menge Fragen und ne Menge Text! Deshlab schon mal > danke fürs Lesen! :-) Ich hoffe ich liege da nicht ganz falsch mit > meinen Annahmen. > > mfg > Andreas Andreas R. schrieb: > Wenn dem so ist dann müsste der Vorwiderstand R=3,3V/0,005A > 660 Ohm > sein. Hallo Adreas, Irgendwie klingts verwirrend, wobei Dein Anliegen recht einfach erklärt ist: Beispiel: Du willst wieviele LEDS PARRALLEL ein/ausschalten? nehmen wir an - im Beispiel 3 x LED weiß die kannste EINZELN mit je 1x NPN BC 546 47 48 / 49 gegen MINUS oder PLUS UB Schalten! Wenn also 12 VDC hast, brauchste für weiße LEDs in REIHE zur LED (ob nun COLLECTOR, oder EMITTER-ZWEIG - das ist egal schaltest) - BASISSTROM für den einzelnen Trabsistor: 20 mA >> bedeutet: Basis-gegen UB PLUS: Widerstand 4,7 KOHM und der LED-VORWIDERSTAD beträgt für 20mA-LED-STROM etwa gegen MASSESTERECKE in Reihe zur LED bei UB 12 VDC: 470 Ohm (nicht unbedingt weniger aber mehr auch nicht (wegen des Spannungsabfalles an der BASIS-EMITTERSTRECKE von etwa 0,7 VDC ! "Normale" sogenannte UNIVERSAL-TRANSISTOREN, wie die NPN / PNP-Seire BC 54x / (PNP 55x) können als "Schalter" benutzt werden! Wenn die LEDS höhere Ströme benötigen, hilft hier die BD-SERIE (also BD 136-138-140 für PNP und die NPN-SERIE BD 137 / 139) - Diese können Schalt-Funktionen bis zu 1,5 A über Collector-Emitter-Srecke "schalten" - empfehlenswert, wenn mehrere LED-Kaskasden gleichzeitig geschaltet werden sollen.. Die BASI-Schaltstrom-Impedanz-Regel für den BASIS-Vorwiderstand 4,7 KOHM (bei UB 12 VDC!!) unterscheidet sich dabei nicht! Ist aber kleinere UB VDC (z.B nur 3 VDC) vorhanden, so muss natürlich auch der Basisvorwiderstand verkleinert werden, allerdings nicht 1 KOHM, da sonst der Transistor nicht "sauber schliesst / öffnet"! Allgemein gilt für SCHALTERANWENDUNGEN über Transistoren: Es muss nur der BASISVORWIDERSTAND angepasst werden, sodass die "SÄTTIGUNGSSPANNUNG" an der Basis nicht unter 0,7 VDC abfällt. Diese Sättigungsspannung ist in der Regel etwa bei allen Transistoren gleich! Ausnahme hier bilden sogenannte MOSFETS, die intern bedingt mit Lastschutzdioden versehen sind und auf KAPAZITATIVE Änderungen der Umschaltung des Transistors reagieren und fehlfunktionen auslösen könen. Eine andere Variante gibts auch noch: Man kann zB für LED-Schaltungen an der BASIS-EMITTERSTRECKE einen ZUSATZ-KLEIN-WIDERSTAND (zB 33 Ohm) einfügen, der dann den SÄTTIGUNGSGRAD des Transistors durch diese Maßnahme "anhebt" (verstärkt) - ohne dabei den Transistor aus dem Ruhestrom-Bereich / Arbeitbereich "herauszukatapultieren" - was stödlich für die Sperrschicht eines Transistors wäre! Dieser Emitterwiderstand bewirkt eine GEGENSTROMSEITIGE Reglung auf EMITTER-BASISSTRECKE zum Faktor 1-4 (je nach Typ) ud wird daher oft eingesetzt, wo zB keine absolut stabile Versorgungsspannung dieser Transistor-"Schalter"-Schaltung zur Verfügug steht.. Viele wagen sich aus welchen Gründen auch immer nicht an solche Schaltungen heran, weil sie denken, dass ein Transistor ausser zu verstärken nichts könne: Das ist Blödsinn: Heutzutage kann man interessante Schaltungen mit Transistoren aufbauen, ohne groß Kenntnis des "Innenlebens" zu haben ! Allerdings eizigste Vorraussetzung ist dabei: GENAU aufzupassen, dass man nicht aus Versehen PNP mit NPN-Typen ein einer Schaltung verwechselt, will man nicht gleich mit nem Feuerlöschmittel daneben erstarren... Im Iternet gibts millionen Seiten, Foren, Infos rund um solche Schaltungsbeispiele zu LED-"Treibern" etc... Hier im Threed also im Grunde garnicht diskutabel, wenn jemand über sowas etwas sucht... mfg Muffin
Mufin schrieb: > ... > mfg Muffin Noch ein Opfer, das auf den Troll reinfällt und zu helfen versucht.
Hallo Muffin, Danke für deine ausführliche Erklärung! Mir geht es primär nicht darum eine LED (oder mehrere LEDs) zu schalten. Das ist lediglich die "Vorübung" um mit einem Developer Board etwas anzusteuern über die GPIOs. Mir ist leider noch nicht bekannt wieviel Strom die GPIOs auf dem Board liefern können, aber ich nehme an es wir ähnlich wenig sein wie beim RPI, was ca. 60mA sein dürften. Von daher bin ich quasi gezwungen irgendwas verstärkende dazwischen zu schalten. Schlussendlich wird das ein Relais sein, welches ich aber auch nicht direkt ansteuern kann, sondern so der momentane Plan, mit einem Darlington Transistor dazwischen. Ich fange aber lieber klein an, ist ja nicht jeder so ein Naturtalent und Genie wie Dirk dass er in 2 Wochen gleich alles bis ins letzte Detail begreift, und das eben in Form einer ganz einfachen Schaltung mit Transistor und LED. Als 2. Schritt möchte ich selbiges eben mit Darlington machen und dann wird die LED durch ein Relais ersetzt, wobei da noch ein bißchen mehr notwendig ist als nur die LED durch das Relais auszutauschen. Unsprünglich hab ich begonnen mich über Darlington Transistoren zu informieren, jedoch war da in den meisten Fällen die Info die ich gefunden habe, dass es Quasi eine Doppeltransistorschaltung ist, die man auch selbst bauen könnte. Aus dem Grund bin ich dann quasi einen Schritt zurück gegangen um mal einen Transistor richtig zu verstehen. Wobei es nicht um die Funktionsweise geht. Bis auf die Falschinfo/Verwechslung mit Strom und Spannung war und ist mir schon klar was ein Transistor (PNP und NPN macht) macht nur eben nicht wie. Inzwischen (leider erst nachdem ich diesen Thread gestartet habe) habe ich folgedes gefunden (im Kompendium: Durch das Anlegen einer Spannung UBE von etwa 0,7 V, ist die untere Diode (Prinzip) in Durchlassrichtung geschaltet. Die Elektronen gelangen in die p-Schicht und werden von dem Plus-Pol der Spannung UBE angezogen. Da die p-Schicht sehr klein ist, wird nur ein geringer Teil der Elektronen angezogen. Der größte Teil der Elektronen bewegt sich weiter in die obere Grenzschicht. Dadurch wird diese leitend und der Plus-Pol der Spannung UCE zieht die Elektronen an. Es fließt ein Kollektorstrom IC. Das kommt der Erklärung die ich gesucht habe schon ziemlich nahe. Jedoch fehlt auch hier noch was. Wenn die Elektronen nur zu einem geringen Teil gegen den Plus-Pol der Spannung UBE gezogen werden und der Großteil WEITER in die obere Grenzschicht geht, was verändert sich dann in der oberen Grenzschicht bzw. in der P-Schicht dass sie plötzlich leitend wird. WEITER bedeutet für mich, dass das sowieso der Fall ist, warum also wird er nur bei Strom an der Basis leitend. Es verändert sich kaum was (zu mindest nicht aus dem Text ersichtlich), außer dass eben auch ein paar Elektronen Richtung Plus-Pol der UBE Spannung gehen. Der Transistor wirkt ja quasi wie ein unendlich großer Widerstand auf CE, der über den Strom geregelt wird und dadurch leitend wird, nur obige Erklärung sagt leider auch nicht aus wie. mfg Andreas
Dirk J. schrieb: > Ist wie ein Bäcker, der nur weiß, > wie er den Ofen einschaltet. Toller Vergleich! Zeig mir doch mal einen Bäcker, der weiß wie genau sein Ofen hergestellt wurde und aus was für Teilen er besteht. Dirk J. schrieb: > Noch ein Opfer, das auf den Troll reinfällt und zu helfen versucht. Mal nachdenken wer da der Troll ist!? Auszug aus der Wikipedia: Als Troll bezeichnet man im Netzjargon eine Person, welche die Kommunikation im Internet fortwährend und auf destruktive Weise dadurch behindert, dass sie Beiträge verfasst, die sich auf die Provokation anderer Gesprächsteilnehmer beschränken und keinen sachbezogenen und konstruktiven Beitrag zur Diskussion darstellen. Ich konnte bis jetzt nichts konstruktives oder sachbezogenes von dir in diesem Thread finden. Provokative Beiträge jedoch schon. Klingt als wäre die Definition für dich geschrieben...
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Andreas R. schrieb: > Durch das Anlegen einer Spannung UBE von etwa 0,7 V, ist die untere > Diode (Prinzip) in Durchlassrichtung geschaltet. Die Elektronen gelangen > in die p-Schicht und werden von dem Plus-Pol der Spannung UBE angezogen. > Da die p-Schicht sehr klein ist, wird nur ein geringer Teil der > Elektronen angezogen. > Der größte Teil der Elektronen bewegt sich weiter in die obere > Grenzschicht. Dadurch wird diese leitend und der Plus-Pol der Spannung > UCE zieht die Elektronen an. Es fließt ein Kollektorstrom IC. .... Am besten du glaubst das und schließt das Kapitel für dich ab. Natürlich nervt es, wenn du wissen willst, wie das mit dem Transistor-Urschleim ist. Manches kann man eben nicht einfach erklären, und wenn, dann mußt du dich an einer Hochschule in Vorlesungen Halbleiterphysik setzen. Also nerve dort einen Professor, der voll im Stoff steht. Da gibt es dann solche Begriffe wie Dotierung, Donatoren, Bändermodell, Diffusion usw. Und obiger Text ist nicht korrekt. Die Elektronen wandern nicht einfach, sondern diffundieren. Man kann es nicht mit der Röhre vergleichen. Ich hör hier auf, denn es ist lange her und ich müßte auch Unterlagen herauskramen.
Michael_ schrieb: > Am besten du glaubst das und schließt das Kapitel für dich ab. Wie mein Mathematikprofessor immer so schön sagte: "Glauben kann man in der Kirche, aber nicht in der Wissenschaft!" Ist natürlich nicht immer möglich und deshalb hab ich das Thema für mich bereits einige Posts höher abgeschlossen: Andreas R. schrieb: > Nochmal danke an alle die hilfreiche Beiträge geschrieben. Ich glaube > das Thema ist zu mindest hier erschöpft. Und es besteht auch keinerlei Zwang hier zu antworten wenn ihr es selbst nicht wisst oder diesen Wissen nicht teilen wollt. Wenn ich keine Antworten bekomme und auch selbst nichts weiterführendes finde muss ich mich sowieso damit abfinden, denn ich habe sicher nicht die Zeit zu lange an einem Ding fest zu halten. mfg Andreas
>"ist ja nicht jeder so ein Naturtalent >und Genie wie Dirk dass er in 2 Wochen gleich alles bis ins letzte >Detail begreift" Nein, meine Lehrzeit betrug 3 1/2 Jahre. Und Du siehst hoffentlich ein, dass man nicht alles und jedes in einem Forum in wenigen Sätzen erklären kann. Schönen Tag noch und viel Spaß - bei Deinem nächsten Projekt.
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Andreas R. schrieb: > Wie mein Mathematikprofessor immer so schön sagte: "Glauben kann man in > der Kirche, aber nicht in der Wissenschaft!" Was spinnst du hier rum? Ich glaube erst mal nicht, das du dieses Studium abgeschlossen hast. Ansonsten hättest du dich dich in die Materie anders eingearbeitet. Mathematik ist eben nicht Halbleiterphysik. Nimm die Datenblätter so wie sie sind und sei glücklich! Nerv uns nicht länger!!!! Oder studiere Halbleiter-Technologie.
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