Hallo Beim stöbern habe ich den Mosfet Treiber ADP3110A gefunden. Für gerade mal 50cent scheint das Teil recht günstig. Im Datenblatt verwirrt mich die Angabe, dass der Treiber 3nF Gatekapazität Treiber kann. Bisher habe ich immer gesehen, dass der Strom angegeben wird mit welchem der Treiber das Gate umlädt. Stattdessen heißt es: Output Resistance 2.2Ohm (typ.) @12V. Ich kann mir schlecht vorstellen, dass bei dem IC 5A fließen. Es wäre nett wenn mir jemand hier Klarheit schaffen würde.
die 3nf sind nur auf die 25ns risetime bezogen. Der kann natürlich beliebige lasten treiben
avr schrieb: > kann mir schlecht vorstellen, dass bei dem IC 5A fließen. Das kommt halt auf die Zeitspanne an, ob nun ein Kondensator in Sekundenbruchteilen geladen oder eine Gluehbirne dauerhaft betrieben werden soll macht nunmal einen Unterschied. thermal shutdown 150C, Waermeueberg. S-O8 123C/W, ohne weiter zu genauer gucken, angenommen 1W Dauerverlustleitung waeren machbar dann kannst du dir ja ueberlegen welchen Dauerstrom man dem Teil zumuten kann, ist ja letztlich "nur ein Schalter".
Ich wollte das Teil schon als Mosfet Gate Treiber verwenden. Die Umladeverluste sind nicht das Problem. Ich habe den Treiber gerade simuliert und muss zugeben, dass ich mich bei den Strömen verschätzt habe. Um 25ns Schaltgeschwindigkeit zu erreichen muss schon ein recht hoher Strom fließen. Etwas unsicher bin ich noch bei der Bootstrap Schaltung. Der Mosfet, den ich verwenden möchte, hat eine Gate-Source Spannungsfestigkeit von 20V. Durch die Bootstrap Schaltung wird das Gate auf die doppelte Versorgungsspannung gelegt (bei 12V auf 24V). Da der Bootstrap-Kondensator nur mit 12V geladen ist, dürfte aber die Gate-Source Spannung maximal 12V betragen. Wenn am Gate 24V anliegen, muss der Mosfet also schon durchgeschalten haben. Kann man somit auf eine Schutzbeschaltung am Gate verzichten?
Gedacht ist der fuer eine Halbbruecke also hat er zwei Ausgaenge. DRVH, angehoben 'bootstrapped', fuer den oberen und DRVL fuer die untere Haelfte, dort wird dann auch nur Vcc durchgeschaltet. Kommt halt drauf an was du machen willst. Bild 4 in deinem DB veranschaulicht das. Halbbruecke treiben oder einzelnen FET? Bei letzterem einfach den unteren nehmen, Kond. und die Diode wird man dann auch weglassen koennen. avr schrieb: > Etwas unsicher bin ich noch bei der Bootstrap Schaltung. Der Mosfet, den > ich verwenden möchte,
Ja, es geht um eine Halbbrücke mit zwei N-Mosfets (http://www.vishay.com/docs/62838/sira36dp.pdf ). Und diese haben nur eine Gate-Source Spannungsfestigkeit von 20V. Betreiben möchte ich die Schaltung aber mit 12V. Ich habe inzwischen gesehen, dass es eine Menge pinkompatibler Treiber ICs gibt. Z.B.: http://www.onsemi.com/pub/Collateral/NCP5901-D.PDF oder http://www.onsemi.com/pub_link/Collateral/ADP3121-D.PDF Alle vom gleichen Hersteller. Aber die Datenblätter sind teilweise deutlich ausführlicher. Manche empfehlen zusätzliche Gate Vorwiderstände oder Stützkondensatoren bei der Bootstrap Schaltung. Beim NCP5901 sind bei der Beispielschaltung haufenweise 0 Ohm Widerstände drin. Warum denn das? Jetzt weiß ich noch weniger, wie ich das ganze aufbauen soll. Gibts da irgendwelche Literatur oder ähnliches?
avr schrieb: > Jetzt weiß ich noch weniger, wie ich das ganze aufbauen soll. Gibts da > irgendwelche Literatur oder ähnliches? evtl. wirst du schon hier fuendig, http://www.mikrocontroller.net/articles/Treiber ganz unten gibt auch noch es einen guten Link AN978 von IRF: HV Floating MOS-Gate Driver ICs , engl.
Lastkapazität schrieb: > AN978 von IRF: HV Floating MOS-Gate Driver ICs , engl. Danke, das war ganz hilfreich. Damit sind die meisten Fragen schon geklärt worden. Bleibt nur noch übrig, ob man nun eine Schutzbeschaltung bei der Bootstrap Schaltung für das Gate des Highside Fet braucht (2*Vcc > Ugs).
Durch die Bootstrap Schaltung wird der Highside Mosfet mit 2*Vcc geschalten.
avr schrieb: > Durch die Bootstrap Schaltung wird der Highside Mosfet mit 2*Vcc Und dessen source liegt auf welchem Potential, was bleibt dann ueber? Zeig doch einfach mal deinen Entwurf, weis doch keiner was du wirklich vorhast.
Ich habe für die Simulation einen diskreten Mosfet Treiber mit Bootstrap benutzt. Wenn Vout = 0 ist, wird der Bootstrap Kondensator mit 12V geladen. Schaltet der Highside Fet langsam durch (Vout wird größer), wird die Spannung des Treibers durch der Bootstrap Kondensator ebenfalls erhöht und der Treiber kann mit der doppelten Spannung schalten. Soweit sieht man das auch im unteren Graph. Im oberen oberen ist Ugs dargestellt. Nach meinem Verständnis (und auch nach der Simulation), dürfte Vgs nie größer 12V werden. Aber ich bin mir nicht sicher, wie sich das in der Praxis verhält.
avr schrieb: > Nach meinem Verständnis (und auch nach der Simulation), dürfte Vgs nie > größer 12V werden. Aber ich bin mir nicht sicher, wie sich das in der > Praxis verhält. Der Kondensator hat nie mehr als 12V. Der negative Pol ist am Source des FET. Also kann das Gate nicht mehr als 12V positiver als die Source sein. Welche Spannung die Brücke hat, ist egal. Es gibt Treiber, die können einige 100V ab, mit der gleichen Schaltung. Es steht aber nirgends geschrieben, daß der Treiber mit der Brückenspannung versorgt werden muß. MfG Klaus
Klaus schrieb: > Der Kondensator hat nie mehr als 12V. Der negative Pol ist am Source des > FET. Also kann das Gate nicht mehr als 12V positiver als die Source > sein. Welche Spannung die Brücke hat, ist egal. Das ist klar. Ich war mir nur nicht sicher, ob das dann auch so gut auf der Platine mit allen Induktivitäten funktioniert. > Es gibt Treiber, die > können einige 100V ab, mit der gleichen Schaltung. Es steht aber > nirgends geschrieben, daß der Treiber mit der Brückenspannung versorgt > werden muß. Und doch muss dort der Highside Fet mit 100V + Ugs(th) angesteuert werden. Aber mit dem Argument hast du alle Zweifel bei mir beseitigt.
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