Hallo, habe einen Schaltregler konstruiert, bei dem ein BCW65C das Gate eines Leistungs-Mosfets entladen soll. Funktioniert gut, bin mir allerdings bei einer Sache unsicher. Der BCW65C wird über einen Kerko (6n8) ohne Vorwiderstand angesteuert. Dieser Kerko liegt zwischen der hart schaltenden Flanke an Drain des Leistungs-Mosfet (DelteV/DeltaT ziemlich hoch), und der Basis des BCW65C. Fragt sich nun, wie belastbar solch ein kleiner Transistor an dieser Stelle ist. Die lt. Datenblatt max. 200mA Pulsstrom an der Basis werden sicher locker überschritten, allerdings nur für sehr kurze Zeit. Gibt es Richt- oder Erfahrungswerte für sowas? Das Datenblatt gibt dazu nicht viel her (Fairchild z.B. gibt im gesamten DB nicht einen einzigen Wert für den Basisstrom an - unglaublich!) Würde eine Schätzung, ob die o.g. Verschaltung ok oder auch nicht ist, der Aussage, daß das Datenblatt heilig ist, vorziehen...
Quereinsteiger schrieb: > (Fairchild z.B. gibt > im gesamten DB nicht einen einzigen Wert für den Basisstrom an - > unglaublich!) Keine Lupe dabei? Ich habe mindestens 4 mal Ib gesehen.
Mainboard schrieb: > Quereinsteiger schrieb: >> (Fairchild z.B. gibt >> im gesamten DB nicht einen einzigen Wert für den Basisstrom an - >> unglaublich!) > > Keine Lupe dabei? Ich habe mindestens 4 mal Ib gesehen. Wo kriegt Ihr diese Leute hier nur immer her? ;-)
Quereinsteiger schrieb: > Der BCW65C wird über einen Kerko (6n8) ohne Vorwiderstand angesteuert... Manchmal sagt ein Bild bzw. Schaltplan mehr als viele Worte; in diesm Fall wäre das sehr hilfreich. Quereinsteiger schrieb: > Fairchild z.B. gibt im gesamten DB nicht einen einzigen Wert für den > Basisstrom an - unglaublich! Dieser Transistor ist als "general purpose amplifier" konzipiert, also als Analogverstärker und nicht als Schalttransistor. Bei einem Analogverstärker ist der zulässige Basis-Strom nicht so wichtig, da die Stromverstärkung relativ hoch ist und im linearen Betrieb der Basis-Strom relativ niedrig ist. Für so eine Anwendung solltest du eher einen Transistor verwenden, der für Schaltbetrieb ausgelegt ist (z.B. PBSS4041NT), da findest du dann auch die gewünschten Angaben im Datenblatt.
Quereinsteiger schrieb: > Der BCW65C wird über einen Kerko > (6n8) ohne Vorwiderstand angesteuert. Dieser Kerko liegt zwischen der > hart schaltenden Flanke an Drain des Leistungs-Mosfet (DelteV/DeltaT > ziemlich hoch), und der Basis des BCW65C. Fragt sich nun, wie belastbar > solch ein kleiner Transistor an dieser Stelle ist. Die lt. Datenblatt > max. 200mA Pulsstrom an der Basis werden sicher locker überschritten, Die Anstiegsgeschwindigkeit kennst du. Warum also dimensionierst du den Kondensator nicht so, dass der maximale Basisstrom eingehalten wird (I=C*dU/dt)? Glaubst du etwa der Transistor schaltet schneller oder besser wenn 5A Basisstrom fließen?
Die Flankensteilheit kann ich (trotz Oszilloskop) schwer messen. Ist recht hoch an dieser Stelle, so wie bei praktisch jedem Schaltregler. Auch arbeitet der Regler mit unterschiedlichen Betriebsspannungen, der Spannungshub ist also nicht gleich. Und noch dazu soll der Transistor schnell durchschalten, wenn die Speicherdrossel in die Sättigung geht, und sich die Spannung über Drain und Source um z.B. nur 1V erhöht. Daher der recht große Kondensator (das Prinzip klappt auch schon mit 100pF, nur nicht optimal). Max. Spannungshub ist immerhin ca. 60V. Wie gesagt funktioniert es eigentlich sehr gut, nur ist die Betriebsweise des sot-23-Transistors recht ungewöhnlich. Keine Ahnung was die Dinger an der Basis vertragen... Johannes E. schrieb: > PBSS4041NT Der sieht natürlich besser aus, vielen Dank!
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