FET in Durchlassrichtung

[carlos (Gast)]

(1) Was würde eigentlich passieren wenn man die beiden PN-Dioden eines 
FET in Durchlassrichtung betreiben würde?

(2) Ein FET besteht ja aus zwei modellhaft aus zwei PN-Dioden, würde es 
nicht reichen den Kanal über die Gate-Source Diode zusteuern, d.h. 
könnte man den Drain bei einer n-FET p-dotieren? (bei n-dotirter Source 
und p-dotierten Gate)

, danke.

[Mike (Gast)]

carlos schrieb:
> Ein FET besteht ja aus zwei modellhaft aus zwei PN-Dioden

Nein, tut er nicht. Es gibt den Kanal, der durch das Gate gesteuert 
wird.
http://de.wikipedia.org/wiki/MOSFET#Grunds.C3.A4tzlicher_Aufbau_und_physikalische_Funktion

[carlos (Gast)]

Beim JFET auf Grundlage eines n-dotoerten Halbleiter gibt's doch 
n-Source p-Gate und n-Drain das Gate sollte sich doch bzgl. des n 
dotierten Bereiches durchaus wie ein PN-Übergang verhalten (was doch 
einer idealen Diode entspricht), was ist daran falsch?

[Mike (Gast)]

carlos schrieb:
> das Gate sollte sich doch bzgl. des n
> dotierten Bereiches durchaus wie ein PN-Übergang verhalten (was doch
> einer idealen Diode entspricht), was ist daran falsch?

Die Diode besteht bei Sperrschicht-FETs zwischen Kanal und Gate und wird 
- wie der Name schon sagt, immer in Sperrrichtung betrieben, d.h. sie 
isoliert. Beim MOSFET übernimmt eine SiO2-Schicht die Isolation. Der 
Kanal ist von der Polarität genauso wie Drain und Source dotiert.