RDSon erhöhen

[Inverter (Gast)]

Hallo,

ich habe hier einen N-MOSFET, der ein zu niedriges RDS-On besitzt.
Wenn ich nun 2 bis 3 Ohm in die Leitung einbringe, wo sollte dieser 
Widerstand sinnvollerweise liegen, damit der Spannungsabfall über dem 
Widerstand das Öffnungs- und Schließverhalten des MOSFET nicht negativ 
beeinflusst?

Wenn er unter der Source liegt, würde der Spannungsabfall über dem 
Widerstand ja regelmäßig so groß sein, dass die Source nicht auf 
Null-Potential liegt und somit die Gate-Source-Spannung für ein sicheres 
Öffnen eventuell in Mitleidenschaft gezogen werden könnte...
D.h. für einen N-MOS würde ich zu dem Urteil kommen, dass ein 
zusätzlicher Widerstand am besten "über" das Drain kommt.

Bei einem PMOS muss es folglich genau umgekehrt sein, d.h. hier müsste 
der Widerstand vermutlich "unter" das Drain.

Wenn ich nun die zusammengesetzte Struktur betrachte, also einen 
Inverter, "oben" PMOS, und "unten" NMOS, dann müsste ich die Verbindung 
der beiden Drain-Anschlüsse vermutlich durch einen Widerstand von 
einigen wenigen Ohm ersetzen?



Richtig?


mfg

[Harald W. (wilhelms)]

Inverter schrieb:

> ich habe hier einen N-MOSFET, der ein zu niedriges RDS-On besitzt.

Eigentlich freut man sich, wenn ein Schalter einen niedrigen RDS-On
hat. Warum Dich das stört, müsstest Du schon mal genauer erklären.

[Udo S. (urschmitt)]

Inverter schrieb:
> wo sollte dieser Widerstand sinnvollerweise liegen,

Da wo auch deine Last liegt.

[nullfet (Gast)]

Inverter schrieb:
> Wenn ich nun die zusammengesetzte Struktur betrachte, also einen
> Inverter, "oben" PMOS, und "unten" NMOS, dann müsste ich die Verbindung
> der beiden Drain-Anschlüsse vermutlich durch einen Widerstand von
> einigen wenigen Ohm ersetzen?

Ganz genau, aber warum nur?

[Inverter (Gast)]

Das Problem ist, dass ich einen Inverter aufgebaut habe und dieser nun 
mal seine Zeiten hat, in denen beide MOSFET geöffnet bzw. nicht 
vollständig geschlossen sind.
Die Momente sind kurz aber ich kann da auch nichts gegen machen. Mehr 
Ansteuerlogik ist nicht drin, ich muss mit dem kurzen Moment leben aber 
ich möchte die Verluste gering halten, daher der Wunsch nach einem 
künstlich erhöhten RDSon.

[R_ E. (daren)]

Inverter schrieb im Beitrag:
> Das Problem ist, dass ich einen Inverter aufgebaut habe und dieser
> nun
> mal seine Zeiten hat, in denen beide MOSFET geöffnet bzw. nicht
> vollständig geschlossen sind.
> Die Momente sind kurz aber ich kann da auch nichts gegen machen. Mehr
> Ansteuerlogik ist nicht drin, ich muss mit dem kurzen Moment leben aber
> ich möchte die Verluste gering halten, daher der Wunsch nach einem
> künstlich erhöhten RDSon.

Was meinst Du denn, wo und wodurch die Verluste entstehen?

[Max D. (max_d)]

Das ist ,gelinde gesagt, quatsch das mit nem Resi zu machen.
Es gibt PWM Generatoren die ihr Waveforms verschieben können (sogar in 
den tinys sind solche drinnen) und es gibt treiber die eine solche 
Ausschlußlogik integriert haben.
Wenn du Glück hast musst du nichtmal was an deinem Layout ändern spndern 
wirfst einfach nen andren Chip rein.

[Harald W. (wilhelms)]

Inverter schrieb:

> Wenn ich nun die zusammengesetzte Struktur betrachte, also einen
> Inverter, "oben" PMOS, und "unten" NMOS, dann müsste ich die Verbindung
> der beiden Drain-Anschlüsse vermutlich durch einen Widerstand von
> einigen wenigen Ohm ersetzen?

Ja, am besten in beiden Anschlüssen Richtung Ausgang. Und vermutlich
musst Du auch noch etwas gegen den Einbruch der Versorgungsspannung
während des Kurzschlusses tun. Ein solcher Kurzschluss in der
Ausgangsstufe ist übrigens typisch beim altbekanntem "555".
Gruss
Harald