Hallo Leute, ich will mir zur Ansteuerung mehrerer MOSFETs eine Transistor Push-Pull-Stufe bauen. Hierzu sollen die Transistoren FZT749 und FZT649 zum einsatzt kommen. Nun hab ich das Problem, dass ich gerade nicht weiß, wie ich hier den gemeinsamen Basiswiderstand berechnen soll. Wenn ich ihn berechne wie bei der Emitterschaltung, so komm ich auf ca. 80mA pro Transistor. Mit einer Eingangsspannung von 12V komm ich auf 67,6Ohm, was viel zu viel ist, da ich laut simulation nicht mal den Halben Gatestrom bekomme. Ich hab dann auch noch das problem, dass ich mit -5V Ausschalte. :( Hat einer eine Idee?
Moin, ich hab ne Idee. Zeig doch mal deinen Schaltplan. In der Glaskugel ist leider grad nur grauer Dunst. Grüße
Normalerweise sind diskrete MOSFET-Treiber EmitterFOLGER so daß die volle Stromverstärkung hFE zum Tragen kommt. Man will aber auch möglichst hohen Umladestrom der MOSFETs der keinesfalls durch mangelnden Basisstrom begrenzt wird. Bei der Auslegung von IC und IB geht man über das im Dauerbetrieb zulässige hinaus, weil die Aufladephase des MOSFETs ja nur einen Bruchteil der Zeit passiert. Der FZT749 hat wie bei Fairchild üblich ein unzureichendes Datenblatt "wir liefern was gerade von der Resterampe fällt". Als low sat Transistor ist er auch eher die falsche Wahl, man hätte high beta haben sollen. Er verträgt offiziell 3A dauerhaft, nehmen wir an der Peak-Strom beim Umladen des MOSFETs wäre 6A. Dann ist die Stromverstärkung nicht mehr so gut wie bei 3A, sondern liegt nur noch bei 15. Wir brauchen also 400mA Basisstrom, und ein Basisvorwiderstand (nicht eher: pull up? Aber du hast NATÜRLICH keinen Schaltplan gezeichnet, zu faul dazu.) sollte diese 400mA fliessen lassen, zumindest am Anfang wenn von den 12V noch 8V umzuschalten sind. Macht 20 Ohm. Ein Transistor mit höherer Stromverstärkung wäre gut.
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Push-Pull.png
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Hier ist mal der Schaltplan. Ich bin nicht zu faul zum zeichnen, ich dachte mir nur, dass jeder weiß wie eine komplementäre Transitorstufe aussieht... Ich verwende einen Gatetreiber, der mir die Transistoren ansteuert, aber zu Schwach für die MOSFETs ist. Transistoren mit einer höheren Verstärkung schalten leider alle zu langsam, deswegen muss ich bei denen bleiben. Ist die Berechnungsformel dann wie beim Emitterfolger?
Sebastian S. schrieb: > dass jeder weiß wie eine komplementäre Transitorstufe aussieht... Wir schon, du nicht, du hältst sie für Emitterschaltung. Der Si8235 liefert bereits 4A, da ist jedes Nachschalten von schwächeren Transistoren schwer begründbar, gerade wenn man mit 5 Ohm den Umladestrom sowieso auf 2A begrenzt. Figure 43. Si823x in Half-Bridge Application Will man unterschiedliche Auf- und Entladezeiten, sind übrigens Treiber mit 2 Anschlüssen passender, wie MCP1406 (gibt es vielleicht auch isolierend). VCC | +--|< | |E : | +--22R--+ | --+ +--|I MOSFET | +--5R---+ | | |E : +--|< | GND
Die bisherigen Vorwiderstände von 5 bzw. 22Ohm sind nur für den Anfang eingeplant. Hiermit wären auch die Schaltzeiten grenzwertig. @MaWin: du hast anscheinend übersehen, dass ich mit -5V ausschalte, somit hab ich einen Umladestrom vom 3,4A beim Einschalten. Der Treiber kann aber nur 2A!! Diese Schaltung wird später noch auf Geschwindigkeit getrimmt. Dazu müssen aber Messungen durchgeführt werden. Ich takte hier bis zu 800A!! Aber nochmal zurück zur Grundfrage: Wie kann ich den Basis-R berechnen? Wie bei ner Emitterschaltung oder gibts da ne andere Formel?
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